【杂志简介】
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成果展示、转化和技术交流的平台。
【收录情况】
国家新闻出版总署收录 获奖情况
2002-2003和2003-2004年度,均获信息产业部电子科技期刊编辑质量优秀奖
2005-2006年度获信息产业部电子科技期刊学术技术水平优秀奖
中国学术期刊执行(光盘版)检索与评价数据规范优秀期刊
2007-2008年度又荣获工业和信息化部电子科技期刊学术技术水平优秀奖。
俄罗斯《AJ》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
美国《剑桥科学文摘》收录
【栏目设置】
主要栏目:专家论谈、纳米器件与技术、纳米材料与纳料结构、MEMS器件与技术、显微、测量、微细加工技术与设备、企业与人物追踪、业界快讯等。
杂志优秀目录参考:
1 Ⅲ-Ⅴ多结太阳电池隧道结模型的研究进展 陈帅;杨瑞霞;吴亚美; 545-553
2 PMMA栅绝缘层表面形貌对并五苯OTFT性能的影响 李雪飞;王伟;王帅;石晓东; 554-558+580
3 金纳米棒复合结构中的双重法诺共振效应 齐信;黄运欢;薛保平; 559-564
4 组合式MEMS三维矢量水声传感器 郭楠;张国军;刘梦然;简泽明;张文栋; 565-569+596
5 基于PNP模型微通道内幂律流体电渗流数值模拟 申力;李鸣;杨大勇; 570-575
6 基于流动聚焦结构的微液滴形成机理 杨丽;周围;王学浩;程景萌;王媛媛;张思祥; 576-580
7 一种高温压阻式压力传感器的制备与倒装焊接 李丹丹;梁庭;姚宗;李赛男;熊继军; 581-585
8 基于小波包络提取法的白光干涉测量系统 简黎;雷李华;李东升;孙晓光;蔡潇雨;李源; 586-591+610
9 碱性铜精抛液中活性剂对平坦化效果的影响 贾少华;刘玉岭;王辰伟;闫辰奇; 592-596
10 UV-LIGA技术制备频率选择表面的研究 林彬彬;陈迪;林树靖;谢耀;袁涛;崔大祥; 597-602
11 阻挡层CMP中螯合剂FA/OII对抛光效果的影响(英文) 荣颖佳;王胜利;刘玉岭;王辰伟;高娇娇;张文倩; 603-610
12 第11届国际专用集成电路会议第一次征稿通知 611-612
通信技术杂志投稿:信息技术在体育教学中的应用
摘 要:随着科学技术的迅猛发展,信息技术越来越广泛地应用于各个领域,怎样把信息技术与体育课程有效整合,达到课堂教学效果的最优化是每位体育教师所面临的课题。本文结合自身的实践,做了有益的尝试。
关键词:通信技术杂志,信息技术, 体育
在新课标下,如何做到将信息技术合理应用到体育教学中,激发学生兴趣,开发教学资源,优化教学过程呢?笔者结合个人教学实际,谈谈自己的看法。
微纳电子技术最新期刊目录
GaN基Micro-LED芯片的电-热短路效应研究————作者:王伟;张腾飞;李红旭;
摘要:研究了Ga N基蓝光微型发光二极管(micro-LED)芯片在电流应力作用下的光电退化机制及其电-热耦合短路效应,揭示了micro-LED芯片独特的突发性短路失效机理。实验结果表明,施加2 h电流应力后,芯片发光强度衰减至初始值的约43%,反向漏电流显著增大,且在-10 V偏压下的超低频噪声功率谱密度增幅达4个数量级,证实缺陷态密度增加是导致光电特性退化的主要因素。此外,热成像分析显示,应力时间延...
一种基于忆阻器调谐频率的低功耗振荡器————作者:梁天航;陈旭;陈义豪;王琦;李志刚;陈刚;鲁华祥;
摘要:随着无线传感器朝着微型化和低功耗方向不断发展,传统片上时钟源在频率调节范围、功耗和面积上面临显著技术瓶颈。为此提出了一种新型硅基时钟源设计,主要工作包括:设计了一种新型忆阻器读出电路,能将阻值可调区间有效转化成频率调谐范围;基于该电路与晶闸管构建低功耗振荡器,并提出了频率校准方法,降低温度系数对输出频率的影响;基于180 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺完成了电路和版图设计。结果表明,振荡...
基于非接触式摩擦纳米发电机的步态识别方法————作者:顾梦辰;张静怡;曹自平;
摘要:设计了一种基于非接触式摩擦纳米发电机(NC-TENG)的步态识别系统,旨在通过捕捉人体运动中的机械能实现精准的步态分析与分类。实验表明,该传感器的感应电压与运动速度、加速度以及角度均呈现良好的线性关系。当运动角度设定为200°时,输出电压达到峰值为0.75 V;在运动速度从90°/s提升至180°/s时,峰值电压从0.475 V显著提升至1.49 V,验证了NC-TENG用于步态信息采集的可行性。...
高性能横向轴硅微陀螺仪研究————作者:张志勇;杨拥军;任臣;
摘要:设计并制备了一种高性能横向轴硅微陀螺仪。阐述了横向轴硅微陀螺仪的研究现状及性能较差的原因。在此基础上,采用全封闭式驱动框架结构和四质量块全差分电容检测结构对陀螺仪敏感结构进行了优化,通过抑制正交误差、提高驱动能力、提升检测灵敏度、提高工作模态频率并隔离干扰模态频率,显著提升了陀螺仪的整体性能和环境适应性。采用表面硅微机械加工技术完成了陀螺仪芯片加工,利用无引脚芯片载体(LCC)实现了陀螺仪的气密封...
化学机械抛光工艺对磷化铟单晶片去除速率的影响————作者:李晓岚;高渊;闫小兵;徐成彦;王阳;王书杰;孙聂枫;
摘要:磷化铟(InP)单晶片的化学机械抛光(CMP)是影响后续晶片外延生长或键合的关键工艺,而抛光去除速率既影响晶片平整度及表面质量,又在生产效率方面有着重要影响。通过对InP单晶片双面化学机械抛光的机理分析,研究了抛光液pH值、抛光压力及转速对InP单晶片去除速率的影响,分析了抛光压力对InP晶片表面粗糙度的影响,以及转速对InP晶片平整度的影响。确定了粗抛及精抛抛光液组分、pH值,优化了双抛压力及上...
偏置电场调控卤化物钙钛矿纳米线中的离子迁移————作者:何潮;范陶源;杨一鸣;
摘要:金属卤化物钙钛矿凭借其独特的软晶格结构,表现出显著的离子迁移特性。通过合理施加预偏置电场和光场,可有效调控离子的再分布,进而形成内建电场和局部电学掺杂,从而改变材料的电学性能。采用溶液法合成MAPbBr3纳米线,并通过热蒸发法沉积金电极,构建横向金属-半导体-金属器件。施加适当的偏置电压可诱导局部内建电场,使器件的暗电流降低约50%,同时短暂增强光电流。此外,不同的外部极化电...
基于光纤基底的金纳米岛-量子点定向随机激光器————作者:许浩飞;张健;
摘要:微型化定向光源在集成光子学领域备受关注,随机激光器因其无谐振腔约束的特性,使其在开发低相干多色光源领域显示出独特优势。但传统随机激光体系的发射光束通常因光子无序散射导致发散严重,使其难以适配光纤传感等需精准导光的应用场景。本文提出了一种制备方法简单、成本低、稳定性高的光纤集成金纳米岛-量子点结构的定向随机激光器设计方案。通过优化金属薄膜厚度和退火工艺,在光纤侧面构建了稳定的金纳米岛并实现了黄色随机...
直书写3D打印应变传感器初始电阻控制方法————作者:王千宇;张鑫;于培师;赵军华;
摘要:针对直书写打印应变传感器初始电阻难以控制的问题,提出了一种可以控制传感阵列中不同传感单元初始电阻的策略。实验发现,通过改变固化参数可以控制碳浆的电阻率,固化温度在60℃及以上时,碳浆电阻率随固化时间增加而降低,固化一定时间后电阻率达到稳定。固化时间相同时,电阻率会随固化温度的增加而显著降低,从0.11Ω·cm下降至0.012Ω·cm。这个规律产生的原因是,不同的固化温度导致碳浆材料中石墨颗粒形成的...
低碳含量氧化钇薄膜的原子层沉积研究————作者:张新强;丁玉强;
摘要:碳杂质含量过高是原子层沉积(ALD)氧化钇薄膜领域中的一个关键技术难题。设计合成了钇配合物Y(tmod)3(tmod=2,2,6,6-四甲基-3,5-辛二酮),热重(TG)分析和差示扫描量热(DSC)测试结果表明,含有不对称配体的Y(tmod)3前驱体表现出比已报道的Y(tmhd)3(tmhd=2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮...
双面化学机械抛光工艺中抛光垫修整效果影响因素分析————作者:陆曙光;刘奕然;曹军;
摘要:在双面化学机械抛光过程中,抛光液中的磨粒和被去除的材料碎屑会不断积累,可能导致抛光垫表面微孔堵塞,需要对其进行修整。为了探究双面化学机械抛光工艺中影响抛光垫修整效果的因素,建立了修整器相对于抛光垫运动的数学模型,以修整范围和修整器磨粒在抛光垫上轨迹的均匀程度作为评价标准,研究了修整器磨粒位置对修整效果的影响,发现磨粒距离修整器中心越远,修整到的抛光垫范围越大,修整效果越好。当修整器相对于抛光垫的自...
OBIRCH及纳米探针电测试方法联合分析FPGA功能失效————作者:李航;康海容;刘燚;邱钧华;陈柳明;
摘要:特种现场可编程门阵列(FPGA)芯片的可靠性及高品质保证了其在严酷的应用环境中能稳定运行,而失效分析研究对产品的迭代升级,保证芯片的可靠性及高质量具有关键的作用。聚焦于大规模FPGA芯片中位流回读功能失效的案例,从测试和仿真分析出发,配合可聚焦离子束方法撷取信号观测,明确了失效芯片的失效模式为漏电。采用光束感生电阻变化(OBIRCH)测试确认了芯片晶体管级的失效节点,并配合纳米探针电测试方法,成功...
E波段高效率GaN功率放大器MMIC————作者:廖龙忠;何美林;毕胜赢;梅崇余;周国;付兴中;
摘要:研制了一款E波段高效率GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。通过优化器件结构、GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料结构,采用电子束T型栅工艺,制备了栅长0.1μm的4×25μm GaN HEMT。测试结果表明,该器件最大饱和电流密度为1.2 A/mm,峰值跨导为540 mS/mm,小信号下测试截止频率fT和最大振荡频率fmax分别为110 G...
用于植入式微型MEMS压力传感器的Parylene复合涂层封装————作者:张鹏坤;赵永梅;尹兴业;赵晓阳;董昭润;王晓东;
摘要:用于血压监测的微型微机电系统(MEMS)压力传感器依赖可靠的封装来实现更准确的实时监测。Parylene涂层凭借其生物相容性和低渗透性,成为封装的理想选择之一,然而较差的附着力限制了其应用。提出了一种增强附着力的Parylene复合涂层封装方案,提升了传感器的精度和热稳定性。通过比较不同Parylene涂层的附着力和薄膜应力,以及评估在常温(25℃)和人体温度范围(34~42℃)下不同涂层封装的传...
柔性材料气体电离式传感器SF6特征分解产物响应特性————作者:赵亮;田兵;吕前程;骆柏锋;贾雪菲;朱程鹏;张勇;
摘要:六氟化硫(SF6)是一种广泛应用于电力设备中的绝缘和灭弧介质气体。在SF6设备运行期间,通过监测和检测设备内部的气体,能够及早发现设备的故障和异常。现有的检测技术存在气体选择性差、响应时间过长、检测步骤繁琐等缺点。为解决这些问题,设计了一种电离式气体传感器,采用微机电系统(MEMS)工艺制备,并使用柔性材料制造了微米柱结构。通过仿真分析了两种激励方式下传...
铁电四方相BiFeO3单晶薄膜与Si异构集成研究————作者:李博;尹志岗;吴金良;张兴旺;
摘要:通过射频溅射技术,在a面ZnO衬底上成功外延生长了亚稳四方相BiFeO3薄膜。四方相BiFeO3薄膜具有(001)取向,其与ZnO间的外延匹配关系为:BiFeO3(001)‖ZnO(■),BiFeO3[110]‖ZnO[■]和BiFeO3[■]‖ZnO[0001]。建立了基于ZnO牺牲层的...
基于SOI-MEMS工艺的新型电容式三轴MEMS加速度计————作者:钟恺韬;韩国威;赵永梅;宁瑾;
摘要:设计了一种新型的电容式三轴微机电系统(MEMS)加速度计,该加速度计使用单器件内分立三个质量块方案实现三轴检测。提出了该加速度计基本构型与创新设计的弹簧梁结构,并在结构中加入自检测与限位防撞结构。通过仿真软件对所设计器件的谐振频率与电容灵敏度等进行仿真。仿真结果表明该加速度计可实现三轴检测且具有较高的灵敏度。创新设计的梁结构可有效隔绝77%的位移扰动,驱动结构可实现自检测功能,限位防撞装置可确保器...
InP基多结激光电池中隧道结研究————作者:付建鑫;孙玉润;于淑珍;董建荣;
摘要:激光传能系统中的激光电池(LPC)可将激光能量转换为电能。采用垂直堆叠的多结结构,通过隧道结连接各子电池可提高激光电池的输出电压。聚焦于InP基多结LPC中隧道结对器件输出特性的影响,通过对比试验,设计制备了采用InGaAs/InP和InAlAs/InP两种隧道结的LPC,并研究了不同入射光功率和温度条件下LPC的I-V特性。研究结果表明,当局部光生电流密度超过隧道结峰值隧穿电流密度时,InGaA...
面向高分辨率导电互连结构制备的熔融合金电流体喷印工艺————作者:汪方杰;潘艳桥;付爽;杨翊;张峰;
摘要:多层/立体电路是高性能微电子器件、可穿戴电子设备等的核心基础单元,如何高效稳定制备高分辨率导电互连结构是制备的关键。传统的硅通孔互连、引线键合技术难以简单快速、低成本制备高分辨率的柔性多层导电互连结构。为满足该类电子器件导电互连、小尺寸、快速制备的需求,提出了熔融合金电流体喷印工艺打印制备高分辨率导线和导电互连结构的方法。阐述了该工艺方法的基本原理和工艺验证过程,自主设计了一种新型喷头装置进行实验...
“高可靠陶瓷封装技术”专题前言
摘要:<正>陶瓷封装作为承载半导体、各类电子元件及其集成模块的关键包封体,不仅是电子元器件与模块的“保护外壳”,更承担着提供机械支撑、密封防护、散热通道及电磁屏蔽等多重核心功能。作为衔接芯片与电路系统的重要界面,高可靠陶瓷封装不仅是沟通芯片与组件、乃至整机系统的桥梁,更是器件与电路的有机组成部分。陶瓷封装在电子电路系统中占据着大部分的质量和体积,较高的成本,且相当比例的可靠性问题与封装环节直...
“高可靠陶瓷封装技术”专题组稿专家
摘要:<正>高岭 研究员,中电国基北方副总经理,1995年毕业于武汉理工大学,获得自动控制专业学士学位,主持和参与了多项国家课题,申请多项专利,在不同刊物发表学术论文10余篇,参与翻译《微电子封装手册》和《陶瓷多层布线基板-VLSI封装/多芯片组件基板技术》等书籍,《电子与封装》编委,获得省部级科学技术进步奖10余项
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