【杂志简介】
《功能材料与器件学报》于1995年创刊，是由中国材料研究学会和中国科学院上海微系统与信息技术研究所共同主办的全国性学术期刊。、读者对象为功能材料与器件领域的科研工作者、工程技术人员和高等学校师生。
本刊主要刊登反映功能材料与器件领域中具有创新性的科研成果和应用技术进展的论文、简报、综述和消息。来稿可以涉及功能材料的制备、加工、性能和应用，以及功能器件的原理、工艺和性能等等，具体可以包括下列领域：微电子机械系统(MEMS)、微电子和光电子材料与器件、薄膜材料与器件、纳米材料与器件、智能材料与器件、传感器和传感器材料、金刚石薄膜及应用、磁性和磁光电材料、铁电材料、生物材料、高温超导材料等。
【收录情况】
国家新闻出版总署收录 获奖情况
美国Ei,美国CA，英国SA，俄罗斯PЖ的文献源期刊
中国科技论文统计源期刊、中国科学引文数据库来源期刊
中国学术期刊综合评价数据库来源期刊
国外数据库收录
俄罗斯文摘杂志
美国化学文摘
英国物理学、电技术、计算机及控制信息社数据库
【栏目设置】
主要版块栏目：综述、论文、简报、进展、消息。
杂志优秀目录参考：
1 工业级和宇航级FPGA器件抗力学性能分析 吕强;尤明懿;管宇辉; 173-178
2 一维纳米阵列制备及其在电化学生物传感器中的应用 崔接武;王岩;张勇;舒霞;吴玉程; 179-193
3 LCOS投影显示技术 李任鹏;颜莉华; 194-198
4 用于气相冰毒检测的区域规整的高通透聚合物 王月蓉;高宜迅;陈蕾;贺庆国;程建功; 199-204
5 热处理中Si/SiGe/Si界面互扩散 文娇;刘畅;俞文杰;张波;薛忠营;狄增峰;闵嘉华; 205-208
6 基于改进的粒子群算法的MEMS移相器设计 梁军;刘建霞; 209-214
7 管状介电弹性体驱动器电致应变特性分析 杨宏亮;樊亚玲; 215-218
8 基于LTCC技术的高性能级联带通滤波器的研究 戴永胜;杨茂雅; 219-223
9 基于混合信息增量矩阵的传感器网络故障自检测算法 梁希文;马斌; 224-228
10 SA-g-P(AA-co-AM)/KL复合高吸水性树脂的制备及吸液性能研究 寇小燕;唐尧基;豆庆贺; 229-234
11 锰锌铁氧体的制备研究进展 雷伟;刘永生;徐娟;杜文龙;司晓东;郭保智;高湉;彭麟; 235-241
12 自组装膜-石墨烯界面修饰及其在电子传递领域中的研究与应用 左国防;李志锋;杨建东;王宇晶; 242-247
13 Dy0.15Fe1.85O3磁颗粒的有机改性对其硅油基磁流体磁性能及稳定性的影响 殷金昌;杨冲;陈静;张茂润; 248-253
14 6-乙烯基-1,1-双二茂铁基丁烷的聚合反应及其聚合产物的研究 王晓莉;邓起发;付渊; 254-257
期刊投稿范文：基于异步复制的容灾系统研究
[摘 要]介绍了数据备份策略与容灾技术，阐述容灾系统的指标以及容灾等级。并通过基于异步复制机制实施了本地信息化系统的远程容灾中心，实现了信息系统的高可用性。测试结果验证该方案具有可靠地的备份性能和数据有效性。
[关键词]期刊投稿范文,备份,异地备份,容灾能力
引言
随着运营商企业信息化进程的不断深化，管理信息系统已经成为支撑企业业务运行的重要平台，同时业务的发展也对管理信息系统的业务支撑能力和可靠运行的要求越来越高。陕西移动基础设施的集中建设在实现业务快速响应和控制运营成本的同时，也带来故障点集中的风险问题，如自然灾害、电网停电等不可控风险。因此，适时、合理的规划和开展异地容灾建设，成为确保信息化系统高可用的重要手段。
功能材料与器件学报最新期刊目录
基于MXene复合薄膜的氨气传感器研究————作者：宓倩;王东岳;徐慕杰;王海婷;
摘要：为满足工农业生产中的氨气检测需求，开发了一种可实时检测氨气浓度的系统。以碳化钒铝（V2AlC）为主要原料，通过刻蚀和热处理工艺制备了纳米V2C MXene/V2O5复合薄膜，并采用喷涂法制备了基于该复合薄膜的氨气传感器。测试了该传感器在不同氨气浓度下的气敏性能，结果表明，复合薄膜传感器具有优异的氨气敏感特性。针...
薄锂制造工艺前沿探索与应用前景展望————作者：林娇娟;朱敬;
摘要：锂金属电池因其超高的理论容量和极低的电位，在化学储能领域展现出广阔应用前景。然而，锂枝晶的不可控生长及电极体积的剧烈膨胀等问题严重制约其实际应用。目前针对锂金属负极稳定化的研究虽取得显著进展，但研究对象多为厚锂（厚度>200μm），这不仅导致活性材料利用率较低，还可能造成改性策略的评估偏差，难以满足高能量密度电池的设计需求。值得注意的是，实现薄锂（厚度<50μm）的规模化制备仍面临严峻...
集成梳齿电容位移传感器的静电驱动MEMS光学移相器研究————作者：韩雨薇;夏彧虎;周碧青;蔡敏力;王潇悦;吴亚明;
摘要：提出并制作一种集成梳齿电容位移传感器的静电驱动型微机电系统（MEMS）光学移相器。针对当前MEMS光学移相器普遍存在的驱动电压较高、控制精度不足问题，通过设计镂空蛇形弹性梁结构，在有限芯片尺寸内减小了弹性梁的面外垂直运动刚度以降低驱动电压，并通过集成梳齿电容位移传感器来构建光学镜面位移传感系统，从而提高控制精度。实验结果表明，在59 V驱动电压下，微镜可实现2.139 5πrad的光学相位调制量，...
Nb2O5晶型对铌酸钾钠基压电陶瓷结构与性能的影响————作者：王琳;曾江涛;许兴锋;张永丽;
摘要：采用固相烧结工艺，在温度为1 055～1 070℃的条件下制备了致密度高且综合电学性能优异的(K0.44Na0.52Li0.04)(Nb0.9Ta0.06Sb0.04)O3无铅压电陶瓷。研究了不同晶型的Nb2O5<...
TBAB/TBAHSO4水合物复合相变材料的合成及其控温性能————作者：娄连心;闻晶;杨铭昭;寇艳;田颖;
摘要：相较于传统冷藏运输方式，基于相变材料（PCM）的冷能储存技术能显著降低碳排放，因而受到广泛关注。以四丁基溴化铵（TBAB）、四丁基硫酸氢铵（TBAHSO4）为相变材料，通过添加成核剂三氧化二铝（Al2O3）和增稠剂羧甲基纤维素钠（CMC），有效减小过冷率并抑制相分离，成功制备了适用于冷链运输的TBAB/TBAHSO4 基于烯烃嵌段共聚物的柔性相变材料的制备及控温性能研究————作者：闻晶;娄连心;解卓学;寇艳;车如心;史全; 摘要：柔性相变材料（FPCM）兼具潜热储能特性和柔性特性，不仅能高效储能，还能与物体表面紧密贴合，广泛应用于人体热管理与控温领域。通过物理共混方法，采用烯烃嵌段共聚物（OBC）和十六烷微胶囊（M16）制备出复合相变材料（OM16）。实验结果表明：在1∶1.2的比例下制备的OM16-1.2在具有一定柔性的同时，相变焓值可达84.45 J·g-1，相变温度为16.98℃；经过100次循... 基于LED光源的分子束外延实时光学束流监测技术研究————作者：张庆凌云;王啸臻;李建梅;陈意桥; 摘要：采用谱宽度介于窄谱与宽谱之间的LED作为介谱光源，基于原子吸收实现了对分子束外延生长过程中多元素束流强度的非侵入式实时测量与监控。该方案具有自校正特性，无须引入额外校准光路即可有效抑制光源及光路中的波动与漂移，表现出良好的鲁棒性。结合对标定片外延生长速率的精确计算，利用光吸收度对Ga束源炉的束流强度进行了标定。在束源炉温度梯度调控束流强度的实验条件下，特征光谱的光吸收度信号与离子规电流信号呈现显著... 基于混合离子电解质的有机电化学晶体管在神经突触模拟中的应用————作者：齐浩荣;张蓓; 摘要：通过将3种离子液体EMIM-TFSI、EMIM-BF4、EMIM-PF6分别与聚合物电解质(PIL,poly（DADMATFSI）)混合，构建混合离子电解质体系。将该体系应用于有机电化学晶体管（OECT）中，显著提升了其扫描速率和非易失特性，并实现了生物突触的功能模拟，为神经形态计算提供了新策略。研究采用电学测试、电化学阻抗谱测试以及多层感知器仿真。结果... 便携式连续血压监测技术研究现状及挑战————作者：易志然;张文明; 摘要：高血压病情失控极易诱发脑出血、心肌梗塞、心力衰竭、肾功能衰竭和失明等疾病，不仅给患者带来痛苦，也给医疗卫生系统带来沉重的财政负担和服务压力。目前，医学领域尚无法根治高血压，仅能通过药物等手段对病情进行控制。因此，实时、连续的血压监测成为预防高血压引起的突发性并发症的必要手段。穿戴式血压监测技术正是顺应这一需求而产生的，其核心目标在于实现对人体血压的实时监测与及时干预，从而有效预防高血压及其并发症的... 高精度、选择性原子层刻蚀技术研究进展————作者：欧阳亦;颜光辉;陈国祥;黄高山;陈相仲;包志豪;石建军;左雪芹;梅永丰; 摘要：随着半导体技术的快速发展，芯片的关键尺寸不断缩小，以鳍式场效应晶体管（FinFET）和三维NAND闪存为代表的复杂的三维结构对刻蚀工艺提出了极高的要求。特别是在高精度、低损伤刻蚀以及实现不同材料的刻蚀选择性方面，传统干法刻蚀技术已经难以满足需求。原子层刻蚀（Atomic Layer Etching, ALE）作为一种高精度的原子尺度微加工技术，逐渐成为半导体制造中的关键技术之一。综述ALE技术的独... 钌在纳米尺度集成电路互连中的应用与挑战————作者：马兰;吴小晗;丁士进; 摘要：随着集成电路工艺进入纳米尺度，传统铜互连面临电阻尺寸效应加剧和电迁移失效等问题，导致线电阻显著增加；同时，线间与层间电容的增强以及低介电材料的局限性共同引发寄生电容上升，进一步恶化了互连电容-电阻延迟问题。在此背景下，亟需探索新型互连材料并优化工艺以提升互连性能。钌作为下一代互连候选材料，凭借其较短的电子平均自由程和高内聚能，在纳米尺度下表现出低电阻尺寸效应和优异的抗电迁移特性。此外，钌具有良好的... 原子层沉积在光电子器件制备领域的应用进展————作者：董策;姜宁;王冠然;王佳伟;任舰洋;谢思雨;李野;段羽; 摘要：原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）是一种高精度的薄膜沉积技术，能够在复杂微结构和异质材料界面上实现纳米级厚度的均匀薄膜沉积。随着光电子器件的快速发展，ALD技术在光电材料和电介质薄膜等领域展现了广阔的应用前景，特别是在高性能太阳能电池、发光二极管和光电探测器中，通过精确控制薄膜厚度和成分显著提升了器件的光电转换效率与稳定性。详细综述了ALD技术在光电子器件功能层... 高稳定性In2O3/InGaZnO双层沟道薄膜晶体管————作者：鞠姗姗;李锦雄;陆磊;张盛东;王新炜; 摘要：提出并构建了一种基于In2O3/IGZO双层沟道的薄膜晶体管（Thin Film Transistor,TFT）。实验结果表明，该双层结构器件展现出优异的电学性能和稳定性：场效应迁移率高达26.8 cm2·（V·s）-1，亚阈值摆幅低至90.8 mV·dec-1；在正偏压应力和负偏压应力条... 基于InCaOx/HfAlOx的高性能低压操作FET的构筑及其在逻辑反相器中的应用————作者：夏渝沣;何刚; 摘要：利用原子层沉积（ALD）工艺制备不同Hf、Al前驱体比例的HfAlOx栅介质薄膜，并对其化学组分、表面形貌、光学性能及介电性能进行系统表征。结果表明，HfAlOx薄膜具有较高的光学透过率和表面平整度；随着Al含量的增加，薄膜的介电性能发生显著变化。为制备低压操作FET器件，采用静电纺丝技术制备InCaOx纳米纤维作为沟道材料，并与A... 基于DFT的Cu/SiO2衬底选择性原子层沉积前驱体筛选————作者：葛毅骜;李博轩;文艳伟;曹坤;单斌;陈蓉; 摘要：选择性原子层沉积技术在纳米级材料制造中具有显著优势，其核心原理是利用前驱体在不同区域表面的反应速率差异实现选择性沉积。针对半导体互联及后道工艺中介电材料的准确定位沉积需求，采用结合微动力学方法的密度泛函理论（DFT），系统揭示前驱体在Cu/SiO2表面的吸附与分解机制，并耦合原子层沉积（ALD）的反应条件，定量描述了前驱体在两种衬底表面的反应速率与覆盖率。基于两种表面覆盖率的... 基于原子层沉积技术的硼化物生长研究进展————作者：陈鹏宇;温新涛;胡之琛;奚斌; 摘要：随着半导体技术的不断进步，以氧化硼和氮化硼为代表的硼化物在多个领域展现出广泛的应用前景，引发了深入的研究。其中，氧化硼独特的掺杂特性使其在优化器件性能和提升集成度方面展现出巨大潜力，因此在超浅硅掺杂中得到了广泛应用，并在先进互补金属氧化物半导体（CMOS）技术中受到越来越多的关注。与此同时，氮化硼在半导体铁电存储掺杂领域的重要性也日益显现。综述了基于原子层沉积（ALD）技术生长氧化硼和氮化硼薄膜的... 原子层沉积反应器的数值模拟研究进展————作者：张杭波;严颖萍;王林林;陈国昊;平慧慧;庄黎伟; 摘要：原子层沉积（Atomic Layer Deposition,ALD）作为一种具有亚纳米精度的薄膜沉积技术，被广泛应用于集成电路、能源以及显示等领域。然而，在实际应用中，ALD仍面临诸多挑战，这些挑战主要源于其反应器内部复杂的流体力学、传质传热及表面反应等造成的多过程、多尺度耦合问题。数值模拟有助于揭示ALD的多物理/化学过程多尺度耦合机理，是深入分析和优化ALD的有力工具。系统综述了ALD反应器模... 大气压粉末原子层沉积研究进展————作者：颜光辉;黄高山;陆雪强;左雪芹;糜冬冬;陈国祥;欧阳亦;陈相仲;包志豪;梅永丰;石建军; 摘要：大气压粉末原子层沉积技术是一种在大气压或接近大气压条件下对功能粉末材料表面进行纳米级厚度精确修饰的技术，在能源材料和催化剂材料等领域具有广阔的应用前景。该技术无需真空系统，显著降低了设备成本和维护成本，因此在工业放大生产中展现出明显优势。对粉末原子层沉积的自限制性表面化学反应原理进行介绍，分析该技术需克服的技术难点及其优势与不足，概述原子层沉积的保形性特点，总结大气压下时间和空间原子层沉积反应腔的... 基于SrAl2O4:Eu2+,Dy3+的全光突触用于模式识别的研究————作者：杜婷婷;黄伟龙;陈耿旭; 摘要：传统上用于模式识别的神经形态器件大多基于电信号，存在带宽受限、电阻电容延迟和电流串扰等问题，会导致图像产生失真，进而严重影响模式识别的结果。因此，避免电信号带来的信号串扰等问题以保证后续模式识别结果的有效性至关重要。与电信号相比，光信号具有运算速度快、抗干扰能力强、能量损失小等优点。本文提出了基于磷光材料的单层全光器件，成功模拟了兴奋性突触后光强（EPSI）和双脉冲易化（PPF）等类似生物突触的基... 钛酸钡铁电隧道结的极化翻转动力学研究————作者：张占凤;邓曹状;王辰熙;朱敏敏; 摘要：本文针对冯·诺依曼架构中存在的处理器与存储器间数据传输瓶颈所导致的高能耗和低效率问题，探索了基于铁电隧道结的神经形态计算解决方案。铁电隧道结因其独特的极化翻转特性而具备神经形态计算所需的物理基础，其极化翻转的统计行为直接决定器件性能。本文以钛酸钡铁电隧道结存储器为模型，采用结合非均匀场机制理论的自研相场模拟技术，重点探讨了机械边界条件对极化翻转统计行为的调控机制。研究结果表明，由于上下电极材料与铁... 相关科技期刊推荐 核心期刊推荐
