半导体技术

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《半导体技术》 关注(): 期刊周期：月刊; 期刊级别：北大核心; 国内统一刊号：13-1109/TN; 国际标准刊号：1003-353X; 主办单位：中国半导体行业协会;半导体专业情报网;中国电子科技集团公司第十三所; 主管单位：信息产业部; 查看半导体技术近十年数据入口>>>; 上一本期杂志：《激光与红外》研究生论文; 下一本期杂志：《半导体光电》杂志编辑部

　　【杂志简介】

　　《半导体技术》以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极的作用。"向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场，提供技术成果展示、转化和技术交流的平台，达到了促进我国半导体技术不断发展的目的"是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。趋势与展望：全面阐述半导体技术与应用的发展趋势;专题报道：每期就设计、生产、应用等企业关注的热门技术及焦点论题，进行有深度、广度的全面剖析;器件制造与应用：半导体器件的设计和制造及在各种领域中的应用;工艺技术与材料：介绍最新的半导体技术制作工艺和该领域用的新材料;集成电路设计与开发：各种IC的设计和应用技术、设计工具及发展动向;封装、测试与设备：介绍器件、芯片、电路的测试、设备和封装的前沿技术;MEMS技术：现代管理：半导体代工厂、洁净厂房、半导体用水及气体、化学品，等管理技术;综合新闻：及时发布世界各地半导体最新产品及技术信息。《半导体技术》的稿件来源于全国各主要研究机构、大专院校和企事业单位等。

　　【收录情况】

　　国家新闻出版总署收录

　　中文核心期刊

　　中国科技论文统计用刊

　　国外数据库收录：俄罗斯文摘杂志、美国化学文摘、英国物理学、电技术、计算机及控制信息社数据库

　　【栏目设置】

　　栏目主要设有： 1中国半导体发展趋势论坛(综述)：诚邀《半导体技术》的专家顾问发表精辟观点和看法;政府主管部门领导提出政策投资建议。芯片生产工艺技术：力求突出芯片制造新工艺、前道工序流程主流技术等。 IC封装及测试：国外先进封装技术如微间距打线技术;BGA; 叠合式/三维封装;Quad 封装等。以及IC测试、系统级测试等。新材料新设备：对半导体支撑材料如纳米材料、环氧膜塑料、硅材料、低介电常数材料、化合物等及8-12英寸制造设备、后工序设备、试验设备等加以阐述。全国集成电路产业介绍：图文并茂的介绍中国集成电路产业发展较快的地方和基地情况，以利各方参考。企业：(采访追明星踪)针对国内外半导体行业的主流企业进行针对性访问和系统介绍。为供需双方提供具有参考价值的范本。新品之窗：对半导体设计与材料设备的新产品予以相关介绍和推荐设计与应用：嵌入式系统、PLD/FPGA设计;通信、网络技术、DSP和多媒体应用;电源器件、数字/模拟IC、消费类/工业类电子器件等应用技术业界动态：综合报道世界半导体行业最新动态会议报道：专门报道行业相关会议，传达精神，指导工作。

　　杂志优秀目录参考：

　　1 西门子解决方案合作伙伴计划 637

　　2 硅基自旋注入研究进展卢启海;黄蓉;郑礴;李俊;韩根亮;闫鹏勋;李成; 641-646+683

　　3 12 bit 200 MS/s时间交织流水线A/D转换器的设计杨阳;张科峰;任志雄;刘览琦; 647-652+662

　　4 低频低功耗无源RFID模拟前端设计与分析林长龙;孙欣茁;郭振义;李国峰;梁科;王锦; 653-657

　　5 一种高频E类功率放大器设计方法刘超;陈钟荣; 658-662

　　6 GaAs场效应晶体管不同极性ESD损伤机理林丽艳;李用兵; 663-666

　　7 pH值对低磨料碱性铜抛光液稳定性的影响秦然;刘玉岭;王辰伟;闫辰奇;武鹏;王娟; 667-670+710

　　8 高浓度臭氧超净水制备及在硅片清洗中的应用白敏菂; 671-674+691

　　9 Ar/CO/NH_3等离子体刻蚀多种磁性金属叠层刘上贤;汪明刚;夏洋; 675-678+717

　　10 WS_2量子点边缘结构和形貌的第一性原理计算沈涛;梁培;陈欣平;历强; 679-683

　　11 TSV封装通孔形态参数对焊点热疲劳寿命的影响张翼;薛齐文;刘旭东; 684-691

　　12 FeNi合金UBM圆片级封装焊点剪切力研究奚嘉;陈妙;肖斐;龙欣江;张黎;赖志明; 692-698

　　13 点燃产业创新之火,IC China推动FPGA产业发展 698

　　14 基于可控电流源的太阳电池模型参数测试方法张渊博;韩培德;卓国文; 699-705

　　15 用于监测硅片应力的红外光弹仪兰天宝;潘晓旭;苏飞; 706-710

　　16 HTCC工艺通用自动上下料系统设计与实现张超;郑宏宇;李阳; 711-717

　　17 第一次征稿通知第11届国际专用集成电路会议 718-719

　　18 2015’全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会会议通知 720

　　中国广播电视学刊投稿：控制理论和控制工程的发展与应用分析

　　摘要随着科学技术的不断完善和发展，控制工程与控制理论也得到了不断的完善，控制理论和控制工程被广泛应用于各大企业系统生产中。在本篇文章里，笔者在控制工程与控制理论的基础知识理论上，对控制工程与控制理论的相关历史发展阶段进行研究，并且分析了控制理论和控制工程的应用，以期望能够为控制系统的发展以及相关研究提供有用的参考依据。

　　关键词控制理论和控制工程,发展,应用

　　控制理论虽然起源于英国18世纪的技术革命时期，但是却在二十一世纪被广泛应用。随着社会经济的不断发展，控制理论和控制工程被广泛的应用于相关工程企业当中。在本篇文章里，笔者不仅分析了控制理论和控制工程的发展，还探索了控制理论和控制工程的应用前景。

　　半导体技术最新期刊目录

硅通孔互连结构热-机械可靠性研究进展————作者：董子萱;仓冬青;赵继聪;孙海燕;张凯虹;

摘要：高性能计算（HPC）和物联网等新兴领域的高速发展推动了封装技术的进步，对更高集成度和更小型化电子设备的需求日益旺盛。传统的2D封装技术在满足市场对芯片高性能和功能多样化方面显露出局限性，而2.5D封装作为一项补充技术，已成为提升芯片性能和集成度的重要解决方案之一。因此，硅通孔（TSV）作为2.5D封装中的核心组成部分，其互连结构的可靠性对2.5D封装的性能和寿命有直接影响。以TSV的制作工艺及其潜...

强韧一体性Cu/Sn/Ag致密三维网络状接头结构设计与制备————作者：张宏辉;徐红艳;张炜;刘璇;

摘要：为满足大功率电力电子器件耐高温、高可靠性芯片焊接需求，解决Cu/Sn/Ag体系瞬态液相扩散焊接（TLPS）接头脆性大、韧性不足、孔隙率高等问题，通过电镀高纯度Cu@Sn核壳结构复合粉末，物理气相沉积镀覆Ag层，研究了Sn镀层厚度对接头强度和孔隙率的影响、Ag镀层厚度对TLPS接头抗氧化性能和韧性的影响。结果表明，电镀Sn层厚度为2～3 μm时接头本体相孔隙率最低，抗拉强度达到86 MPa；Cu/S...

一种基于数字修调的高精度运算放大器————作者：张益翔;李文昌;阮为;贾晨强;张子欧;张天一;刘剑;

摘要：设计并实现了一款基于数字修调技术的高精度运算放大器，其整体电路包括偏置电路、放大器电路、数字修调电路以及静电放电（ESD）保护电路。放大器的输入差分对管工作在亚阈值区，偏置电流设计为正温度系数(PTAT)电流，使得放大器输入级具有恒跨导。提出了一种失调电压修调结构，通过共模检测模块判断产生失调的差分对管，并由熔丝阵列控制数模转换模块产生对应的补偿电流，实现对差分对管电流的精确补偿，并有效减小失调电...

柔性铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池研究进展————作者：花浩;孙孪鸿;赵宇;庞楚泷;

摘要：铜锌锡硫硒(Cu₂ZnSn（S，Se）₄，CZTSSe)具有组成元素丰富、环境友好和理论光电转换效率高等优点，是一种具有大规模应用潜力的新型光伏材料。相比刚性衬底，柔性CZTSSe薄膜太阳能电池具有质轻和可弯折的独特优势，在光伏建筑一体化、柔性可穿戴设备等领域有广阔的应用前景。从柔性衬底、残余应力、制备方法、掺杂、界面工程等方面对柔性CZTSSe薄膜太阳...

SiC MOS电容氧化层界面缺陷钝化效果分析方法————作者：胡灿博;刘俊哲;刘起蕊;尹志鹏;崔鹏飞;王德君;

摘要：SiC MOS器件的栅氧界面缺陷严重影响其性能。采用X射线光电子能谱（XPS）和二次离子质谱（SIMS）技术，识别了SiC MOS电容中的SiO_xC_y和C—C缺陷及其元素分布，并结合文献数据确定了这些缺陷的能级位置，同时计算了其相应的时间常数。研究表明，这些缺陷的形成与氧元素缺乏密切相关，氧原子或离子因具有较强的穿透性，可有效消除这些缺陷。为优化样品性能...

一种基于两步式SAR ADC架构的智能温度传感器————作者：曹亦栋;陈雷;初飞;李建成;张健;李全利;

摘要：针对高速接口芯片的局部结温监测问题，设计了一种基于两步式逐次逼近型模数转换器（SAR ADC）的片上智能温度传感器，该传感器可配合上位机实现对全芯片温度的实时监测，并输出数字温度码。电路对横向pnp三极管的基极-发射极电压进行采样，通过温度监测模块进行量化比较。电路采用了两步式SAR ADC进行10 bit数字温度码的转换输出，两步式SAR ADC通过调节电阻阵列实现粗量化，调节比较器输入管阵列进...

可调谐MEMS-VCSEL微桥梁制备及其应力的影响————作者：朱鲁江;孙玉润;张琪;于淑珍;董建荣;

摘要：针对微电子机械系统（MEMS）的垂直腔面发射激光器（VCSEL）中静电驱动微桥梁结构制备工艺开展研究，旨在制备平直的悬空微桥梁结构，并通过工艺优化提高其可靠性。利用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法刻蚀Ge牺牲层，这种方法既能够防止湿法腐蚀横向刻蚀过多，还可以提高Ge和底部电极Ti的刻蚀比。通过XeF₂气体干法刻蚀去除剩余的Ge以释放微桥梁结构，避免湿法腐蚀释放造成的微桥梁结构与...

金-铝键合界面空洞生长动力学研究————作者：陈柏雨;王波;可帅;黄伟;刘岗岗;潘开林;

摘要：为探究金-铝键合界面处空洞的演化与焊盘厚度的关系，通过实验、仿真模拟和理论分析相结合的方法对金丝和铝焊盘键合点空洞的生长进行了研究。实验结果表明，2～3 μm厚Al/0.5%Cu铝焊盘上采用99.99%金丝键合的样品在300 ℃下贮存24 h后，键合界面处产生的空洞数量与铝焊盘厚度呈正相关关系，该结果与基于编程软件的元胞自动机仿真预测结果高度一致。空洞的形成规律符合引入浓度梯度后的金属扩散理论，即...

超宽禁带半导体Ga₂O₃功率器件、紫外光电器件的新进展————作者：赵正平;

摘要：在电动汽车等绿色能源应用和发展的带动下，宽禁带半导体材料SiC、GaN电力电子产业成为新一代产业的发展主流，而有可能成为下一代电力电子学发展的超宽禁带半导体材料金刚石、Ga₂O₃和AlN已成为目前前瞻性的科研热点，其中Ga₂O₃在这三种半导体材料中具有单晶尺寸发展最快、成本最低和功率二极管性能已接近工程化等特点...

一种TTL电平控制的间接加热式相变材料射频开关————作者：刘宗岱;廖龙忠;赵慧丰;陈南庭;何庆国;

摘要：研制了一款晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平控制的GeTe材料相变射频开关芯片。该芯片采用间接加热方式设计，使用高阻硅作为衬底材料、钨金属层作为间接加热微结构、AlN材料作为阻挡层，以提高热传导效率，并使用CAD优化结构尺寸；选择合适的电源控制芯片控制脉冲信号的幅度和宽度，将开启和关断脉冲分别降低到了3.3 V/500μs和5.0 V/100μs。测试结果表明，开关芯片的开关电阻比为1.86×10～...

基于改进YOLOv8网络模型的芯片BGA缺陷检测————作者：陈澍元;王鸣昕;赵嘉宁;蒋忠进;

摘要：为提高芯片球栅阵列(BGA)缺陷检测的精度和效率，提出一种基于改进YOLOv8网络模型的芯片BGA缺陷检测方法。该方法以常规YOLOv8网络模型为基础，在骨干网络中引入双层路由注意力(BRA)机制，以增强模型捕捉长程依赖和复杂特征的能力；在检测头网络中引入双标签分配策略，从而省略耗时的非极大值抑制(NMS)运算，以提高模型检测速度；此外，引入Focaler-Wise IoU边框回归损失函数，以提高...

塑封SiC功率器件在高温损耗功率下的热应力和断裂分析————作者：傅朝;王珺;

摘要：塑封SiC功率器件是新能源汽车电力电子技术的核心，其在高温环境、高功率下工作的可靠性是关键问题。对具有顶部散热结构的塑封SiC功率器件，考虑高温环境下芯片的损耗功率，利用有限元分析(FEA)研究了热应力分布，并采用虚拟裂纹闭合技术(VCCT)分析了塑封器件的界面断裂问题。结果表明，塑封器件热应力集中在芯片和焊料层界面，较薄的芯片和适当增厚的焊料层可有效降低界面的断裂风险；当预裂纹长度超过100μm...

埋入式晶圆级封装芯片翘曲有限元仿真及参数敏感性分析————作者：吴道伟;李贺超;李逵;张雨婷;代岩伟;秦飞;

摘要：作为系统级封装(SiP)的关键技术之一，芯片埋置技术在提高I/O接口数量方面发挥着重要作用。伴随加工工艺温度变化，埋置芯片产生一定程度的翘曲，导致后续铺层的破损，使产品良率降低。针对埋入式晶圆级封装芯片在加工过程中的翘曲行为进行了模拟和研究。采用均匀化等效建模进行了有限元模拟，并结合输入参数变化和正交实验分析，研究了材料的弹性模量对芯片翘曲的影响。研究结果表明，芯片粘结薄膜(DAF)和钝化层(PL...

故障电压诱发的功率模块温升规律————作者：刘玮琳;霍思佳;乐应波;杨程;崔昊杨;

摘要：故障电压引发的功率畸变诱发绝缘栅双极晶体管(IGBT)结温瞬变，但此过程的普遍规律、关联机制尚未明确，限制了故障电压穿越期变流器中IGBT热管理策略的针对性与有效性。通过模拟多种电压故障场景，探究了故障电压诱发的机网两侧变流器功率模块温升规律，梳理了故障电压条件下IGBT结温演化过程，明确了故障电压与IGBT结温的关联机制。研究结果表明，结温峰值与电压跌落程度呈显著正相关，电压骤降引发转子电流剧增...

晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池————作者：蒋卓宇;李娟;孔祥力;代盼;孙强健;

摘要：为了避免直接外延生长引起晶格失配问题，利用晶圆键合技术开发了GaAs/InGaAs双结太阳电池。采用金属固态源分子束外延(MBE)生长方法，在GaAs衬底上生长GaAs顶电池，在InP衬底上生长InGaAs底电池。通过晶圆键合技术将这些子电池键合在一起，制备了晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池。测试结果显示，通过晶圆键合技术制备的双结太阳电池具有较低的电损耗，在聚光下获得了超过31.7%的...

175 ℃反激式高温直流开关电源设计————作者：刘建国;杨依忠;丁瀚;

摘要：为满足极限环境下电源系统小型化、耐高温、高可靠性的要求，设计了一种基于单端反激拓扑的隔离型直流稳压电源。针对传统印刷电路板（PCB）高温电源体积大、散热差的局限性，采用厚膜工艺，优选高液相点焊接材料，优化壳体结构设计，以达到充分散热效果。选用TI公司的UC1843高温型脉宽调制器作为主控芯片，控制输出高频脉冲驱动功率开关管，通过变压器功率变换把能量传递到次级。测试结果表明，该电源模块的转换效率在满...

基于查找表均衡的高速SerDes发送端设计————作者：陶保明;张春茗;任一凡;戢小亮;

摘要：为使高速串行器/解串器（SerDes）发送端具有更大的均衡灵活性，采用UMC 28 nm CMOS工艺设计了一种基于数字信号处理（DSP）-数模转换器（DAC）结构的高速SerDes发送端。通过将发送端中前馈均衡功能以查找表（LUT）形式集成至DSP中，灵活应对了信道高频损耗严重和信号完整性问题，并简化了全定制电路设计的复杂度；其主体结构包括DSP、温度编码器、重定时器、32:4多路复用器（MUX...

横向结构压接IGBT动态测试平台设计及其寄生电感抑制————作者：袁文迁;季一润;杨敏祥;槐青;袁茜;郝震;刘铁城;

摘要：传统的纵向结构压接IGBT（PPI）测试平台的叠层母排区域互感较强，但PPI与回流铜排的互感较弱，同时无法对被测和陪测器件分别施加不同的机械压力和温度。针对这一问题，研制了一种新型横向结构测试平台，通过改变IGBT周边区域电流分布，增强互感，使该区域寄生电感值降低了36.9%，有效降低了回路总寄生电感值。且通过将被测IGBT和陪测器件并排布置，可以实现对被测IGBT和陪测续流二极管（FWD）施加不...

IGBT相变冷板的设计和数值模拟————作者：潘子升;周俊屹;余时帆;胡桂林;

摘要：针对绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块散热中功率密度高且散热负荷随工况变化的问题，基于制冷剂对流散热和蒸发潜热的微通道沸腾相变散热技术可对IGBT芯片进行有效散热，建立了三维、伪瞬态算法稳态和体积分数法（VOF）相变的综合数学模型。研究了R1233zd、R1234ze、R134a三种相变制冷剂在单块IGBT微通道沸腾相变散热器中的散热性能；在单块的基础上进行了多片IGBT串联、并联、串并联三种不同流...

全溶液法制备PAA/SU-8双层电介质OFET及其性能————作者：江紫玲;朱睿;张婕;

摘要：有机场效应晶体管（OFET）因其低成本和优异的可兼容特性，是柔性电子领域的重要器件。通过构建聚丙烯酸（PAA）/SU-8双层介电结构，结合全溶液法制备了基于6，13-双(三异丙基硅烷基乙炔基)（TIPS）-并五苯半导体层的OFET。通过原子力显微镜（AFM）和接触角测量仪分析表面特性，PAA/SU-8双层薄膜均方根（RMS）粗糙度（0.284 nm）较纯PAA薄膜（2.77 nm）显著降低，表面接...

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