电子与封装

所属栏目：电子信息期刊热度：时间：

《电子与封装》 关注(): 期刊周期：月刊; 期刊级别：国家级; 国内统一刊号：32-1709/TN; 国际标准刊号：1681-1070; 主办单位：中电科技集团第五十八研究所; 主管单位：中国电子科技集团公司; 上一本期杂志：《电力系统通信》通信工程师论文发表; 下一本期杂志：《电子信息对抗技术》计算机科技论文发表

　　【杂志简介】

　　《电子与封装》杂志是目前国内唯一一本全面报道封装与测试技术、半导体器件和IC设计与制造技术、产品与应用以及前沿技术、市场信息等的技术性刊物,是中国电子学会生产技术学分会(电子封装专业)会刊、中国半导体行业协会封装分会会刊。

　　【收录情况】

　　国家新闻出版总署收录

　　ASPT来源刊

　　中国期刊网来源刊

　　【栏目设置】

　　主要栏目：政策与策略、专家论坛、综述、封装与组装、电路设计与测试、器件与制造、支撑技术、产品、应用与市场。

　　杂志优秀目录参考：

　　有关QFN72和CQFN72的热阻计算贾松良，蔡坚，王谦，丁荣峥，JIA Songliang，CAI Jian，WANG Qian，DING Rongzheng

　　氮化铝-铝复合封装基板的制备李明鹤，彭雷，王文峰，LI Minghe，PENG Lei，WANG Wenfeng

　　CBGA植球工艺成熟度提升方法的研究黄颖卓，练滨浩，林鹏荣，田玲娟，HUANG Yingzhuo，LIAN Binhao，LIN Pengrong，TIAN Lingjuan

　　基于JC-5600 ATE的单/双电源运算放大器测试方法赵桦，章慧彬，ZHAO Hua，ZHANG Huibin

　　一种适于FPGA芯片的SRAM单元及外围电路设计徐新宇，徐玉婷，林斗勋，XU Xinyu，XU Yuting，LIN Douxun

　　一种新型基准电流源电路设计黄召军，朱琪，施斌友，陈钟鹏，万书芹，张涛，HUANG Zhaojun，ZHU Qi，SHI Binyou，CHEN Zhongpeng，WAN Shuqin，ZHANG Tao

　　一种低抖动电荷泵锁相环频率合成器杨霄垒，施斌友，黄召军，季惠才，YANG Xiaolei，SHI Binyou，HUANG Zhaojun，JI Huicai

　　基于虚拟化技术的FPGA开发平台设计张海平，万清，ZHANG Haiping，WAN Qin

　　铝线键合的等离子清洗工艺研究钟小刚，ZHONG Xiaogang

　　CMOS工艺中抗闩锁技术的研究朱琪，华梦琪，ZHU Qi，HUA Mengqi

　　外延参数稳定性控制方法王海红，高翔，WANG Haihong，GAO Xiang

　　电路级热载流子效应仿真研究高国平，曹燕杰，周晓彬，陈菊，GAO Guoping，CAO Yanjie，ZHOU Xiaobin，CHEN Ju

　　高密度SIP设计可靠性研究王良江，杨芳，陈子逢，WANG Liangjiang，YANG Fang，CHEN Zifeng

　　管理科学投稿：不锈钢金相检验过程中的电解制样的应用分析

　　摘要：在实际的金相检验工作中，通常会采取电解法，将电流通入电解质中，通过发生反应对金属的内部结构有更好的认识，与机械制样方法相比，该方法首先可以避免抛光时产生的杂质，其次速度快，消耗时间少，而且能够节约材料，工作效率大大提高，能取得更好的制样效果，应用越来越广泛。本文对其在金相检验中的应用进行了简要分析。

　　关键词：管理科学,不锈钢金相检验,电解制样,应用分析

　　引言

　　金相指的是金属内部结构的物理或化学状态，反映金相的具体形态叫做金相组织，主要包括马氏体、铁素体、奥氏体等。在制备金相试样时，主要采取的方法有手工法、机械法以及电解法等。人工法现在已很少用，机械法因为需要进行抛光，往往会在磨光面上出现一些杂质，而且需要多次抛光，浪费大量时间。电解法是当前较为常见的一种制样方法，在有色金属及耐热不锈钢等制样中较为适用，在较短的时间内就能完成制样工作，减轻了劳动量，提高了工作效率，值得推广应用。

　　电子与封装最新期刊目录

一种基于LTCC技术的低频小尺寸3 dB电桥————作者：马涛;王慷;聂梦文;潘园园;

摘要：3 dB电桥在通信系统广泛应用于微波信号合成与分配。针对小型化和低频应用需求，利用低温共烧陶瓷工艺开发一款低频小尺寸电桥。采用宽边耦合结构实现3 dB耦合，并调整线宽实现驻波比和隔离的均衡；采用螺旋和三维绕线结构实现小型化；引入耦合线对地结构进一步降低应用频率。尺寸为标准1206封装，测试结果与仿真结果吻合通带为330～580 MHz，插入损耗≤1.3 dB，驻波≤1.5，隔离度≥17.9 dB，...

液体环氧塑封料的应用进展————作者：肖思成;李端怡;任茜;王振中;刘金刚;

摘要：综述了国内外液体环氧塑封料（LEMC）研究与开发领域中的最新进展状况。从集成电路先进封装技术的发展对LEMC的性能需求、组成与结构设计、LEMC的研究与开发等角度阐述了LEMC在扇出型晶圆级封装（FOWLP）以及高带宽存储器（HBM）中的应用进展。最后对LEMC的未来发展趋势进行了展望

JESD204B型多通道高速SiP处理芯片的设计与分析————作者：盛沨;田元波;谢达;

摘要：研究高速系统级封装（SiP）处理芯片对现代高速数据处理领域的发展具有重要的实际应用价值。针对目前高速处理系统普遍存在通道数少、集成度低、占用面积大、易受干扰等问题，论文中提出一种以现场可编程门阵列（FPGA）为核心、集八路采集和八路输出为一体、支持“电子器件工程联合委员会标准204B”（JESD204B）标准化串行接口传输的高速SiP处理芯片。其内部的模数转换器（ADC）与数模转换器（DAC）均为...

一款用于高性能FPGA的多通道HBM2-PHY电路设计————作者：徐玉婷;孙玉龙;曹正州;张艳飞;

摘要：为了满足高性能现场可编程门阵列（FPGA）和动态随机存取存储器（DRAM）之间的高速、可靠的数据传输，设计了一种多通道HBM2-PHY电路。该电路采用12 nm工艺进行设计，最多支持8个独立通道和最高1.6 Gbps的数据传输速率。通过在HBM2-PHY电路的地址和数据路径中设计先进先出（FIFO）缓存来提高数据的读写效率；通过设计可调节的延迟链电路，对高速接收和发送电路中的数据采样时钟进行调节，...

Sn-Pb铜核微焊点液-固界面反应及力学性能研究————作者：丁钰罡;陈湜;乔媛媛;赵宁;

摘要：Cu核微焊点相比传统Sn基微焊点具有更好的导电、导热及力学性能，且可有效控制焊点高度。本文首先探究了Sn-Pb合金电沉积工艺，随后电镀制备出Cu@Sn-Pb、Cu@Ni@Sn-Pb两种Cu核微焊球，进一步研究了微焊点在250 ℃下回流的液-固界面反应，并探究了微焊点的剪切断裂机理。结果表明，Sn-Pb镀层成分受Pb²⁺浓度、络合剂浓度、电流密度以及镀液温度等因素影响。镀液温度...

大功率LED投光灯死灯、暗亮失效分析探究————作者：冯学亮;刘兴龙;周小霍;吴冰冰;曾志卫;

摘要：通过失效复现确认了大功率LED投光灯死灯、暗亮的失效现象。通过对异常灯珠半导体特性测试，确定了灯珠死灯、暗亮的失效模式主要表现为开路及漏电。开路及漏电灯珠外观检查，二者晶元位置同一侧均发现发黑异常，疑似晶元表面存在烧毁现象。化学开封后，开路灯珠晶元表面阴极位置均存在电极击穿烧毁脱开异常，漏电灯珠晶元表面finger位置同样存在击穿烧毁现象。经对失效灯板上发光正常灯珠晶元表面FIB及CP-SEM分析...

高效率LSTM硬件加速器设计与实现————作者：陈铠;贺傍;滕紫珩;傅玉祥;李世平;

摘要：相比于传统循环神经网络(RNN)，长短期记忆网络(LSTM)增加了多个门控单元和记忆单元，可以有效解决传统RNN网络梯度消失和梯度爆炸的问题。由于在处理复杂序列依赖性问题上具有优势，LSTM网络广泛应用于机器翻译、情感分析、文本分类等自然语言处理应用中。随着智能应用复杂度增加，LSTM网络层数、隐藏层节点数的增多，对端侧处理器件的存储容量、访存带宽、处理性能的要求也剧烈增加。论文分析LSTM算法特...

基于循环内聚力模型的TSV界面裂纹扩展模拟研究————作者：黄玉亮;秦飞;吴道伟;李逵;张雨婷;代岩伟;

摘要：TSV界面可靠性问题一直是电子封装领域关注的热点。通过数值模拟的方法，采用循环内聚力模型研究了温度循环载荷下Cu和SiO₂界面损伤开裂问题。首先，在双线性内聚力模型基础上建立了考虑疲劳损伤的循环内聚力模型，并验证了模型的合理性。最终，模拟了不同尺寸TSV结构在温度循环载荷下Cu和SiO₂界面的损伤开裂现象，并对其规律进行了研究。研究结果表明，温度循环过程...

四甲基氢氧化铵溶液温度对硅槽刻蚀的研究————作者：张可可;赵金茹;周立鹏;

摘要：随着MEMS压力传感器应用领域的不断扩展，研究团队研究了压力传感器中关键的应力敏感薄膜刻蚀，进行了四甲基氢氧化铵溶液在不同温度条件下对硅槽刻蚀的试验，通过台阶测试仪、扫描电子显微镜等设备进行硅槽刻蚀表征测试，分析了温度对硅槽刻蚀速率、表面形貌、均匀性的影响，得出刻蚀温度在80 ℃时，最佳均匀性为0.039%，合格率达到92.67%的高平整度硅深槽结构的结论

2.5D封装关键技术的研究进展————作者：马千里;马永辉;钟诚;李晓;廉重;刘志权;

摘要：随着摩尔定律在晶体管微缩领域逼近物理极限，先进封装技术通过系统微型化与异构集成，成为突破芯片性能瓶颈的关键路径。作为先进封装的核心分支，2.5D封装通过硅/玻璃中介层实现高密度互连与多芯片异构集成，兼具高带宽、低延迟和小型化优势，广泛应用于人工智能、高性能计算及移动电子领域。本文系统阐述了2.5D封装的核心结构(如CoWoS、EMIB和I-Cube)及其技术特征，重点剖析了小芯片(Chiplet)...

面向碳纳米管集成电路的新型静电放电防护结构研究————作者：金浩然;刘俊良;梁海莲;顾晓峰;

摘要：针对碳基集成电路静电放电（ESD）防护器件存在失效电流差和失效电压低等问题，基于栅控电场调制技术与动态电位调制的协同设计理论，系统性地提出了两种新型碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）ESD防护器件。首先，通过研究传统CNTFET的直流特性，当施加高栅极电压时，CNTFET处于高阻状态特性，符合ESD防护设计需求。基于此，创新性地提出了栅接漏（GD）CNTFET结构，实验结果表明GD-CNTFET...

基于AiP8F7232的无刷电动工具控制器设计————作者：马文博;蔡嘉威;罗明;

摘要：针对需求量日益增高的无刷电动工具控制器，结合当前主流设计要求，设计了一种基于AiP8F7232微控制器的无刷电动工具控制器设计方案。该设计在硬件架构设计上充分结合AiP8F7232微控制器电机专用外设特点，简洁高效、集成度高。软件架构上针对电动工具应用特点，设计了电机驱动控制策略，控制器保护策略，功能完整度高。通过实验验证，所设计的控制器运行时电机起动无反转，闭环加速时间小于100 ms、中速段运...

金属种子层PVD溅射系统在板级先进封装中的应用————作者：张晓军;李婷;胡小波;杨洪生;陈志强;方安安;

摘要：PVD溅射系统作为板级先进封装的关键工艺设备之一，其性能直接影响到封装质量和可靠性。本文介绍了应用于大尺寸(510 mm×515 mm及以上）面板级先进封装的溅射系统，该系统配置了多个单元模块，降低工艺成本的同时实现连续自动化溅射镀膜生产，自研的大尺寸阴极溅射系统可以有效提高沉积速率，同时提升靶材利用率至50%以上；自研冷却系统能显著降低基板表面温度，改善翘曲，实现更精细地控制；此外，510 mm...

三维集成铜-铜低温键合技术的研究进展————作者：陈桂;邵云皓;屈新萍;

摘要：随着集成电路制造技术对高性能、高集成度和低功耗的需求不断增加，三维集成电路（3D IC）技术成为提升芯片性能和集成度的有效途径。金属Cu具有低电阻率、优异的导热性和抗电迁移能力，能够提供高效的电气连接和热管理性能。低温铜-铜（Cu-Cu）键合技术因其在高密度互连、良好的导电性和导热性方面的优势，成为先进封装的核心技术之一，受到广泛关注。文中探讨了Cu-Cu键合技术面临的主要挑战及其解决方案，总结了...

“第三代半导体功率电子封装技术”专题前言————作者：田艳红;

摘要：<正>以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为首的第三代半导体材料，具有高禁带宽度、高电子迁移率和高热导率等优势，可以显著提升高功率电力电子器件的系统性能和可靠性，实现更高效的能源转换、更快速的数据传输和更强劲的信号传导，在现代电子系统中发挥着关键作用，其应用范围涵盖新能源汽车、光伏储能、电力传输、高速列车以及航空航天等诸多关键领域。根据市场研究机构预测，未来几年全球第三代半导体器件市场规模将持续增...

功率器件封装用纳米铜焊膏及其烧结技术研究进展————作者：王秀琦;李一凡;罗子康;陆大世;计红军;

摘要：以第三代半导体为核心的功率电子器件向高功率密度、高结温方向的发展对封装互连材料、工艺及服役条件下的可靠性都提出了严苛的挑战。纳米铜（Cu）焊膏具有低成本、抗电迁移性、优异的导电导热性能和“低温烧结、高温服役”特性，是1种极具工业化潜力的功率器件封装候选材料，受到广大研究者的密切关注。然而，相比于纳米银（Ag）焊膏，纳米铜焊膏的稳定性（易氧化）和低温烧结性能仍有较大的差距。根据试验结果，从烧结机理、...

乙基纤维素影响下的微米银焊膏和纳米银焊膏烧结对比研究————作者：喻龙波;夏志东;邓文皓;林文良;周炜;郭福;

摘要：微米银（Ag MPs）焊膏和纳米银（Ag NPs）焊膏因其低温烧结、高温服役的特点而成为最有可能用于高温封装的连接材料。研究了乙基纤维素对Ag MPs和Ag NPs焊膏烧结结果的影响，分析了相同条件下2组焊膏烧结结果存在差异的原因。结果表明，在无压、250℃、空气条件下，添加质量分数为5%的乙基纤维素，2组焊膏的烧结性能较好，Ag MPs焊膏烧结所得接头强度和薄膜电阻率为8.57 MPa和4.25...

烧结银阵列互连双面散热SiC半桥模块的散热和应力仿真————作者：逄卓;赵海强;徐涛涛;张浩波;王美玉;

摘要：基于烧结银作为芯片互连层的双面散热Si C半桥模块，改变芯片顶面与基板的烧结银连接层形状为片状、圆柱阵列和长方体阵列，进行了散热和热应力仿真。仿真结果表明，得益于烧结银较高的热导率，改变烧结银层的形状对散热性能影响很小。相比于片状烧结银互连模块，采用圆柱阵列和长方体阵列烧结银互连的模块，其结温最大仅升高0.2℃和0.14℃。由于阵列模型中的烧结银互连层通过多个微小连接点有效分散和缓解了热应力，圆柱...

纳米铜粉的制备方法及其在电子封装行业的应用————作者：王一帆;汪根深;孙德旺;陆冰沪;章玮;李明钢;

摘要：纳米铜粉在电子封装领域可作为浆料的填充材料实现低温烧结，替代价格较高的银，具有广阔的应用前景。纳米铜粉的尺寸、形貌、纯度等与制备方法密切相关，有必要深入了解不同制备方法，实现粒径精准控制。综述了3种主流的纳米铜粉制备方法，重点对成本较低的液相还原法进行了介绍。介绍了纳米铜粉在低温烧结铜浆中的应用，分析了浆料成分、烧结参数等因素对铜浆烧结性能的影响，指明了纳米铜粉的技术瓶颈及发展趋势，纳米铜粉的粒径...

GaN芯片封装技术研究进展与趋势————作者：宋海涛;王霄;龚平;朱霞;李杨;刘璋成;闫大为;陈治伟;尤杰;敖金平;

摘要：作为第三代半导体材料，GaN因其高电子迁移率、高击穿场强等优异特性，正被广泛应用于高频、高功率电子器件。然而，其封装技术面临诸如热管理、电气性能优化以及封装可靠性等挑战，同时还需要满足更紧凑、更集成的需求。重点讨论了目前GaN芯片封装的多种解决方案，包括晶体管外形（TO）封装、四边扁平无引线（QFN）封装等分立器件封装结构，晶圆级封装（WLP）、多芯片模块（MCM）合封器件封装结构以及诸多先进封装...

　　相关电子信息期刊推荐

　　核心期刊推荐

查看更多电子信息期刊