固体电子学研究与进展

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《固体电子学研究与进展》 关注(): 期刊周期：双月刊; 期刊级别：北大核心; 国内统一刊号：32-1110/TN; 国际标准刊号：1000-3819; 主办单位：南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所); 主管单位：中国电子科技集团公司; 查看固体电子学研究与进展近十年数据入口>>>; 上一本期杂志：《红外与激光工程》科技期刊论文; 下一本期杂志：《强激光与粒子束》电子科技论文

　　【杂志简介】

　　《固体电子学研究与进展》是南京电子器件研究所主办的全国性学术期刊(双月刊)，向国内外公开发行。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEMS)、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件(OLED)和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。

　　在科技期刊评审中，《固体电子学研究与进展》多次获得部属电子优秀期刊奖，获江苏省第一届、第二届、第三届、第四届优秀期刊奖和第二届华东地区优秀期刊奖。

　　1992年、1996年、2000年、2004年和2008年五度被《中文核心期刊要目总览》列为相关专业的中文核心期刊，被中国科学院文献情报中心列为科技核心期刊。

　　本刊已列为国家科技部中国科技论文统计源期刊，被认定为《中国科学引文数据库》来源期刊、《中国学术期刊综合评介数据库》全文收录期刊，已载入《电子科技文献数据库》和《中国工程技术电子信息网》，已被《中国学术期刊(光盘)》和《中国期刊网》全文收录，已进入万方数据资源系统ChianInfo数字化期刊群。

　　【收录情况】

　　国家新闻出版总署收录

　　信息产业部2001-2002年优秀期刊

　　中国期刊方阵“双效”期刊

　　江苏省第六届优秀期刊

　　国外数据库收录：美国化学文摘

　　【栏目设置】

　　设有“学术论文”、“研究报告”、“研究简讯”、“会议报道”等栏目。

　　杂志优秀目录参考：

　　1 氧等离子体处理对薄势垒增强型AlGaN/GaN HEMT的影响王哲力;周建军;孔月婵;孔岑;董逊;杨洋;陈堂胜; 307-310+345

　　2 短沟道三材料柱状围栅MOSFET的解析模型赵青云;于宝旗;苏丽娜;顾晓峰; 311-316+365

　　3 柱形量子点中量子比特的消相干时间姜福仕;李岩; 317-320

　　4 S波段280W GaN内匹配功率管的设计与实现姚实;唐世军;任春江;钱峰; 321-324+391

　　5 L波段高增益功放模块设计杨斌;林川;高群; 325-328

　　6 应用于IEEE 802.11 ac的高线性InGaP/GaAs HBT功率放大器郑耀华;郑瑞青;林俊明;陈思弟;章国豪; 329-333

　　7 基于HBT工艺的北斗手持终端功率放大器设计陈思弟;郑耀华;章国豪; 334-339

　　8 5.8～6.2GHz高效率InGaP/GaAs HBT J类功率放大器郑瑞青;郑耀华;章国豪; 340-345

　　9 WIFI用砷化镓多功能收发芯片设计与实现李娜;叶建军;杨磊; 346-351

　　10 一种高集成射频接收前端黄贞松;宋艳;许庆;杨磊; 352-356

　　11 X波段8路波导功分器/合成器周巧仪;崔富义;马福军; 357-359+397

　　12 基于阶梯阻抗谐振器的双频微带带通滤波器设计李紫怡;杨维明;朱星宇;彭菊红;张伟; 360-365

　　13 图形化衬底对GaN基LED电流与发光特性的影响李丽莎;闫大为;管婕;杨国锋;王福学;肖少庆;顾晓峰; 366-370

　　14 高压LDMOS击穿电压退化机理研究金锋;徐向明;宁开明;钱文生;王惠惠;邓彤;王鹏飞;张卫; 371-376

　　15 红外读出电路中低功耗列读出级电路的设计沈玲羽;庞屹林;范阳;夏晓娟;吉新村;郭宇锋; 377-382

　　16 TVS二极管标称参数与静电放电防护能力研究郭瑶;徐晓英;叶宇辉;高兵生; 383-387

　　17 高平整度GaN HEMT欧姆接触工艺陈韬;蒋浩;陈堂胜; 388-391

　　18 盖板结构对外壳密封可靠性影响的有限元分析郭怀新;程凯;胡进;王子良; 392-397

　　安全论文发表：对计算机网络的维护及管理的分析

　　【摘要】随着信息技术的发展，网络的应用已经普及到各个阶层和各个行业，这给人们的工作和日常生活带来了极大的便利，但是同时由于网络安全问题的存在也给人们带来了很多的困扰，这些安全问题主要表现在病毒、木马以及漏洞攻击上。本文通过对计算机网络中存在的问题进行分析，旨在为网络的安全和便利提供一些技术上的策略。

　　【关键词】安全论文发表,计算机网络,完全防护,网络维护与管理,策略

　　一、计算机网络中的问题分析

　　1.1 计算机病毒和木马

　　计算机病毒和木马在很多文献中都分开论述，但是由于其原理基本相同，所以笔者在本文的论述中将其归为一类。计算机病毒和木马的传播过程中有很多类似的地方，但是在破坏性上两者有较大差别，计算机病毒是特指可以对计算机软硬件造成损害的一类计算机程序，而木马则是用来窃取用户信息的计算机程序。这两者都是通过网络给用户带来危害的计算机程序，并且现在计算机技术飞速发展，病毒和木马的变种也越来越多，只有提高自己的网络安全意识，才能降低受到危害的风险 [2]。

　　固体电子学研究与进展最新期刊目录

微凸点在温度循环荷载下的多尺度变形研究————作者：马顾彧;李洋 ;成毓杰;刘璐;

摘要：随着电子设备向小型化、高集成化方向发展，电子封装中微凸点通常需在温度荷载下服役，且微凸点的尺寸不断减小，其中仅可能包含几个晶粒，因此研究封装结构中的微凸点在温度荷载作用下的多尺度变形行为具有重要意义。本文基于晶体塑性有限元理论，研究了CASTIN焊料在温度循环荷载作用下的变形行为，通过与试验数据比较，标定相关参数。在此基础上，研究了3D封装结构在温度循环荷载作用下的变形行为，其中，针对封装结构中的...

基于阳极氧化Ta₂O₅薄膜的低温低压集成MIM电容制造方法————作者：金致远;朱健;宋明宣;张洪泽;

摘要：随着集成密度要求的不断增长，分立无源器件逐渐无法满足高密度集成需求，集成无源器件（IPD）成为学术界和工业界的关注重点。金属-绝缘体-金属（MIM）电容具有小体积、高电容密度的优势，对于集成无源器件的发展非常重要。传统方法制造集成MIM电容时，通常需要在精确控制的环境中采用复杂的工艺，并使用高精度的仪器。本文介绍了一种用于集成MIM电容的低温低压制造方法，该方法采用阳极氧化法在室温常压下制成Ta<...

一种低功耗降压型DC-DC转换器设计————作者：宋阜恒;蔡甜甜;王培浩;王紫阳;夏晓娟;

摘要：设计了一种超低静态功耗的同步整流降压型脉冲频率调制模式的DC-DC转换器。在轻载条件下，利用输出电压启动电路，降低静态功耗，并加入电感峰值限流，减小输出电压纹波。基于0.5μm的CMOS工艺进行设计以及仿真验证，测试结果表明，当输出电压为1.8 V时，该芯片的静态电流仅为760 nA。全负载效率在90%以上，最高效率可以达到93.12%

一种灵敏度提高的垂直型霍尔器件及仿真模型————作者：王双喜;李建强;李良;周林;李杰林;徐跃;

摘要：基于180 nm BCD工艺实现了一种灵敏度提高的五孔垂直型霍尔器件（Five-contact vertical Hall-effect device,FCVHD）。采用掺杂浓度较低且阱深较深的N型漂移区（N-type drift region,NDRF）作为器件有源区，并在器件表面的N⁺接触孔之间进行P⁺扩散区隔离，有效减小了短路效应，提高了器件的电流...

耗尽型GaN非易失性存储器的研究————作者：邵国键;陈韬;周书同;李信;

摘要：研究了基于SiO₂/SiN/AlGaN/GaN结构的耗尽型GaN非易失性存储器，该存储器中SiN介质层作为电荷存储层，SiO₂层作为隔离层。通过在栅极施加正压实现存储器的写入模式，将电子引入SiN电荷存储层。而栅极施加负压则能实现存储器的擦除模式，清除SiN电荷存储层中的电子，存储器恢复至初始状态。在经历10～4次循环擦写、10～4 s数据保持等可靠性验...

面向3D-SiP模组的超宽带互联技术研究————作者：吕嘉然;阚尧;刘士杰;徐梦苑;汤君坦;成海峰;

摘要：针对有源相控阵天线前端向低剖面、超宽带、高集成方向发展的趋势，基于三维系统级封装（Three-dimensional system-in-package, 3D-SiP）技术的TR模组成为了当前研究的热点。本文面向一种采用高温共烧陶瓷（High temperature co-fired ceramic, HTCC）技术和球栅阵列（Ball grid array, BGA）堆叠技术实现的3D-SiP...

氧化镓射频器件研究进展————作者：郁鑫鑫;沈睿;谯兵;李忠辉;叶建东;孔月婵;陈堂胜;

摘要：氧化镓（Ga₂O₃）是性能优异的超宽禁带半导体材料，不仅临界击穿场强大、饱和速度高，而且具有极高的巴利加优值和约翰逊优值，在功率和射频器件领域具有重要的应用前景。本文聚焦于Ga₂O₃射频器件，首先介绍了Ga₂O₃在射频器件领域的优势和面临的挑战，然后综述了近年来Ga<...

碳化硅MOSFET有源门极驱动的电压电流过冲快速检测电路设计————作者：王俊波;张殷;唐琪;王正磊;陈钰凯;刘平;

摘要：碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管（Silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,SiC MOSFET）因其高工作频率和耐高温等优势得到广泛应用。然而，SiC MOSFET驱动电路存在的开关高电气应力、电压电流超调和开关振荡等问题降低了变流器的可靠性。为了提高系统的可靠性，本文提出了一种碳化硅MOSFET有源门极驱...

基于4H-SiC的高温驱动电路设计与制造————作者：田源;黄润华;倪朝辉;刘涛;张国斌;杨勇;柏松;

摘要：为解决SiC MOSFET在高温条件下性能受硅基驱动电路限制的问题，设计制造了一款基于4H-SiC材料的驱动电路，用于改善电路整体的耐高温能力，并且分别在常温（25℃）和高温（300℃）条件下对驱动电路的性能进行了测试。常温下驱动电路在无负载条件下的上升沿延迟和下降沿延迟分别为2.496μs和1.32μs，高温下两者分别为1.61μs和0.816μs。在输出功率为100 W、输出电压为56 V、母...

基于功率合成技术的0.17 THz瓦级固态放大器设计————作者：赵博;成海峰;胡尊月;朱翔;杜佳谕;龚冰;

摘要：针对当前太赫兹频段对于大功率固态放大器的工程应用需求，在0.17 THz开展了基于功率合成技术的瓦级固态功率放大器的研究。基于3 dB波导桥结构和太赫兹GaN功放芯片，设计并制作了一种工作在0.17 THz的两芯片封装功率模块，实现了410 mW的典型功率输出。以E面T型结为基础，实现了G波段4路波导功率合成器，工作频率覆盖165～175 GHz，无源合成效率为76%。通过将4个封装功率模块进行合...

硅基太赫兹压控振荡器研究进展————作者：陈尚轩;鲁成健;陈卓恒;成彬彬;程序;

摘要：太赫兹技术近年来的快速发展推动着太赫兹振荡器以及压控振荡器的设计与实现。随着半导体工艺（如CMOS,SiGe,GaAs等）的进步，使得高集成度、低功耗、低相位噪声的高频振荡器以及压控振荡器的实现成为可能。本综述将讲述太赫兹振荡器关键技术及其最新研究进展，重点探讨不同类型的太赫兹振荡器设计方法，特别对提高输出功率和调谐范围等方面进行研究。通过对现有文献的综合分析，旨在为研究人员提供关于硅基太赫兹振荡...

一种高调谐线性低相位噪声的正交压控振荡器————作者：张菁菁;石春琦;陈光胜;黄磊磊;张润曦;

摘要：设计了一种用于通信感知一体化的正交压控振荡器（Quadrature voltage-controlled oscillator, QVCO），并分析了相位噪声、调谐线性度和调谐范围之间的关系。采用了数字温度补偿的非线性校正方法对QVCO的调谐范围和线性度进行优化，并考虑外部噪声对QVCO噪声的影响。采用55 nm CMOS工艺制备的QVCO可实现22.748～28.302 GHz的调谐范围（21....

一种基于耦合线功率合成的Ka波段功率放大器————作者：孙晗;杨晓政;何进;

摘要：基于55 nm RF CMOS工艺设计了一款应用于5G毫米波通信的Ka波段功率放大器（Power amplifier,PA）。该PA创新性地采用了基于非对称耦合线的功率合成网络。该网络能够被用于金属层厚度差异较大的工艺，而且具有易于设计、低损耗的特点，有利于提高PA输出功率。此外，本文提出的自适应偏置电路能够根据输入信号功率的大小改变PA的栅极偏置，从而抑制增益压缩效应，提高PA线性度。仿真结果表...

一种超低输入电压的热电能量采集芯片设计————作者：杨淼;周俊豪;刘新宁;

摘要：基于0.18μm 1P4M BCD工艺设计了一款超低输入电压的电源管理芯片，可实现自启动和升压，能对外界的热电能量进行采集管理。提出了一种将反馈控制电路和充电控制电路相结合的架构，利用迟滞比较器阵列和交叉耦合复用电路实现主从电源切换和输出控制，使其在无外界能量输入时，依然可以正常工作。测试结果表明，在22 mV低输入电压下，芯片可实现自启动，芯片静态工作电流仅为3.5μA，输出电压值最大为4.2 ...

征稿启事

摘要：<正>《固体电子学研究与进展》是全国性学术期刊，向国内外公开发行。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性研究。征稿主要范围是：无机和有机固体物理，硅微电子学，射频器件和微波集成电路，微机电系统MEMS），纳米技术，固体光电和电光转换器件，有机发光器件（OLED）和有机微电子技术，宽禁带半导体以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和论文。建议作者在投稿的同时介绍一下...

阳极退火对Co阳极准垂直结构GaN基肖特基二极管性能影响————作者：吴志勇;马群;王良臣;李晋闽;王军喜;刘志强;伊晓燕;

摘要：在蓝宝石衬底上制备了不同阳极叉指宽度的钴（Co）阳极准垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管（GaN Schottky barrier diode, GaN SBD），在此基础上分别进行300、350、400℃阳极退火。实验结果显示较小的阳极叉指宽度有利于实现较低的比导通电阻，在300℃退火后，阳极界面态密度降低，金属半接触均匀性增加，器件的开启电压和比导通电阻分别降低12.1%和13.2%，阳极界面态密...

DC～170GHz InP DHBT超宽带双模混频器————作者：项萍;杨昆明;王维波;程伟;陈膺昊;苗鹤瑜;陈莹梅;

摘要：<正>南京电子器件研究所基于自主101.6 mm(4英寸)250 nm InP DHBT工艺平台,设计制备了DC-170GHZ超宽带双模混频器芯片(如图1所示,单只芯片尺寸835μm*650μm)研究了亚微米难熔发射极制备,高质量基极欧姆接触等核心工艺,突破了微带耦合反馈、T型感容补偿网络等带觉扩展技术。该超宽带混频器芯片集成了本振(LO)和射频(RF)巴伦、混频器单元,LO和中频(I...

基于多单元融合设计的18-40 GHzGaAs小型化数控移相器————作者：潘瑞坤;印政;马明明;郭润楠;庄园;韩群飞;陶洪琪;

摘要：超宽带移相器输入、输出驻波是影响相控阵系统波束精度的关键指标之一，本文提出了大相位基准输入输出拓扑，基于0.15 μm GaAs pHEMT工艺，在18-40 GHz实现了一款六位精度数控移相器芯片。针对超宽带小相位基准精度低的问题，提出了改进型串并联电容移相结构，提升了5.625°和11.25°小位移相单元的移相精度；同时，提出了引入多模可变负载的开关电抗反射型结构，优化了45°～180°四个大...

K波段多通道射频收发微模组高隔离度设计————作者：徐靖沣;葛逢春;张皓;张硕;刘峻峰;郭润楠;陶洪琪;

摘要：随着相控阵系统的工作频率不断升高，阵元间距不断减小，传统的单通道射频收发组件的小型化受到了限制，多通道收发芯片与组件成为重要的研究方向。封装中多个通道的电磁能量在腔体内显著提升了自激风险，需要高隔离度的微模组设计。本文将天线阵列设计中表面波抑制蘑菇型电磁带隙结构用于射频收发微模组封装，结合氧化铝陶瓷直接镀铜封装，研发了K波段四通道射频收发微模组并在常温下进行了测试。模组外形尺寸为8.8 mm×8....

宽带双圆极化低剖面天线及其阵列研究————作者：王磊;

摘要：本文设计了一种新型宽带双圆极化低剖面天线。基于传统双层微带贴片天线结构，本文在下层贴片刻蚀带有枝节的方环形缝隙并引入短路接地柱，从而形成新的辐射模式，有效展宽了天线的带宽及优化了圆极化特性。天线采用双点馈电，利用3dB电桥作为馈电网络，实现了左旋、右旋圆极化辐射方式。天线单元的10dB阻抗带宽约为16%（1.95GHz～2.29GHz），全频带轴比≤1.93dB（带宽16%），天线剖面高度约为0....

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