半导体技术

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半导体技术 关注(): 期刊周期：月刊; 期刊级别：北大核心; 国内统一刊号：13-1109/TN; 国际标准刊号：1003-353X; 主办单位：中国半导体行业协会;半导体专业情报网;中国电子科技集团公司第十三所; 主管单位：信息产业部; 查看半导体技术近十年数据入口>>>; 上一本期杂志：《激光与红外》研究生论文; 下一本期杂志：《半导体光电》杂志编辑部

　　【杂志简介】

　　《半导体技术》以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极的作用。"向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场，提供技术成果展示、转化和技术交流的平台，达到了促进我国半导体技术不断发展的目的"是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。趋势与展望：全面阐述半导体技术与应用的发展趋势;专题报道：每期就设计、生产、应用等企业关注的热门技术及焦点论题，进行有深度、广度的全面剖析;器件制造与应用：半导体器件的设计和制造及在各种领域中的应用;工艺技术与材料：介绍最新的半导体技术制作工艺和该领域用的新材料;集成电路设计与开发：各种IC的设计和应用技术、设计工具及发展动向;封装、测试与设备：介绍器件、芯片、电路的测试、设备和封装的前沿技术;MEMS技术：现代管理：半导体代工厂、洁净厂房、半导体用水及气体、化学品，等管理技术;综合新闻：及时发布世界各地半导体最新产品及技术信息。《半导体技术》的稿件来源于全国各主要研究机构、大专院校和企事业单位等。

　　【收录情况】

　　国家新闻出版总署收录

　　中文核心期刊

　　中国科技论文统计用刊

　　国外数据库收录：俄罗斯文摘杂志、美国化学文摘、英国物理学、电技术、计算机及控制信息社数据库

　　【栏目设置】

　　栏目主要设有： 1中国半导体发展趋势论坛(综述)：诚邀《半导体技术》的专家顾问发表精辟观点和看法;政府主管部门领导提出政策投资建议。芯片生产工艺技术：力求突出芯片制造新工艺、前道工序流程主流技术等。 IC封装及测试：国外先进封装技术如微间距打线技术;BGA; 叠合式/三维封装;Quad 封装等。以及IC测试、系统级测试等。新材料新设备：对半导体支撑材料如纳米材料、环氧膜塑料、硅材料、低介电常数材料、化合物等及8-12英寸制造设备、后工序设备、试验设备等加以阐述。全国集成电路产业介绍：图文并茂的介绍中国集成电路产业发展较快的地方和基地情况，以利各方参考。企业：(采访追明星踪)针对国内外半导体行业的主流企业进行针对性访问和系统介绍。为供需双方提供具有参考价值的范本。新品之窗：对半导体设计与材料设备的新产品予以相关介绍和推荐设计与应用：嵌入式系统、PLD/FPGA设计;通信、网络技术、DSP和多媒体应用;电源器件、数字/模拟IC、消费类/工业类电子器件等应用技术业界动态：综合报道世界半导体行业最新动态会议报道：专门报道行业相关会议，传达精神，指导工作。

　　杂志优秀目录参考：

　　1 西门子解决方案合作伙伴计划 637

　　2 硅基自旋注入研究进展卢启海;黄蓉;郑礴;李俊;韩根亮;闫鹏勋;李成; 641-646+683

　　3 12 bit 200 MS/s时间交织流水线A/D转换器的设计杨阳;张科峰;任志雄;刘览琦; 647-652+662

　　4 低频低功耗无源RFID模拟前端设计与分析林长龙;孙欣茁;郭振义;李国峰;梁科;王锦; 653-657

　　5 一种高频E类功率放大器设计方法刘超;陈钟荣; 658-662

　　6 GaAs场效应晶体管不同极性ESD损伤机理林丽艳;李用兵; 663-666

　　7 pH值对低磨料碱性铜抛光液稳定性的影响秦然;刘玉岭;王辰伟;闫辰奇;武鹏;王娟; 667-670+710

　　8 高浓度臭氧超净水制备及在硅片清洗中的应用白敏菂; 671-674+691

　　9 Ar/CO/NH_3等离子体刻蚀多种磁性金属叠层刘上贤;汪明刚;夏洋; 675-678+717

　　10 WS_2量子点边缘结构和形貌的第一性原理计算沈涛;梁培;陈欣平;历强; 679-683

　　11 TSV封装通孔形态参数对焊点热疲劳寿命的影响张翼;薛齐文;刘旭东; 684-691

　　12 FeNi合金UBM圆片级封装焊点剪切力研究奚嘉;陈妙;肖斐;龙欣江;张黎;赖志明; 692-698

　　13 点燃产业创新之火,IC China推动FPGA产业发展 698

　　14 基于可控电流源的太阳电池模型参数测试方法张渊博;韩培德;卓国文; 699-705

　　15 用于监测硅片应力的红外光弹仪兰天宝;潘晓旭;苏飞; 706-710

　　16 HTCC工艺通用自动上下料系统设计与实现张超;郑宏宇;李阳; 711-717

　　17 第一次征稿通知第11届国际专用集成电路会议 718-719

　　18 2015’全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会会议通知 720

　　中国广播电视学刊投稿：控制理论和控制工程的发展与应用分析

　　摘要随着科学技术的不断完善和发展，控制工程与控制理论也得到了不断的完善，控制理论和控制工程被广泛应用于各大企业系统生产中。在本篇文章里，笔者在控制工程与控制理论的基础知识理论上，对控制工程与控制理论的相关历史发展阶段进行研究，并且分析了控制理论和控制工程的应用，以期望能够为控制系统的发展以及相关研究提供有用的参考依据。

　　关键词控制理论和控制工程,发展,应用

　　控制理论虽然起源于英国18世纪的技术革命时期，但是却在二十一世纪被广泛应用。随着社会经济的不断发展，控制理论和控制工程被广泛的应用于相关工程企业当中。在本篇文章里，笔者不仅分析了控制理论和控制工程的发展，还探索了控制理论和控制工程的应用前景。

　　半导体技术最新期刊目录

面向芯片表面缺陷分割的轻量级多尺度网络结构DSDLF-UNet

摘要：针对芯片表面缺陷图像的语义分割任务，现有模型存在特征提取能力不足、参数量（Params）过大等问题。提出一种面向芯片表面缺陷分割的轻量级多尺度网络结构—DSDLF-UNet。编码器部分设计了双分支深度可分离空洞卷积（DSDConv）模块，该模块融合深度可分离卷积（DSC）与空洞卷积（DC）的优势，以增强局部细节特征表达和全局感受野的建模能力。主干部分提出轻量级局部-全局空洞空间金字塔池化（LG-A...

基于TDIM的高精度功率SMD结壳热阻测量技术

摘要：为解决功率表面贴装器件（SMD）散热基板与电学引出端共面导致短路及热电偶法测温误差问题，首次提出一种基于瞬态双界面法（TDIM）的高精度结壳热阻(R_θJC)测量技术。通过设计含铜板凸台结构与绝缘定位板的专用夹具，有效消除电气短路；结合TDIM替代热电偶法，消除了热量"芯吸"效应与测温位置误差。以TO-277封装肖特基二极管为实验对象，测得R_θJC为0.3...

基于Pd修饰SnO₂的三乙胺气体传感器

摘要：采用溶剂热法和煅烧合成了金属有机框架（MOF）衍生Pd修饰的SnO₂复合材料，以此为基础制作了纯SnO₂和一系列Pd/SnO₂气体传感器。使用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜和X射线光电子能谱仪对样品进行表征，结果显示Pd的修饰使复合材料中氧空位含量有所增加，而复合材料的晶相结构及形貌不会发生显著变化。气敏测试结果表明，Pd/Sn...

基于氦质谱检漏技术的SiC衬底微管检测设备

摘要：为解决SiC衬底微管缺陷检测精度低、效率差的问题，研制了基于氦质谱检漏技术的SiC衬底微管检测设备。该设备以PFEIFFER公司的ASM 340型检漏仪作为检测核心、西门子S7-1200系列可编程逻辑控制器（PLC）作为控制核心、节卡机器人股份有限公司的JAKA Zu@7型机器人作为自动搬运系统，实现SiC衬底微管缺陷的全自动检测。使用ANSYS Workbench仿真平台对衬底密封结构进行受力分...

基于单弯引线互连的CQFP射频传输性能

摘要：为满足新一代高频率、高速率及高散热射频(RF)微波器件的封装需求，提出了一种采用单弯引线互连结构的陶瓷四边扁平封装(CQFP)。单弯引线互连结构的引线端头直接与引线焊盘焊接，相较于传统的翼型引线互连结构，其可将引线焊盘长度由1.00 mm缩短至0.50 mm,有效改善了焊盘的阻抗匹配效果。通过仿真分析了信号线中心距、焊盘尺寸、垂直通孔直径和焊料量对射频传输性能的影响，确定最优参数分别为：信号线中心...

富磷半绝缘磷化铟晶体生长的行波磁场调控

摘要：针对高压垂直梯度凝固(HP-VGF)法生长InP晶体，建立了行波磁场作用下的晶体生长流动传热数值模型，并结合晶体生长实验研究了磁场对富磷半绝缘InP晶体中缺陷生成与掺杂分布的调控作用。研究结果表明，行波磁场可以在InP熔体中产生足够大的洛伦兹力，使得熔体流动增强且温度分布发生变化；磁场调控使孪晶形核概率降低了15%,促进富磷熔体中气泡的逃逸，获得少气孔甚至无气孔的InP晶体，并能够减少晶体中心位错...

矩形微同轴工艺研究与器件制备

摘要：在需要大带宽和低损耗的微波传输系统中，微电子机械系统(MEMS)工艺参数对矩形微同轴结构的射频(RF)性能影响较大。仿真分析了该微同轴内部导体表面粗糙度、内导体宽度、侧壁倾斜度与传输损耗、特性阻抗等射频参数的关系。结果表明，表面粗糙度增大导致传输损耗单调增大，内导体宽度减小和侧壁倾斜度增大均导致特性阻抗变大。通过工艺实验验证了仿真结果并优化了相关参数。制作了矩形微同轴功分器、多零点带通滤波器样品并...

研磨和抛光参数对（001）面β-Ga₂O₃单晶衬底表面质量的影响

摘要：衬底的表面质量对卤化物气相外延（HVPE）法生长的同质外延薄膜的质量至关重要。研究了（001）面β-Ga₂O₃单晶衬底研磨和抛光工艺中研磨盘材质、研磨压力、抛光垫种类等参数对材料去除速率（v_R）、表面粗糙度（R_a）和表面质量的影响。实验结果表明，采用树脂铜盘、树脂锡盘和SUBA800抛光垫配合3μm粒径的多晶金...

基于FPGA的功率器件封装缺陷实时检测

摘要：针对基于机器视觉的功率器件封装缺陷检测技术实时性差、计算资源消耗较高的问题，基于现场可编程门阵列（FPGA）设计了一种功率器件封装缺陷实时检测器。首先，提出一种基于深度可分离卷积（DSConv）的轻量型Mini-DSCNet卷积网络，使用深度卷积和逐点卷积代替标准卷积，仿真结果表明，该模型的浮点运算量（FLOPs）和参数量（Params）分别约为MobileNetV1的4.375%和0.021%，...

基于Bi-LSTM网络的封装基板翘曲预测模型

摘要：针对封装基板的翘曲预测问题，提出一种基于循环神经网络（RNN）与双向长短期记忆（Bi-LSTM）网络相结合的机器学习方法，构建封装基板翘曲预测模型。该模型可预测非对称基板翘曲分布，并有效提高预测效率与准确性。为获取模型训练所需数据集，开发了随机游走自动布线算法生成不同特征的基板布线结构，并利用铜迹线强化有限元分析（FEA）方法获取翘曲分布数据。研究结果表明，Bi-LSTM网络模型在80个训练周期内...

TOPCon太阳电池复合钝化层参数对抗紫外能力的影响

摘要：针对隧穿氧化物钝化接触（TOPCon）太阳电池在紫外（UV）辐照下的性能衰减问题，提出了电池钝化层改进工艺。分析了不同AlO_x层厚度（3～6 nm）和SiN_x层折射率（2.0～2.3）下TOPCon太阳电池的抗紫外诱导衰减（UVID）能力，并揭示了其在紫外辐照下的电性能衰减机制，即Si—H键断裂直接导致开路电压衰减。适度增厚AlO_x...

基于VO₂（B）纳米带的超快响应柔性呼吸传感器

摘要：柔性呼吸监测技术在慢性阻塞性肺疾病和阻塞性睡眠呼吸暂停等疾病的早期诊断中展现出重要的临床应用潜力。提出了一种基于B相二氧化钒纳米带(VO₂（B） NB)的高灵敏度、超快响应的柔性呼吸传感器。通过水热法合成的VO₂（B） NB能在室温下检测相对湿度（RH）在26%～93%范围内的变化。通过将VO₂（B） NB与顶层金叉指电极及底层柔性...

基于YOLOv10n的BGA锡球缺陷检测算法

摘要：球栅阵列（BGA）锡球缺陷的高效检测是保障芯片质量的核心环节，而缺陷样本的稀缺性为基于深度学习方法的有效训练带来了挑战。设计了一种基于前景-背景加权融合的数据增强方法，有效缓解了训练样本的不足。并提出了一种基于YOLOv10n的BGA锡球缺陷检测算法EMP-YOLOv10n。首先，构建跨尺度高效特征融合网络（EffiFuseNet），在减少参数量（Params）的同时，增强对缺陷细节的捕捉能力；其...

基于负载调整的谷底锁定准谐振反激式变换器芯片

摘要：在传统准谐振反激式变换器中，谷底导通能降低开关损耗。但由于相邻谷底对应的输出功率不连续，导致谷底跳频，造成可闻噪声及功耗增大。采用华虹90 nm BCD工艺设计了一种基于负载调整的谷底锁定准谐振反激式变换器芯片，采用动态跟随电路提高谷底检测精度，通过动态检测负载来调整谷底导通并实现谷底锁定功能。仿真及测试结果表明，在输入电压为220～311 V、输出电压为15 V的恒压模式下，谷底导通偏移量减小了...

一种波导内阻抗匹配的0.4THz宽带倍频器

摘要：为满足近场通信和成像等应用领域对0.4 THz宽带倍频器的需求，基于GaAs肖特基势垒二极管(SBD)设计了一款工作在0.4 THz的宽带平衡式二倍频器。该设计采用波导内输出阻抗匹配结构，解决了传统悬置带线设计中阻抗失配导致的带宽受限问题。二倍频器采用反向偏置工作模式，通过优化散射参数的相位一致性，提高了谐波合成效率。设计了0.4 THz宽带的E面探针过渡和直流偏置的集成复合结构，采用紧凑型谐振器...

一种高精度隔离运算放大器

摘要：隔离运算放大器是一种测量放大电路，采用振荡器、脉冲变压器、运算放大器、调制解调电路及有源低通滤波器设计了一款磁隔离运算放大器。输入端选用高性能运算放大器SGM8249,通过配置外部电阻使输入电压为-500～500 mV时，输出可调电压为-10～10 V。此外，还设计了输出电压为±15 V、输出电流为±15 mA的隔离直流电源。该放大器共模电压均方根值为3 500 V,共模抑制比大于120 dB,非...

激光焦平面探测器组件工作寿命评估方法

摘要：激光焦平面探测器组件作为激光三维成像系统的核心组成部分，需要具备高可靠性和长使用寿命。通过故障模式、影响及危害性分析(FMECA)系统识别了激光焦平面探测器组件的寿命薄弱环节，深入剖析了影响其寿命的主要因素，并提出以薄弱环节替代整体产品进行寿命评估的方法。针对激光焦平面探测器组件存在长寿命周期与试验样本量有限的特点，提出了一种k/n可靠性建模方法。基于正常应力下的小样本寿命试验，利用像元寿命数据实...

lnP快速注入合成、提纯与大尺寸高品质多晶制备

摘要：高纯InP是制备高品质单晶的基础，通过分析InP注入合成过程及动力学，阐明了InP快速注入合成与提纯机理。注入合成与提纯的主要机制为：注入合成速率快，其他耗材对合成熔体的污染少；高压气泡形成与迁移过程起到吸收易挥发杂质元素的作用；注入合成后提拉生长可以对多晶锭进一步提纯。基于晶体生长原理，分析了富铟生长和富磷生长缺陷的形成机制。通过控制熔体的配比度，获得了抑制上述缺陷的条件。通过InP快速注入合成...

电-热-力耦合下扇出型晶圆级封装RDL导电层热-力可靠性分析

摘要：为研究导电层对重分布层（RDL）可靠性的影响，基于电-热-力多物理场耦合建立扇出型晶圆级封装（FOWLP）互连结构多尺度三维模型。采用有限元分析法研究了导电层材料、厚度及过渡角度对RDL温度场和应力场分布的影响。研究结果显示，在RDL热-力分布中，导电层起主导作用。与材料和厚度相比，导电层结构的过渡角度对RDL可靠性的影响相对较小。过渡角度在130°～160°范围内时，温度与应力极值波动小于1%;...

基于YOLOv8n-FESS的PCB缺陷检测算法

摘要：针对当前印刷电路板(PCB)缺陷检测方法复杂度高、计算量大、容易产生误检漏检等问题，提出了一种YOLOv8n-FESS轻量化检测算法。该算法对骨干(Backbone)网络C2f模块中的瓶颈(Bottleneck)结构进行改进，引入快速网络(Fasternet)中的部分卷积(PConv),以增强其特征提取能力，并融入高效多尺度注意力(EMA)机制，进一步提升Backbone的特征表征能力；在颈部(N...

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