固体电子学研究与进展

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固体电子学研究与进展 关注(): 期刊周期：双月刊; 期刊级别：北大核心; 国内统一刊号：32-1110/TN; 国际标准刊号：1000-3819; 主办单位：南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所); 主管单位：中国电子科技集团公司; 查看固体电子学研究与进展近十年数据入口>>>; 上一本期杂志：《红外与激光工程》科技期刊论文; 下一本期杂志：《强激光与粒子束》电子科技论文

　　【杂志简介】

　　《固体电子学研究与进展》是南京电子器件研究所主办的全国性学术期刊(双月刊)，向国内外公开发行。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEMS)、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件(OLED)和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。

　　在科技期刊评审中，《固体电子学研究与进展》多次获得部属电子优秀期刊奖，获江苏省第一届、第二届、第三届、第四届优秀期刊奖和第二届华东地区优秀期刊奖。

　　1992年、1996年、2000年、2004年和2008年五度被《中文核心期刊要目总览》列为相关专业的中文核心期刊，被中国科学院文献情报中心列为科技核心期刊。

　　本刊已列为国家科技部中国科技论文统计源期刊，被认定为《中国科学引文数据库》来源期刊、《中国学术期刊综合评介数据库》全文收录期刊，已载入《电子科技文献数据库》和《中国工程技术电子信息网》，已被《中国学术期刊(光盘)》和《中国期刊网》全文收录，已进入万方数据资源系统ChianInfo数字化期刊群。

　　【收录情况】

　　国家新闻出版总署收录

　　信息产业部2001-2002年优秀期刊

　　中国期刊方阵“双效”期刊

　　江苏省第六届优秀期刊

　　国外数据库收录：美国化学文摘

　　【栏目设置】

　　设有“学术论文”、“研究报告”、“研究简讯”、“会议报道”等栏目。

　　杂志优秀目录参考：

　　1 氧等离子体处理对薄势垒增强型AlGaN/GaN HEMT的影响王哲力;周建军;孔月婵;孔岑;董逊;杨洋;陈堂胜; 307-310+345

　　2 短沟道三材料柱状围栅MOSFET的解析模型赵青云;于宝旗;苏丽娜;顾晓峰; 311-316+365

　　3 柱形量子点中量子比特的消相干时间姜福仕;李岩; 317-320

　　4 S波段280W GaN内匹配功率管的设计与实现姚实;唐世军;任春江;钱峰; 321-324+391

　　5 L波段高增益功放模块设计杨斌;林川;高群; 325-328

　　6 应用于IEEE 802.11 ac的高线性InGaP/GaAs HBT功率放大器郑耀华;郑瑞青;林俊明;陈思弟;章国豪; 329-333

　　7 基于HBT工艺的北斗手持终端功率放大器设计陈思弟;郑耀华;章国豪; 334-339

　　8 5.8～6.2GHz高效率InGaP/GaAs HBT J类功率放大器郑瑞青;郑耀华;章国豪; 340-345

　　9 WIFI用砷化镓多功能收发芯片设计与实现李娜;叶建军;杨磊; 346-351

　　10 一种高集成射频接收前端黄贞松;宋艳;许庆;杨磊; 352-356

　　11 X波段8路波导功分器/合成器周巧仪;崔富义;马福军; 357-359+397

　　12 基于阶梯阻抗谐振器的双频微带带通滤波器设计李紫怡;杨维明;朱星宇;彭菊红;张伟; 360-365

　　13 图形化衬底对GaN基LED电流与发光特性的影响李丽莎;闫大为;管婕;杨国锋;王福学;肖少庆;顾晓峰; 366-370

　　14 高压LDMOS击穿电压退化机理研究金锋;徐向明;宁开明;钱文生;王惠惠;邓彤;王鹏飞;张卫; 371-376

　　15 红外读出电路中低功耗列读出级电路的设计沈玲羽;庞屹林;范阳;夏晓娟;吉新村;郭宇锋; 377-382

　　16 TVS二极管标称参数与静电放电防护能力研究郭瑶;徐晓英;叶宇辉;高兵生; 383-387

　　17 高平整度GaN HEMT欧姆接触工艺陈韬;蒋浩;陈堂胜; 388-391

　　18 盖板结构对外壳密封可靠性影响的有限元分析郭怀新;程凯;胡进;王子良; 392-397

　　安全论文发表：对计算机网络的维护及管理的分析

　　【摘要】随着信息技术的发展，网络的应用已经普及到各个阶层和各个行业，这给人们的工作和日常生活带来了极大的便利，但是同时由于网络安全问题的存在也给人们带来了很多的困扰，这些安全问题主要表现在病毒、木马以及漏洞攻击上。本文通过对计算机网络中存在的问题进行分析，旨在为网络的安全和便利提供一些技术上的策略。

　　【关键词】安全论文发表,计算机网络,完全防护,网络维护与管理,策略

　　一、计算机网络中的问题分析

　　1.1 计算机病毒和木马

　　计算机病毒和木马在很多文献中都分开论述，但是由于其原理基本相同，所以笔者在本文的论述中将其归为一类。计算机病毒和木马的传播过程中有很多类似的地方，但是在破坏性上两者有较大差别，计算机病毒是特指可以对计算机软硬件造成损害的一类计算机程序，而木马则是用来窃取用户信息的计算机程序。这两者都是通过网络给用户带来危害的计算机程序，并且现在计算机技术飞速发展，病毒和木马的变种也越来越多，只有提高自己的网络安全意识，才能降低受到危害的风险 [2]。

　　固体电子学研究与进展最新期刊目录

征稿启事

摘要：<正>《固体电子学研究与进展》是全国性学术期刊，向国内外公开发行。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性研究。征稿主要范围是：无机和有机固体物理，硅微电子学，射频器件和微波集成电路，微机电系统（MEMS），纳米技术，固体光电和电光转换器件，有机发光器件（OLED）和有机微电子技术，宽禁带半导体以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和论文。建议作者在投稿的同时介绍一...

铝掺杂超宽氧化镓单晶纳米带及紫外光电特性研究————作者：吴宗烜;陈海峰;胡志品;丁子杰;武晨露;

摘要：在氧化镓纳米带中进行掺杂可以有效调控其光电特性，从而拓展材料的应用潜力。基于碳热还原法制备了宽度最高达到100μm的β-Ga₂O₃纳米带，并通过Al₂O₃中Al元素热扩散方式实现了β-Ga₂O₃纳米带的Al掺杂，XRD和TEM测试结果显示出Al掺杂后纳米带仍然是单晶且...

几种应变场对金刚石电子结构影响机制的第一性原理研究————作者：李鹏飞;陈佳乐;姚毅旭;郑英奎;

摘要：近年来，研究发现应变工程可以显著改变金刚石电学特性，这为其在半导体和传感器等领域的应用提供了新的可能性。基于此，本文利用第一性原理密度泛函理论对几种不同应变（静水压、单轴、双轴）下金刚石的能带结构和电子态密度进行了系统的研究，发现这三种应变均未改变金刚石间接带隙半导体特性。静水压下，金刚石带隙随着压缩应变的增加而增加，但随着拉伸应变的增加而减小，带隙随应变的变化基本接近线性。单轴应变下，带隙的变化...

37 W/mm高功率密度GaN HEMT器件研究————作者：周书同;邵国键;陈韬;陈炳通;任春江;章军云;陈堂胜;

摘要：研究了外延材料结构中缓冲层的变化对AlGaN/GaN HEMT器件最大功率密度的影响，对比了非掺缓冲层器件与掺Fe缓冲层器件的直流和微波特性。实验结果表明非掺缓冲层器件相对掺Fe缓冲层器件表现出更优异的跨导，在高漏极电压下的脉冲测试中电流退化幅度更弱，并且在120 V工作电压下3 GHz处实现了37 W/mm的最大功率密度

硅基宽带小型化晶圆级3D异构集成开关交换矩阵————作者：侯芳;梁锋;曹扬磊;栾华凯;李剑平;孙超;朱健;

摘要：利用硅基晶圆级3D异构集成工艺研制了一种2～18 GHz 4×4宽带小型化开关交换矩阵，解决了当前开关矩阵尺寸大、批次一致性较差、难以批量制作的问题。该器件由7层高阻硅晶圆堆叠形成，内部集成了4个硅基MEMS超宽带功分器、4个SP4T开关、16个SPST开关、24个电容及4个译码驱动等芯片，采用TSV（硅通孔）垂直互连，通过晶圆级低温键合工艺，实现了开关矩阵16个通道射频信号的灵活交换传输。经测试...

Ku频段四波束收发SiP模块研制————作者：杜明;何海卓;赵亮;周太富;李颖凡;罗鑫;熊文毅;

摘要：提出了一种高集成度的4通道四波束收发系统级封装（System-in-package, SiP）模块。该SiP模块工作频率为14.5～16.5 GHz，半双工工作，内部集成发射功率放大、接收低噪声信号放大、幅相控制、四波束无源网络等功能。使用AlN陶瓷基板配合金属围框、盖板实现良好气密，并采用双面开腔方式，实现高密三维集成。为了验证研究结果，对该SiP模块进行了加工、测试，测试结果表明，在工作频带内...

基于GaAs工艺的DC～67 GHz宽带滤波三工器————作者：褚玉金;逄春辉;

摘要：随着无线通信和高速信号处理需求的不断增长，滤波多工器在现代通信系统中的应用日益重要。为此，基于GaAs工艺，应用ADS平台设计了一款工作频率范围为DC～67 GHz，三输入（DC～20 GHz、20～40 GHz和40～67 GHz）单输出的宽带滤波三工器，并完成测试。结果显示，该器件在目标频段内表现出低插入损耗（<3 dB）、高隔离度（>30 dB）和小尺寸（2.07 mm×1.29...

基于碳纳米管微结构的高灵敏低迟滞压力传感器————作者：严可;杨扬;霍帅;张勇;王元;李忠辉;

摘要：<正>随着具身智能机器人技术迅速发展,作为环境感知与交互的关键媒介,类皮肤压力传感器的重要性日益显现,其性能决定了机器人的触觉灵敏度和操作精确度。传统器件普遍面临灵敏度不足和迟滞性高等瓶颈。单壁碳纳米管材料因其本征高机械强度、高导电性和溶液法大规模制备等独特优势,可实现优异的应变电学响应,为开发高性能本征柔性压力传感器提供了全新思路

双频双辐射的圆柱状共形天线————作者：许丽洁;黄梦谣;梁铭钰;刘强;奚鸿杰;

摘要：设计了一款双频双辐射模式的圆柱状共形天线，天线由辐射片和金属铜柱构成，整体尺寸为11.2 mm×6.7 mm。圆柱状共形天线主要工作在1.4 GHz WMTS频段和2.45 GHz ISM频段，相应的辐射模式为全向性辐射和法向辐射，且分别用于数据遥测功能和无线供电功能。对所提出的天线进行了加工和测试，测试结果表明天线在1.4 GHz WMTS频段和2.45 GHz ISM频段分别获得了30.1%(...

一种电压-时间混合域流水线模数转换器设计————作者：张增一;石春琦;张润曦;

摘要：设计了一种100 MHz带宽、MASH 0-1-1结构的电压-时间混合域的流水线模数转换器（ADC）。提出了一种时间域MASH 1-1结构的时间-数字转换器（TDC），在保证时间域量化高转换速度（>1 GHz）的同时，通过噪声整形技术提升量化精度。此外，改进了传统电流受限反相器型电压-时间转换器（CSI VTC），通过引入额外的放电通路消除系统三次非线性，使其无杂散动态范围（SFDR）提升7...

一种8位125 MSPS的低功耗流水线模数转换器————作者：陈兴国;张翼;张明;刘海涛;

摘要：基于0.18μm CMOS工艺设计了一种8位125MSPS的流水线模数转换器（Analog-to-digital converter,ADC）。该电路采用采样保持电路作为ADC前端采样网络，使用改良后的栅压自举开关来提高输入采样线性度。ADC测试结果表明：在3 V电压下，采样率为125 MSPS，输入信号频率为41 MHz时，信噪比为48.71 dB，信噪失真比为48.51 dB，无杂散动态范围为...

InGaAs复合沟道InP HEMT材料结构设计及外延生长研究————作者：马奔;于海龙;王伟;沈逸凡;孔龙;李忠辉;

摘要：采用固态源分子束外延系统（Solid-source molecular beam epitaxy, SSMBE），研究InP高电子迁移率晶体管（High electron mobility transistor, HEMT）材料的结构设计及外延生长技术。通过研究不同沟道层和势垒层的生长温度以及Si δ掺杂条件对InP HEMT沟道二维电子气迁移率和面浓度的影响，得到最优的生长条件。此外，设计In<...

高浓度钪掺杂氮化铝压电薄膜制备研究————作者：徐涛;王雷;李小龙;张笑天;郁元卫;姜理利;黄旼;

摘要：采用铝-钪双靶反应磁控溅射技术制备出30%浓度钪（Sc）掺杂的高质量氮化铝（AlN）压电薄膜。分析了溅射功率和气体流量对应力的影响，实现在-250～200 MPa范围内应力可调。面内应力分布均匀，平均应力为6.49 MPa时，面内应力变化值和标准偏差分别为61.72 MPa和13.46 MPa。结合离子束刻蚀技术，膜厚均匀性可由0.77%减小至0.09%，膜厚标准偏差为0.4 nm。研究高温退火对...

硅晶体辅助进电氧化镓晶圆浸液放电切割技术研究————作者：李晖;杨继沼;王英民;高飞;张弛;张贻淼;邱明波;

摘要：提出了一种硅晶体辅助进电的氧化镓晶圆浸液放电切割方法，以解决金刚石线锯切割导致的破碎、开裂及加工精度不足问题。搭建了浸液放电切割试验系统，针对传统伺服控制失效导致的切割轨迹闭合问题，通过放电特性分析，开发了基于放电概率检测的闭环伺服控制系统，实现了氧化镓晶圆的精密加工控制。创新性地提出了硅晶体辅助电极切割方法，解决了机械装夹易引发的晶片碎裂问题，并通过对比碳纤维板等材料的放电特性，证实硅晶体辅助电...

压力传感器用金属外壳封接孔结构优化及耐压能力提升的研究————作者：冯东;霍静宇;张玉君;杨磊;陈华三;

摘要：为解决绝缘体上硅（Silicon-on-insulator, SOI）压阻式压力传感器加压过程密封失效的问题，提升压阻式压力传感器量程范围，进行了提升压力传感器耐压能力的相关研究。本文仅从金属外壳封接孔结构优化设计出发，开展小孔径直通封接孔、2种台阶状封接孔的金属与玻璃界面剪切应力计算、应力仿真、压力测试，发现台阶状封接孔结构对提高压力传感器密封腔内耐压能力的效果最佳

基于CNNs技术的MCM互连可靠性研究————作者：张博昊;林倩;邬海峰;

摘要：鉴于有限元分析（Finite element analysis, FEA）耗时和耗资源的缺点和日益复杂的电路规模，为了加速电路的互连可靠性分析，以多芯片模块（Multi-chip module, MCM）为例，结合FEA和卷积神经网络（Convolutional neural network, CNN）技术对其互连可靠性进行研究。通过训练FEA所得预测数据，CNN技术可以快速构建该模型的输入输出非...

顶层厚金属钝化层损伤之制程优化方法研究————作者：刘张李;刘清;

摘要：针对COMS晶圆目检中发现的顶层厚金属钝化层损伤问题，通过SEM进行失效分析，给出顶层厚金属表面损伤形成机理，定位为稀疏顶层厚金属钝化层顶部光刻胶厚度不够，导致刻蚀工艺过程中在钝化层表面造成损伤。通过设计版图测试结构，确定了避免稀疏顶层厚金属造成损伤的最小宽度；通过钝化层工艺优化，在钝化层沉积薄膜后，增加化学机械抛光工艺，降低钝化层光刻工艺时的台阶差，提高了稀疏顶层厚金属钝化层顶部光刻胶附着能力，...

一种抗噪声、高精度及瞬态增强的LDO电路设计————作者：罗旸;胡春凤;曹正州;陶俊;张艳飞;耿杨;

摘要：为了给现场可编程门阵列（Field programmable gate array, FPGA）等高性能芯片提供精确、稳定且快速负载电流变化的电压源，提出了一种抗噪声、高精度及瞬态增强的低压差线性稳压器（Low-dropout regulators,LDO）电路。通过设计基于测试结果的修调电路和精确低通滤波器，为该LDO提供了高精度且抗噪声的基准电压。通过设计瞬态检测与增强电路可以快速地对负载电流...

NiB化镀体系下HTCC外壳防止镀层剥落的工艺研究————作者：李傲奇;徐大伟;邵金涛;莫仲;谢新根;

摘要：针对化学镀NiB的外壳在压焊金丝电镀金后，挑丝易出现镀层剥落，露出金属化W层的问题，本文对发生挑丝后镀层剥落的失效外壳进行分析，基于镀层成分、结构、组织形貌等探究镀层剥落的机理。分析发现镀层剥落与NiB镀层的厚度以及钎焊后焊料刻蚀的时间相关，当NiB镀层厚度不足时，刻蚀溶液会侵蚀镀层底部的金属化W层，导致金属化W层缺失及金属化W层与NiB镀层的结合力下降。在NiB化学镀层厚度1.5～2.0μm、刻...

基于少数载流子寿命控制技术的增强型β-Ga₂O₃VDMOS器件的单粒子烧毁效应研究————作者：王韬;陈加伟;段鑫沛;张黎莉;董磊;殷亚楠;周昕杰;

摘要：探究了具有电流阻挡层（Current blocking layer,CBL）的增强型β-Ga₂O₃ VDMOS器件的单粒子烧毁（Single-event burnout,SEB）机制及其抗辐射加固方法。通过TCAD仿真分析，揭示了SEB关键物理机制：重离子轰击导致沟道?源极连接区域产生空穴累积，并通过碰撞电离过程不断生成额外空穴，最终引发局部热失效和器件...

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