【杂志简介】
《半导体技术》以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极的作用。"向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场，提供技术成果展示、转化和技术交流的平台，达到了促进我国半导体技术不断发展的目的"是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。趋势与展望：全面阐述半导体技术与应用的发展趋势;专题报道：每期就设计、生产、应用等企业关注的热门技术及焦点论题，进行有深度、广度的全面剖析;器件制造与应用：半导体器件的设计和制造及在各种领域中的应用;工艺技术与材料：介绍最新的半导体技术制作工艺和该领域用的新材料;集成电路设计与开发：各种IC的设计和应用技术、设计工具及发展动向;封装、测试与设备：介绍器件、芯片、电路的测试、设备和封装的前沿技术;MEMS技术：现代管理：半导体代工厂、洁净厂房、半导体用水及气体、化学品，等管理技术;综合新闻：及时发布世界各地半导体最新产品及技术信息。《半导体技术》的稿件来源于全国各主要研究机构、大专院校和企事业单位等。
【收录情况】
国家新闻出版总署收录
中文核心期刊
中国科技论文统计用刊
国外数据库收录：俄罗斯文摘杂志、美国化学文摘、英国物理学、电技术、计算机及控制信息社数据库
【栏目设置】
栏目主要设有： 1中国半导体发展趋势论坛(综述)：诚邀《半导体技术》的专家顾问发表精辟观点和看法;政府主管部门领导提出政策投资建议。 芯片生产工艺技术：力求突出芯片制造新工艺、前道工序流程主流技术等。 IC封装及测试：国外先进封装技术如微间距打线技术;BGA; 叠合式/三维封装;Quad 封装等。以及IC测试、系统级测试等。新材料新设备：对半导体支撑材料如纳米材料、环氧膜塑料、硅材料、低介电常数材料、化合物等及8-12英寸制造设备、后工序设备、试验设备等加以阐述。全国集成电路产业介绍：图文并茂的介绍中国集成电路产业发展较快的地方和基地情况，以利各方参考。企业：(采访追明星踪)针对国内外半导体行业的主流企业进行针对性访问和系统介绍。为供需双方提供具有参考价值的范本。新品之窗：对半导体设计与材料设备的新产品予以相关介绍和推荐设计与应用 ：嵌入式系统、PLD/FPGA设计;通信、网络技术、DSP和多媒体应用;电源器件、数字/模拟IC、消费类/工业类电子器件等应用技术业界动态：综合报道世界半导体行业最新动态会议报道：专门报道行业相关会议，传达精神，指导工作。
杂志优秀目录参考：
1 西门子解决方案合作伙伴计划 637
2 硅基自旋注入研究进展 卢启海;黄蓉;郑礴;李俊;韩根亮;闫鹏勋;李成; 641-646+683
3 12 bit 200 MS/s时间交织流水线A/D转换器的设计 杨阳;张科峰;任志雄;刘览琦; 647-652+662
4 低频低功耗无源RFID模拟前端设计与分析 林长龙;孙欣茁;郭振义;李国峰;梁科;王锦; 653-657
5 一种高频E类功率放大器设计方法 刘超;陈钟荣; 658-662
6 GaAs场效应晶体管不同极性ESD损伤机理 林丽艳;李用兵; 663-666
7 pH值对低磨料碱性铜抛光液稳定性的影响 秦然;刘玉岭;王辰伟;闫辰奇;武鹏;王娟; 667-670+710
8 高浓度臭氧超净水制备及在硅片清洗中的应用 白敏菂; 671-674+691
9 Ar/CO/NH_3等离子体刻蚀多种磁性金属叠层 刘上贤;汪明刚;夏洋; 675-678+717
10 WS_2量子点边缘结构和形貌的第一性原理计算 沈涛;梁培;陈欣平;历强; 679-683
11 TSV封装通孔形态参数对焊点热疲劳寿命的影响 张翼;薛齐文;刘旭东; 684-691
12 FeNi合金UBM圆片级封装焊点剪切力研究 奚嘉;陈妙;肖斐;龙欣江;张黎;赖志明; 692-698
13 点燃产业创新之火,IC China推动FPGA产业发展 698
14 基于可控电流源的太阳电池模型参数测试方法 张渊博;韩培德;卓国文; 699-705
15 用于监测硅片应力的红外光弹仪 兰天宝;潘晓旭;苏飞; 706-710
16 HTCC工艺通用自动上下料系统设计与实现 张超;郑宏宇;李阳; 711-717
17 第一次征稿通知 第11届国际专用集成电路会议 718-719
18 2015’全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会会议通知 720
摘 要 随着科学技术的不断完善和发展，控制工程与控制理论也得到了不断的完善，控制理论和控制工程被广泛应用于各大企业系统生产中。在本篇文章里，笔者在控制工程与控制理论的基础知识理论上，对控制工程与控制理论的相关历史发展阶段进行研究，并且分析了控制理论和控制工程的应用，以期望能够为控制系统的发展以及相关研究提供有用的参考依据。
关键词 控制理论和控制工程,发展,应用
控制理论虽然起源于英国18世纪的技术革命时期，但是却在二十一世纪被广泛应用。随着社会经济的不断发展，控制理论和控制工程被广泛的应用于相关工程企业当中。在本篇文章里，笔者不仅分析了控制理论和控制工程的发展，还探索了控制理论和控制工程的应用前景。
半导体技术最新期刊目录
基于改进YOLOv12n的高效PCB表面缺陷检测模型
摘要：针对印刷电路板（PCB）表面缺陷检测中微小目标特征模糊与多尺度缺陷共存的问题，基于YOLOv12n提出一种改进的高效PCB表面缺陷检测模型CSC-YOLOv12n。为提升模型对多尺度及微小缺陷的表征能力，设计融合多分支结构与结构重参数化技术的CReToNeXt模块；引入无参数注意力机制SimAM，通过3D权重分配精准聚焦缺陷区域并抑制背景干扰；采用内容感知特征重组（CARAFE）上采样算子动态生成...
金属-石英复合喷嘴电喷印柔性基底有机半导体微米线
摘要：针对柔性基底上电流体动力学（EHD）喷射打印易受残余电荷影响而失稳的问题，提出一种金属-石英复合喷嘴EHD喷射打印方法，实现聚合物半导体均匀微米线的高分辨率图案化制备。复合喷嘴通过轴向分段结构降低了残余电荷积累趋势。为阐明其作用机制，建立电场-两相流耦合模型，对喷嘴的射流演化及电荷密度分布进行对比分析。结果表明，复合喷嘴可减弱喷嘴出口及基底邻近区域的电荷集中程度，提高锥喷射稳定性。在柔性基底上制备...
溶液法生长SiC单晶的研究进展
摘要：SiC是一种重要的宽带隙半导体，与物理气相传输(PVT)法相比，顶部籽晶溶液生长(TSSG)是一种具有良好前景的高品质SiC单晶生长方法。系统阐述了溶液法生长SiC单晶的研究进展。在热力学方面，分析了不同助溶剂元素对碳的溶解度、固液界面形貌及生长速率的影响；在缺陷控制方面，讨论了寄生反应及夹杂物的形成机制，分析了生长条件等因素对界面稳定性的影响，并研究了坩埚直径、籽晶及坩埚转速、热场结构、磁场等对...
SiC外延片组合式超洁净清洗工艺
摘要：针对SiC外延片表面超洁净清洗需求，提出了一种槽式与单片组合式超洁净清洗工艺。对比了单台槽式、单台单片、双台槽式、反序双台槽式及组合式工艺5种清洗方案，结果表明：传统单台槽式工艺存在交叉污染问题，清洗良率仅为84.98%;双台槽式工艺虽将良率提高至93.95%,但在污染物深度去除方面仍有局限；组合式工艺充分发挥槽式清洗的广谱性与单片清洗的精密性优势，在实现97.08%最高平均清洗良率的同时，将关键...
基于HTCC技术的高隔离度CQFN外壳设计
摘要：随着器件向小型化、高集成度发展，陶瓷四边无引线扁平(CQFN)外壳端口间的隔离度问题日益凸显。基于氧化铝高温共烧陶瓷(HTCC)技术，设计了一款具有增强屏蔽结构的CQFN36外壳。分析了端口间距、屏蔽结构、腔体谐振3个关键因素对隔离度的影响，并通过仿真验证了模型与理论分析的一致性，开展了实物对比测试。测试结果表明，增大有效端口间距、采用密集地孔可显著提高隔离度，增加吸波片可抑制封口后的腔体谐振；在...
基于RFO-UPF方法的IGBT剩余使用寿命预测
摘要：为提高绝缘栅双极型晶体管（IGBT）剩余使用寿命（RUL）预测精度与在线计算效率，提出一种融合吕佩尔狐优化（RFO）算法与无迹卡尔曼粒子滤波（UPF）的IGBT RUL预测方法RFO-UPF。该方法以IGBT导通压降VCE（on）作为退化特征量，在贝叶斯递推框架下构建器件退化状态空间模型，并基于RFO算法的“侦察-包围-突袭”自适应寻优机制对UPF的关键超参数进行整定。基于美...
高功率密度功率模块液冷散热技术的研究进展
摘要：新能源汽车与宽禁带半导体技术的快速发展推动了功率模块向高频、高功率密度演进，由此引发的极高热流密度与局部热不均问题成为制约模块可靠性与寿命的核心瓶颈。为此，剖析了功率模块多层封装结构的热响应机理，并评估了传统液冷技术在应对界面热阻与热场非均匀性的局限性。在此基础上，重点探讨了微通道冷却技术。基于微尺度换热机理，系统对比与评述了单相歧管微通道（MMC）与两相流动沸腾冷却技术在消除接触热阻、降低沿程温...
基于编程反馈的eFuse IP设计
摘要：针对传统电可编程熔丝（eFuse）固定时间编程方式易导致欠烧或过烧的问题，提出了一种基于编程反馈的eFuse IP设计方案，通过实时监测熔丝状态实现编程过程的自适应终止。该设计在0.18 μm CMOS工艺的eFuse IP架构中，引入实时状态监测与反馈控制电路，通过监测熔丝电学状态变化，在满足预设阈值条件时自动关断编程通路。仿真结果表明，反馈机制可在eFuse熔断后及时切断编程电流，避免了传统开...
QST衬底AlN/GaN超晶格缓冲层循环数对GaN外延层生长的影响
摘要：为优化厚GaN外延的缓冲层结构设计，系统研究了AlN/GaN超晶格缓冲层循环数对Qromis衬底技术（QST）衬底上GaN外延层性能的影响规律与内在机理。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）法在6英寸（1英寸=2.54 cm）QST衬底上生长了高晶体质量GaN外延层（12 μm），研究了QST衬底上AlN/GaN超晶格缓冲层循环数（5、12、15）对GaN外延层生长的影响。结果表明，GaN晶体质...
基于改进组合热敏感电参数的IGBT神经网络结温预测模型
摘要：结温(θj)的精确提取和预测对评估绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的动态性能及剩余寿命具有至关重要的意义。然而，广泛应用于IGBT结温预测的典型组合热敏感电参数（TSEP），诸如导通压降(VCEon)和集电极电流(Ic)，与θj呈现复杂非线性特征，导致结温预测模型效果不佳。提出了一种新型动态TSEP，即V 哌嗪衍生物界面修饰提升钙钛矿太阳能电池的性能 摘要：针对钙钛矿太阳能电池（PSC）的界面缺陷问题，界面修饰是优化器件性能的关键手段。为提升PSC的光伏性能与长期稳定性，选取1-苯基哌嗪盐酸盐（1-Ben）作为钝化材料，通过旋涂工艺将其引入钙钛矿层顶部以构建界面修饰层，并研究其对n-i-p结构PSC性能的影响。结合原子力显微镜、荧光光谱及紫外光电子能谱等表征手段，对界面修饰的作用机制进行了分析。借助1-Ben的界面修饰作用，钙钛矿薄膜的表面缺陷得以修... 一种基于I/O复用技术电压校准的温度传感器 摘要：针对高精度温度传感器传统热校准技术依赖温箱、效率低的问题，设计了一款基于I/O引脚复用技术实现电压校准的温度传感器。该温度传感器采用I/O复用技术，在不引入额外测试引脚的情况下向片外电压表输出2个三极管的基极-发射极电压差ΔVBE，通过ΔVBE与温度的相关性，无需参考铂电阻测温，间接获得校准点的参考温度TREF。根据此参考温度对芯片... 基于电压比较器的ILV测试与故障检测方法 摘要：单片三维集成电路（M3D-IC）中的层间通孔（ILV）因工艺不成熟及层间介电层（ILD）减薄，层间极易发生故障。为有效检测出ILV故障，针对ILV布局的二维分布特性，提出一种基于分压检测的分组检测方法。该方法将ILV构建为逻辑行列形式，通过电压比较器对行列分组并行测试，以提高检测效率；此外，通过设置控制信号实现ILV电阻性开路、泄漏故障和桥接故障检测定位。Hspice仿真结果表明，在45 nm工艺... 基于LIDE的TGV-RDL复合结构一步成型工艺 摘要：针对玻璃转接板中玻璃通孔（TGV）与再布线层（RDL）分步加工工艺复杂、界面冗余度高、制备成本高的问题，提出了一种基于激光诱导深度刻蚀（LIDE）的TGV-RDL复合结构一步成型制备工艺。该工艺通过激光编程改性结合湿法腐蚀，同步形成深孔、浅槽及其3D互连结构；随后经优化脉冲电镀实现铜的无缺陷超填充，从而摒弃了传统多步工艺中反复迭代的光刻、电镀与平坦化循环。以500 μm厚度的玻璃为基板，成功制备出... 弹性压接型IGBT瞬态热阻抗曲线分离机理 摘要：研究了功率循环试验前后器件瞬态热阻抗(Zth)曲线分离且存在明显分离点现象的产生机理。搭建了功率循环试验平台，分析试验前后Zth曲线的累计结构函数，并采用扫描超声波显微镜（SAM）观察器件内部焊层的微观结构。结果表明，所有试样的Zth曲线均在0.005?～0.01 s内形成稳定的分离点，这主要源于焊层在热循环作用下的退化，使得功率循... 基于代理模型的毛细底部填充工艺参数多目标优化 摘要：为实现非接触式点胶毛细底部填充工艺的高效、精准控制，提出一种基于多目标优化算法的参数选取方法。基于计算流体力学（CFD）仿真建立包含点胶喷射过程与芯片周边区域的三维流动模型；通过最优拉丁超立方采样（OLHS）构建样本集，并利用Kriging代理模型构建输入参数与性能响应之间的非线性映射关系；应用非支配排序遗传算法II（NSGA-II）对填充时间、填充率与溢胶距离进行同步优化，获得Pareto前沿解... 面向高密度封装的基板边缘互连结构及其信号完整性 摘要：为满足高密度封装的可扩展性需求，提出了一种基板边缘互连结构，该结构在提升扩展能力的同时会引入阻抗失配与损耗等信号完整性问题。以常规传输链路为参照，对比分析了该结构在信号完整性、时域反射及眼图方面的性能。结果表明，该结构在眼高、眼宽等指标上略低于常规结构，但仍满足25 Gbit/s高速链路的信号完整性要求。为提高仿真效率，建立了等效简化模型，在效率提高97%的同时，其S参数与原始模型最大偏差仅为2 ... 基于BPINN的封装基板残余应变反演与翘曲预测模型 摘要：电子封装基板各层材料在加工过程中产生的残余应变是导致基板翘曲的关键影响因素，然而该残余应变难以准确测试。现有基板翘曲预测方法多采用整板残余应变进行建模，未考虑基板中每层残余应变的影响。基于此，推导了考虑基板各层材料残余应变影响的基板翘曲理论解，结合贝叶斯物理信息神经网络(BPINN)模型，通过基板翘曲实测结果反演符合物理规律的各层材料残余应变，并将其引入模型以实现基板翘曲的高精度预测。研究结果表明... 改进YOLOv4-tiny芯片表面缺陷检测算法及其硬件加速器实现 摘要：芯片表面缺陷具有类型多样、特征复杂等特点，但现有深度学习算法存在复杂度高、嵌入式部署实时性不足及资源消耗大等问题。为解决上述问题，提出了一种改进的YOLOv4-tiny芯片表面缺陷检测算法YOLOv4-chip,并基于ZYNQ异构平台完成了硬件加速器的设计与实现。在算法层面，采用轻量化的残差结构(RES-DP)以降低算法复杂度；引入高效通道注意力机制(ECA)以提高算法检测精度。在硬件层面，设计卷... 一种高速频率校准的宽带K波段频率合成器 摘要：为应对如今通信系统、雷达系统及测试仪器向更高频段、更宽带宽发展，满足快速跳频、低相位噪声和高集成度等应用需求，采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计了一款集成压控振荡器(VCO)的K波段频率合成器。该电路嵌入了VCO自动频率校准(AFC)算法，从7.2 GHz跳频至14.4 GHz约需35μs。由于高速N分频器没有预分频器，因此相较传统电路可减少杂散。该电路内部集成了低压差线性稳压器(L... 相关电子信息期刊推荐 核心期刊推荐
