固体电子学研究与进展

所属栏目：电子信息期刊热度：时间：

固体电子学研究与进展 关注(): 期刊周期：双月刊; 期刊级别：北大核心; 国内统一刊号：32-1110/TN; 国际标准刊号：1000-3819; 主办单位：南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所); 主管单位：中国电子科技集团公司; 查看固体电子学研究与进展近十年数据入口>>>; 上一本期杂志：《红外与激光工程》科技期刊论文; 下一本期杂志：《强激光与粒子束》电子科技论文

　　【杂志简介】

　　《固体电子学研究与进展》是南京电子器件研究所主办的全国性学术期刊(双月刊)，向国内外公开发行。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEMS)、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件(OLED)和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。

　　在科技期刊评审中，《固体电子学研究与进展》多次获得部属电子优秀期刊奖，获江苏省第一届、第二届、第三届、第四届优秀期刊奖和第二届华东地区优秀期刊奖。

　　1992年、1996年、2000年、2004年和2008年五度被《中文核心期刊要目总览》列为相关专业的中文核心期刊，被中国科学院文献情报中心列为科技核心期刊。

　　本刊已列为国家科技部中国科技论文统计源期刊，被认定为《中国科学引文数据库》来源期刊、《中国学术期刊综合评介数据库》全文收录期刊，已载入《电子科技文献数据库》和《中国工程技术电子信息网》，已被《中国学术期刊(光盘)》和《中国期刊网》全文收录，已进入万方数据资源系统ChianInfo数字化期刊群。

　　【收录情况】

　　国家新闻出版总署收录

　　信息产业部2001-2002年优秀期刊

　　中国期刊方阵“双效”期刊

　　江苏省第六届优秀期刊

　　国外数据库收录：美国化学文摘

　　【栏目设置】

　　设有“学术论文”、“研究报告”、“研究简讯”、“会议报道”等栏目。

　　杂志优秀目录参考：

　　1 氧等离子体处理对薄势垒增强型AlGaN/GaN HEMT的影响王哲力;周建军;孔月婵;孔岑;董逊;杨洋;陈堂胜; 307-310+345

　　2 短沟道三材料柱状围栅MOSFET的解析模型赵青云;于宝旗;苏丽娜;顾晓峰; 311-316+365

　　3 柱形量子点中量子比特的消相干时间姜福仕;李岩; 317-320

　　4 S波段280W GaN内匹配功率管的设计与实现姚实;唐世军;任春江;钱峰; 321-324+391

　　5 L波段高增益功放模块设计杨斌;林川;高群; 325-328

　　6 应用于IEEE 802.11 ac的高线性InGaP/GaAs HBT功率放大器郑耀华;郑瑞青;林俊明;陈思弟;章国豪; 329-333

　　7 基于HBT工艺的北斗手持终端功率放大器设计陈思弟;郑耀华;章国豪; 334-339

　　8 5.8～6.2GHz高效率InGaP/GaAs HBT J类功率放大器郑瑞青;郑耀华;章国豪; 340-345

　　9 WIFI用砷化镓多功能收发芯片设计与实现李娜;叶建军;杨磊; 346-351

　　10 一种高集成射频接收前端黄贞松;宋艳;许庆;杨磊; 352-356

　　11 X波段8路波导功分器/合成器周巧仪;崔富义;马福军; 357-359+397

　　12 基于阶梯阻抗谐振器的双频微带带通滤波器设计李紫怡;杨维明;朱星宇;彭菊红;张伟; 360-365

　　13 图形化衬底对GaN基LED电流与发光特性的影响李丽莎;闫大为;管婕;杨国锋;王福学;肖少庆;顾晓峰; 366-370

　　14 高压LDMOS击穿电压退化机理研究金锋;徐向明;宁开明;钱文生;王惠惠;邓彤;王鹏飞;张卫; 371-376

　　15 红外读出电路中低功耗列读出级电路的设计沈玲羽;庞屹林;范阳;夏晓娟;吉新村;郭宇锋; 377-382

　　16 TVS二极管标称参数与静电放电防护能力研究郭瑶;徐晓英;叶宇辉;高兵生; 383-387

　　17 高平整度GaN HEMT欧姆接触工艺陈韬;蒋浩;陈堂胜; 388-391

　　18 盖板结构对外壳密封可靠性影响的有限元分析郭怀新;程凯;胡进;王子良; 392-397

　　安全论文发表：对计算机网络的维护及管理的分析

　　【摘要】随着信息技术的发展，网络的应用已经普及到各个阶层和各个行业，这给人们的工作和日常生活带来了极大的便利，但是同时由于网络安全问题的存在也给人们带来了很多的困扰，这些安全问题主要表现在病毒、木马以及漏洞攻击上。本文通过对计算机网络中存在的问题进行分析，旨在为网络的安全和便利提供一些技术上的策略。

　　【关键词】安全论文发表,计算机网络,完全防护,网络维护与管理,策略

　　一、计算机网络中的问题分析

　　1.1 计算机病毒和木马

　　计算机病毒和木马在很多文献中都分开论述，但是由于其原理基本相同，所以笔者在本文的论述中将其归为一类。计算机病毒和木马的传播过程中有很多类似的地方，但是在破坏性上两者有较大差别，计算机病毒是特指可以对计算机软硬件造成损害的一类计算机程序，而木马则是用来窃取用户信息的计算机程序。这两者都是通过网络给用户带来危害的计算机程序，并且现在计算机技术飞速发展，病毒和木马的变种也越来越多，只有提高自己的网络安全意识，才能降低受到危害的风险 [2]。

　　固体电子学研究与进展最新期刊目录

《固体电子学研究与进展》专题征稿主题：半导体芯片先进封装技术

摘要：<正>随着摩尔定律逐渐放缓,先进封装作为提升系统性能、集成度与功能多样性的关键路径,已成为半导体产业发展的重要引擎。由于芯片在高频、高功率密度或极端环境的应用越来越多,先进封装材料、多物理场建模、工艺制造及测试方法等研究变得越发重要。为了集中展示这一领域的最新研究成果与技术突破,《固体电子学研究与进展》特策划“半导体芯片先进封装技术”专题,现面向相关专家学者公开征稿。征稿范围包括但不限...

《固体电子学研究与进展》专题征稿主题：Si基GaN器件研究与应用

摘要：<正>Si基GaN结合了GaN材料的高性能(高频、高效、耐高压)及Si材料的低成本和大规模制造能力,具有高频、高功率密度和低成本等优势,有望为5G/6G通信、雷达、卫星及电力电子等领域提供高性能、低成本的解决方案。由于GaN和Si之间的晶格常数和热膨胀系数差异巨大,Si基GaN在材料生长、器件可靠性、电学特性和散热等方面存在技术瓶颈,为了集中探讨技术突破以及展示行业新发展,《固体电子学...

《固体电子学研究与进展》专题征稿主题：超宽禁带半导体

摘要：<正>超宽禁带半导体被誉为“后摩尔时代”的颠覆性技术,以氧化镓（Ga₂O₃）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的超宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等特性,为半导体器件性能提升、降低功耗、抗辐射等方面提供了新的可能,目前初现蓬勃发展态势,可在能源与交通、通信与计算、航天电子、新型光电等领域大有可为。然而,超宽禁带半导体仍面...

“功率SiC器件研究与应用”专题前言

摘要：<正>随着信息技术与人工智能的深度演进,社会对电力的需求呈持续攀升态势,高效电力电子器件成为关键支撑。碳化硅(SiC)作为第三代半导体核心材料,凭借宽禁带、高导热率、高电子饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异特性,在高频、大功率、耐高温、抗辐照及紫外探测等领域具备不可替代的应用价值,相关研究对推动电力电子技术升级意义重大

2026年微波、太赫兹、电磁兼容技术学术会议(MMW-THZ-EMC 2026)第一轮征文通知

摘要：<正>随2026年微波、太赫兹、电磁兼容技术学术会议(MMW-THZ-EMC 2026)将于2026年7月26日—30日在辽宁省大连市召开。本次会议由中国电子学会微波分会主办,多家高校与科研单位联合承办,旨在为微波、太赫兹及电磁兼容领域的专家学者、科研人员及工程技术人员搭建高水平的学术交流平台。诚挚欢迎相关领域从事研究、开发、生产与应用的专家和工程技术人员踊跃投稿并参会,同时欢迎相关单...

1μm薄膜铌酸锂电光相位调制器研究

摘要：<正>南京电子器件研究所依托所内薄膜铌酸锂(LNOI)芯片工艺和光电混合封装平台,成功研制出1μm波段LNOI电光相位调制器,器件具备超低插入损耗、高光功率阈值、小尺寸等特点。通过LNOI光波导设计及工艺优化,实现了1μm波段光波导传输损耗≤0.1 dB/cm,抗光损伤阈值提升至100 mW。图1 (a)所示为电光相位调制器芯片晶圆;通过低损耗光耦合技术,实现了纤-纤插损≤2.5 dB...

具有内增益特性的4H-SiC基PN^-PN垂直结构半导体辐射探测器仿真研究

摘要：基于4H型碳化硅（4H-silicon carbide,4H-SiC）的NPN结构双极型辐射探测器已被证实可实现10倍的内增益功能，然而受限于SiC材料载流子迁移率寿命积，该类型探测器在获取更高增益方面存在一定困难。本文在NPN结构基础上提出一种优化PN^-PN辐射探测器结构，该结构器件可看作NPN、PNP结构器件级联，可进一步提升探测器增益特性。计算机辅助设计（Technol...

4H-SiC JFET器件的高温静态电学特性研究

摘要：探究了碳化硅（Silicon carbide, SiC）结型场效应晶体管（Junction field-effect transistor, JFET）在高温环境下的静态特性变化规律。测试了SiC JFET器件在25、75、125、175℃温度下的输出特性、转移特性、夹断电压、第三象限导通特性以及反偏击穿特性，并基于载流子输运理论，解释了以上电学特性在高温条件下的退化机理。更进一步地，基于现有4H...

影响SiC MOSFET电离总剂量效应的关键因素研究

摘要：SiC MOSFET由于栅氧化层较厚，在空间辐射环境中对电离总剂量效应敏感。测量辐照前后器件的阈值电压(V_TH)变化是评估其抗总剂量特性的重要手段。本文通过开展不同阈值电压测试方法的比较，分析认为由下扫I-V曲线提取器件阈值电压更为准确。基于该阈值电压提取方法，对比分析了辐照偏置、辐照温度、辐照剂量率对器件总剂量特性的影响规律。分析认为栅极偏置可加剧电子-空穴对的分离并减弱其...

SiC MOSFET单粒子栅穿机理分析与加固设计研究

摘要：单粒子栅穿（Single-event gate rupture, SEGR）是制约SiC功率金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-ox-ide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET）宇航应用的关键可靠性问题。基于TCAD仿真研究了平面栅SiC MOSFET的SEGR效应及其加固方法。通过分析JFET区宽度与掺杂对电场和导通电阻的影响，揭示了...

硼掺杂单晶金刚石MOSFET器件仿真与电学性能研究

摘要：利用数值仿真与实验验证相结合的方法，系统研究了硼掺杂单晶金刚石环栅结构金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET）的物理特性、结构优化及实验制备工艺。借助Silvaco TCAD软件Atlas模块建立器件模型，采用Lombardi CVT、Shockley-Read-Hall、Analytic及碰...

氧退火后Si（111）衬底上β-Ga₂O₃薄膜紫外光电探测器的性能增强

摘要：本研究采用金属有机气相沉积（Metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD）技术，在（111）取向的单晶Si衬底上成功生长了Ga₂O₃薄膜。通过X射线衍射（X-ray diffraction, XRD）、原子力显微镜（Atomic force microscopy, AFM）和扫描电子显微镜（Scanning...

SC波段高增益超宽带功率放大器设计

摘要：基于南京电子器件研究所0.35μm GaN HEMT工艺，研制了一款SC波段高增益超宽带大功率放大器。该功率放大器为两级结构，首先通过负载牵引及小信号模型提取了前级和末级管芯的输入输出阻抗，然后采用GaAs衬底的LC前级匹配网络，结合Lange电桥搭建了平衡式放大器前级，采用多节阻抗变换器实现了末级超宽带功率分配/合成匹配网络设计，最终装配功率放大器实物。测试结果表明，该功率放大器在漏极电压28 ...

Bowling-SGT的器件结构及性能研究

摘要：为解决屏蔽栅沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管（Shielded gate trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, SGT-MOSFET）功率导通电阻与击穿电压之间的相互制约关系，设计兼具高击穿电压与低导通电阻的器件。首先使用Sentaurus TCAD仿真软件构建80 V上下结构的SGT基础模型，并探讨了SGT-MOS-...

征稿启事

摘要：<正>《固体电子学研究与进展》是全国性学术期刊，向国内外公开发行。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性研究。征稿主要范围是：无机和有机固体物理，硅微电子学，射频器件和微波集成电路，微机电系统（MEMS），纳米技术，固体光电和电光转换器件，有机发光器件（OLED）和有机微电子技术，宽禁带半导体以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和论文。建议作者在投稿的同时介绍一...

SiC光触发晶闸管与UV LED合封特性研究

摘要：通过合封的方式将碳化硅（SiC）光触发晶闸管与紫外（Ultraviolet, UV）发光二极管（Light-emitting diode,LED）进行集成，试制了SiC光触发晶闸管与UV LED的合封模块样件，并对其特性进行了测试与分析。结果显示，合封样件的阳极阻断电压大于8 500 V，阳极正向开启电压为2.8 V，栅极正向开启电压为3 V。在正向电流为20 A时，合封样件的阳极通态压降仅3.6...

K波段卫星通信的多路径噪声抵消低噪声放大器

摘要：为满足低噪声的卫星通信应用需求，设计了一款基于集成变压器的改进型多路径噪声抵消（Improved multi-path noise-canceling, IMNC）低噪声放大器（Low noise amplifier, LNA），实现对双路径噪声抵消技术的进一步改进，显著降低噪声系数。该款LNA采用双八字型三线圈变压器提升增益，同时引入共栅晶体管噪声抵消路径，优化噪声抵消效果。在电路设计过程中，采...

一种沟槽底部周期性接地的2400 V 4H-SiC沟槽MOSFET器件设计与制备

摘要：为满足光伏发电和轨道交通及工业驱动等中高压应用对高效、高功率密度功率器件的需求，针对2 400 V4H-SiC沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET）器件展开研究，设计并制备了一种沟槽底部周期性接地的新型2 400 V 4H-SiC沟槽MOSFET。通过优化后采用厚度20μm、掺杂浓度4....

基于自适应浮空栅控制的双向导通沟槽型SiC MOSFET

摘要：针对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（Silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, SiC MOSFET）在第三象限导通下的体二极管高损耗和双极退化问题，提出了一种基于自适应浮空栅控制的双向导通沟槽型SiC MOSFET(Self-adjusted floating-gate controlled bidir...

适用于SiC射频功率放大器的栅压可调漏极电源调制驱动电路

摘要：碳化硅金属-半导体场效应晶体管（Silicon carbide metal-semiconductor field-effect transistor, SiC MESFET）具有高功率、高漏压和高效率等优势，广泛应用于射频功率放大器。电源调制电路对于射频功率放大器中SiC MESFET功率器件的效率与可靠性的提升起着重要作用。为了提高射频功率放大器的响应速度，减小电源调制脉冲信号的传输延时，同时...

　　相关电子信息期刊推荐

　　核心期刊推荐

查看更多电子信息期刊