半导体

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半导体 关注(): 期刊周期：季刊; 期刊级别：省级; 国内统一刊号：12-1134/TN; 国际标准刊号：1005-3077; 主办单位：电子部天津电子材料研究所天津市电子学会; 主管单位：天津市科委; 上一本期杂志：铸造设备研究杂志职称论文发表; 下一本期杂志：公路工程杂志中级公路工程职称晋升要求

　　《半导体》杂志简介

　　本刊以马列主义、毛泽东思想、邓小平理论和“三个代表”重要思想为指导，全面贯彻党的教育方针和“双百方针”，理论联系实际，开展教育科学研究和学科基础理论研究，交流科技成果，促进学院教学、科研工作的发展，为教育改革和社会主义现代化建设做出贡献。《天津半导体技术》现用刊名《半导体杂志》

　　《半导体》收录情况

　　国家新闻出版总署收录、中国知网收录期刊、维普中文期刊全文收录

　　《半导体》栏目设置

　　主要栏目：研究报告、文献综述、简报、专题研究。

　　《半导体》杂志投稿须知：

　　1.文章标题：一般不超过20个汉字，必要时加副标题，并译成英文。

　　2.作者姓名、工作单位：题目下面均应写作者姓名，姓名下面写单位名称(一、二级单位)、所在城市(不是省会的城市前必须加省名)、邮编，不同单位的多位作者应以序号分别列出上述信息。

　　3.提要：用第三人称写法，不以“本文”、“作者”等作主语，应是一篇能客观反映文章核心观点和创新观点的表意明确、实在的小短文，切忌写成背景交代或“中心思想”，100-200字为宜。

　　4.关键词：3-5个，以分号相隔，选择与文章核心内容相关的具有独立性的实在词。

　　5.正文标题：内容应简洁、明了，层次不宜过多，层次序号为一、(一)、1、(1)，层次少时可依次选序号。

　　6.正文文字：一般不超过1万字，正文用小4号宋体，通栏排版。

　　7.数字用法：执行GB/T15835-1995《出版物上数字用法的规定》，凡公元纪年、年代、年、月、日、时刻、各种记数与计量等均采用阿拉伯数字;夏历、清代及其以前纪年、星期几、数字作为语素构成的定型词、词组、惯用语、缩略语、临近两数字并列连用的概略语等用汉字数字。

　　8.图表：文中尽量少用图表，必须使用时，应简洁、明了，少占篇幅，图表均采用黑色线条，分别用阿拉伯数字顺序编号，应有简明表题(表上)、图题(图下)，表中数据应注明资料来源。

　　9.注释：注释主要包括释义性注释和引文注释，集中列于文末参考文献之前。释义性注释是对论著正文中某一特定内容的进一步解释或补充说明;引文注释包括各种不宜列入文后参考文献的引文和个别文后参考文献的节略形式，其序号为①②③……。

　　半导体最新期刊目录

GaSb半导体表面极化子基态能量的研究————作者：李子军,肖景林

摘要：采用L .L .P方法导出了表面极化子的基态能量 ,声子平均数 ,讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢声子之间相互作用对GaSb半导体表面中表面极化子基态能量的影响。数值计算结果表明 :当动量趋于零时 ,声子之间的相互作用对极化子性质无影响 ;当动量达到某一值时 ,声子之间相互作用的能量占极化子总能量中非常显著的部分 ;随着动量 (平方 )的增加 ,声子平均数近似线性地增加

杂质和缺陷对非掺半绝缘LEC GaAs霍耳测量的影响————作者：杨瑞霞,付浚,于明,于海霞,张富强

摘要：研究了非掺杂半绝缘LECGaAs霍耳参数温度关系。研究结果表明 ,杂质和缺陷的不均匀分布引起的电势波动对霍耳测量结果有明显影响 ,存在电势波动的情况下 ,仅用霍耳测量不能测定真实的自由载流子浓度和费米能级位置

基于四位嵌入式MCU的数字调谐系统DTS0614————作者：居水荣

摘要：介绍了一种基于 4位微控制器的数字调谐系统———DTS0 614的功能框图及特点 ,并对其内核部分的结构、指令系统、微操作及指令数据流等作了分析

电流模电路的通用单元电路————作者：张鹏,赵惟莽,高清运

摘要：提出了电流模电路中的一个通用积木块———伴随运放。用它能把基于电压运放的电压模电路转换成电流模电路。分析了理想伴随运放的特点和应用 ,提出一种CMOS伴随运放电路 ,介绍了用它设计的电流模滤波器

Conexant扩建砷化镓生产设备————作者：苏雅

摘要：科胜讯(Ｃｏｎｅｘａｎｔ)系统公司日前宣布已完成了加州ＮｅｗＢｕｒｙＰａｒｋ工厂砷化镓生产设备的大规模扩建工程,为无线通信和网络接入这两个发展迅速的部门提供更强有力的支持。该工厂一年前每年只能生产1.5万个4英寸的晶片。扩建后,每年可进行7.5万个4英

电流模A/D转换器的设计与实现————作者：王永旭,杜曦,高清运

摘要：提出了一种新型 8位电流模逐次渐近型A/D转换器 ,采用 2 μm p -阱CMOS工艺参数 ,PSPICE模拟结果表明 :功耗为 8mW ,转换时间为 1μs。若改用亚微米工艺 ,则转换时间还可大大缩短

用跳耦法综合开关电流带通滤波器————作者：李波涛,宋健,许长喜,高清运

摘要：提出了用leapfrog法设计开关电流带通滤波器的普遍方法 ,设计了一个四阶契比雪夫带通滤波器 ,并用matlab软件从信号流图级进行了模拟

Intel发布首款0.18微米快闪存储器————作者：苏雅

摘要：英特尔(Ｉｎｔｅｌ)公司近日发布了第一个来用0.18微米工艺的快闪存储芯片———Ａｄｖａｎｃｅｄ+ＢｏｏｔＢｌｏｏｋ。该产品是Ｉｎｔｅｌ的第四代ＢｏｏｔＢｌｏｏｋ存储器系列产品,将提供新一代的安全防护解决方案,可使数字移动电话和Ｉｎｔｅｒｎｅｔ应用设备

微电脑时控系统————作者：黎新南,于青,刘硕,马文敭

摘要：介绍的微电脑时控系统主要是按学校、工厂、机关等单位的供电要求而设计的 ,以实现对电能及设备的合理应用 ,避免繁杂的人工操作。它以 80 31单片机为核心 ,通过键盘实现人机对话 ,可完成日历、电子表功能及实时控制功能

镶嵌钨的化学机械抛光的研究————作者：刘玉岭,杨鸿波,檀柏梅,梁存龙

摘要：研究的是ULSI镶嵌钨CMP的选择性 ,化学与机械作用匹配 ,浆料的悬浮及存放和后清洗等问题

多晶硅TFT及其在AMLCD中的应用————作者：饶瑞,徐重阳,王长安,曾祥斌,赵伯芳,周雪梅

摘要：多晶硅薄膜晶体管目前是大面积微电子学领域中最热门的研究课题之一 ,它以其独特的优点 ,在液晶显示领域中扮演着重要角色。简要介绍了多晶硅薄膜晶体管的结构、器件特性以及在有源矩阵液晶显示器中的应用

MOSFET开态热载流子效应可靠性————作者：穆甫臣,薛静,许铭真,谭长华

摘要：综述了近年来MOSFET的热载流子效应和可靠性问题 ,总结了几种热载流子 ,并在此基础上详细讨论了热载流子注入 (HCI)引起的退化机制。对器件寿命预测模型进行了总结和讨论。为MOSFET热载流子效应可靠性研究奠定了基

离子注入半绝缘GaAs电激活效率与电激活均匀性的研究————作者：刘明成,刘福润,鲁光元,赵杰,王永晨

摘要：研究了Si+ 和Si+ /As+ 注入到HorizontalBridgman (HB)和LiquidEncapsulatedCzochralski(LEC)方法制备的半绝缘GaAs衬底电激活效率与均匀性。结果发现 :在相同条件下 (注入与退火 ) ,不同生长方法的半绝缘GaAs衬底电激活不同 ,通常电激活HB >LEC ,HBSI—GaAs(Cr)(1 0 0 )A面 >(1 0 0 )B面 ,S...

EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响————作者：毛友德,顾成余,丁勇,宁王君,夏冠群,赵建龙,赵福川

摘要：在建立的理论模型基础之上 ,定量地分析了EL2能级对GaAsMESFET夹断电压的影响 ,指出位于本征费米能级以下的EL2能级是影响GaAsMESFET夹断电压大小的主要因素 ,EL2能级对GaAsMESFET夹断电压的影响程度与EL2能级的缺陷密度呈线性关系

住友电工开发出GaN单晶生长新工艺————作者：任学民

摘要：最近 ,日本住友电工宣称 ,他们开发出一种ＧａＮ单晶生长新工艺 ,并制备出 2英寸ＧａＮ单晶片。这一新工艺是基于热动力学原理的 ,具体细节没有公布。该公司称正在投资 470万美元建设一条ＧａＮ单晶片生产线 ,计划明年批量生产。这一举措将对ＧａＮ器件的研

超前进位随机脉冲计数器的研究————作者：王建萍,胡晓朋

摘要：利用随机脉冲尾数求差原理 ,导出了二进制两路尾数求差的计算法。在不增加门速度的前提下 ,从根本上解决了随机脉冲因交叠所产生的计数错误。另外 ,在设计集成电路组件时 ,内部增设超前进位专用加法器电路 ,从而保证该组件经多级串联后整体电路仍能实现快速计数功能。集成电路运行实验表明 ,设计原理及运行性能完全满足设计要求 ,并可填补集成电路对随机脉冲求差的空缺

高速数据跳频通信系统中的新型频率合成器————作者：李振东,程炳凤,李文臣

摘要：介绍了一种适用于高速数据跳频通信系统的新型频率合成器。详细分析了该频率合成器的工作原理、技术指标等 ,并且给出了具体的实施方案

世界10大半导体IP公司

摘要：排位公　司营收 (万美元 )比上年增长 (% )1ＡＲＭ 8850 4 9.72ＭＩＰＳ 772 0 4 3.03Ｒａｍｂｕｓ 4 530 15.34Ｍｅｎｔｏｒ 3170 - 4 .25Ｓｙｎｏｐｓｙｓ 2 4 50 1.26Ｉｎｓｉｌｉｃｏｎ 19

移位寄存器芯片4517B在TDD-TDM终端设备中的特殊应用————作者：吴虹,吴岳,刘国华

摘要：在TDD -TDM终端设备中 ,采用移位寄存器芯片 4 517B完成数字语音信号的压缩、扩张和存储的功能

1999年化合物半导体的市场————作者：任学民

摘要：据美国ＳｔｒａｔｅｇｉｅｓＵｎｌｉｍｉｔｅｄ公司估测 ,1 999年世界化合物半导体销售额达到 1 0 9.8亿美元 ,约占整个半导体市场份额的 7.5 %。从 1 994～ 1 999年 ,化合物半导体销售额翻了一翻 ,而且最近 2年增速加快。 2

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