电子与封装

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电子与封装 关注(): 期刊周期：月刊; 期刊级别：国家级; 国内统一刊号：32-1709/TN; 国际标准刊号：1681-1070; 主办单位：中电科技集团第五十八研究所; 主管单位：中国电子科技集团公司; 上一本期杂志：《电力系统通信》通信工程师论文发表; 下一本期杂志：《电子信息对抗技术》计算机科技论文发表

　　【杂志简介】

　　《电子与封装》杂志是目前国内唯一一本全面报道封装与测试技术、半导体器件和IC设计与制造技术、产品与应用以及前沿技术、市场信息等的技术性刊物,是中国电子学会生产技术学分会(电子封装专业)会刊、中国半导体行业协会封装分会会刊。

　　【收录情况】

　　国家新闻出版总署收录

　　ASPT来源刊

　　中国期刊网来源刊

　　【栏目设置】

　　主要栏目：政策与策略、专家论坛、综述、封装与组装、电路设计与测试、器件与制造、支撑技术、产品、应用与市场。

　　杂志优秀目录参考：

　　有关QFN72和CQFN72的热阻计算贾松良，蔡坚，王谦，丁荣峥，JIA Songliang，CAI Jian，WANG Qian，DING Rongzheng

　　氮化铝-铝复合封装基板的制备李明鹤，彭雷，王文峰，LI Minghe，PENG Lei，WANG Wenfeng

　　CBGA植球工艺成熟度提升方法的研究黄颖卓，练滨浩，林鹏荣，田玲娟，HUANG Yingzhuo，LIAN Binhao，LIN Pengrong，TIAN Lingjuan

　　基于JC-5600 ATE的单/双电源运算放大器测试方法赵桦，章慧彬，ZHAO Hua，ZHANG Huibin

　　一种适于FPGA芯片的SRAM单元及外围电路设计徐新宇，徐玉婷，林斗勋，XU Xinyu，XU Yuting，LIN Douxun

　　一种新型基准电流源电路设计黄召军，朱琪，施斌友，陈钟鹏，万书芹，张涛，HUANG Zhaojun，ZHU Qi，SHI Binyou，CHEN Zhongpeng，WAN Shuqin，ZHANG Tao

　　一种低抖动电荷泵锁相环频率合成器杨霄垒，施斌友，黄召军，季惠才，YANG Xiaolei，SHI Binyou，HUANG Zhaojun，JI Huicai

　　基于虚拟化技术的FPGA开发平台设计张海平，万清，ZHANG Haiping，WAN Qin

　　铝线键合的等离子清洗工艺研究钟小刚，ZHONG Xiaogang

　　CMOS工艺中抗闩锁技术的研究朱琪，华梦琪，ZHU Qi，HUA Mengqi

　　外延参数稳定性控制方法王海红，高翔，WANG Haihong，GAO Xiang

　　电路级热载流子效应仿真研究高国平，曹燕杰，周晓彬，陈菊，GAO Guoping，CAO Yanjie，ZHOU Xiaobin，CHEN Ju

　　高密度SIP设计可靠性研究王良江，杨芳，陈子逢，WANG Liangjiang，YANG Fang，CHEN Zifeng

　　管理科学投稿：不锈钢金相检验过程中的电解制样的应用分析

　　摘要：在实际的金相检验工作中，通常会采取电解法，将电流通入电解质中，通过发生反应对金属的内部结构有更好的认识，与机械制样方法相比，该方法首先可以避免抛光时产生的杂质，其次速度快，消耗时间少，而且能够节约材料，工作效率大大提高，能取得更好的制样效果，应用越来越广泛。本文对其在金相检验中的应用进行了简要分析。

　　关键词：管理科学,不锈钢金相检验,电解制样,应用分析

　　引言

　　金相指的是金属内部结构的物理或化学状态，反映金相的具体形态叫做金相组织，主要包括马氏体、铁素体、奥氏体等。在制备金相试样时，主要采取的方法有手工法、机械法以及电解法等。人工法现在已很少用，机械法因为需要进行抛光，往往会在磨光面上出现一些杂质，而且需要多次抛光，浪费大量时间。电解法是当前较为常见的一种制样方法，在有色金属及耐热不锈钢等制样中较为适用，在较短的时间内就能完成制样工作，减轻了劳动量，提高了工作效率，值得推广应用。

　　电子与封装最新期刊目录

MOSFET与IGBT的结构与发展概述

摘要：在功率半导体器件中，金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）这两种器件成为当前应用的主流，自诞生以来，为提高性能，MOSFET出现了诸如横向导电、纵向导电、平面栅、沟槽栅以及超结结构等多种结构；而IGBT也历经穿通型、非穿通型和场截止型等结构。通过对这两种器件进行回顾，综述其出现的结构以及工作原理，并讨论了以碳化硅（SiC）材料为代表的第三代半导体材料在这两...

基于域分解门控物理信息神经网络的加热盘温度实时预测

摘要：加热盘是热压键合设备的核心部件，实时精准预测其温度变化对提升键合良率具有重要价值。针对有限元法计算效率低、传统深度学习方法对样本依赖性强的问题，提出一种基于域分解门控物理信息神经网络的加热盘温度实时预测方法。首先采用域分解策略对加热盘多层异质结构进行子域划分，通过界面连续性条件施加物理一致性约束。然后在网络架构中引入嵌入注意力块的门控单元，增强模型对局部特征的表征能力。结合注意力机制与物理方程残差...

多层有芯封装基板回流焊翘曲分析与优化技术

摘要：以某型量产计算处理芯片为对象，针对多层有芯板结构倒装芯片球栅阵列（FCBGA）封装的回流焊翘曲问题，建立6层基板有限元仿真模型并采用单因子灵敏度分析方法，揭示材料热膨胀系数（CTE）匹配前提下芯板模量与结构尺寸主导芯片封装整体翘曲的机制，提出工程可行的材料选型与结构优化策略并使用阴影云纹实验进行了实测与仿真对比验证，相关研究结果可以为芯片封装翘曲设计提供一定的参考

基于Multiboot的ZYNQ多镜像快速高可靠在线升级方法研究

摘要：现有程序在线升级方法存在传输速率慢、效率低等缺点，且往往不具备版本回退能力或仅能回退至Golden版本。为满足ZYNQ程序高可靠在线升级的需求，本文提出一种基于Multiboot的多镜像在线升级方案。该方案利用LwIP协议栈实现TCP/IP协议层功能，配合PHY芯片完成物理层数据传输，构建千兆以太网通道，实现升级镜像的高速传输。通过存储空间分区管理，实现多镜像独立存储与滚动更新；升级时仅修改指定区...

基于超大算力基板垂直供电技术的研究进展

摘要：随着超大算力芯片的广泛应用，单芯片能耗的需求量呈爆炸式增长，传统横向供电架构面临供电路径长、传输损耗大、瞬态响应差等瓶颈，难以适配单芯片数千安培级电流的算力需求，垂直供电技术凭借缩短电流传输路径、降低寄生阻抗、提升功率密度等核心优势，成为当代AI芯片重要的供电方式。本文论述了垂直供电架构的基本概念、优势特性，系统梳理了国内外的垂直供电的典型技术和最新进展，分析了作为新一代供电技术需面临的挑战与未来...

面向异质异构集成的表面活化室温键合研究进展

摘要：针对后摩尔时代异质异构集成面临的热失配挑战，表面活化键合技术凭借其独特的室温连接优势，为实现高性能异质互连提供了关键支撑。探讨了标准型表面活化键合技术利用高能粒子束溅射刻蚀暴露原子悬挂键的成键机理；归纳了针对氧化硅及一些宽禁带半导体材料开发的拓展表面活化键合、组合表面活化键合等改进表面活化键合工艺。总结了该技术在高性能氮化镓散热结构、声表面波滤波器、亚微米级三维互连及微机电系统封装中的应用成效。表...

升温载荷下玻璃通孔异质界面热机械可靠性评估及寿命预测

摘要：针对玻璃通孔（TGV）互连结构在升温服役条件下的热机械可靠性问题，本研究采用多物理场仿真与机器学习算法相协同的研究策略，重点分析了铜柱的塑性应变响应，并基于Coffin-Manson定律预测了其疲劳寿命。首先，本研究深入探究了实际工艺中不可避免的几何变异（通孔锥度与侧壁粗糙度）及不同升温速率对TGV结构最大塑性应变的作用机理，研究表明：TGV管壁的粗糙度与应变始终呈正相关，而TGV中央区域的锥度的...

硅基氮化镓外延应力调控与缺陷抑制研究

摘要：针对硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延中晶格失配与热失配导致的应力累积、晶圆翘曲及高位错密度等难题，本文提出并制备了一种“渐变超晶格”复合缓冲层结构。采用金属有机物气相外延（MOCVD）技术在6英寸硅衬底上生长了不同缓冲层结构的GaN外延材料。表征结果表明：该复合缓冲层能够将穿透位错密度显著降低（约2.8倍），同时使6英寸晶圆翘曲度下降至12.5μm，满足射频后道工艺要求，并有效减薄了外延层总厚...

基于SiP技术的标准化电路模块研究与实践

摘要：开关电源产品的发展趋势是模块化、标准化和小型化，通过先进封装技术将混合电路集成为具有特定功能的标准模块，是顺应发展趋势的有效方法。研制了两款系统级封装（SiP）模块，分别为2路可调保护电路模块和2路多精度接口电路模块。采用高温共烧多层陶瓷（HTCC）一体化工艺和平行缝焊封装工艺实现基板和外壳的全密封一体化设计；内部均为分立裸元器件，通过优化布局在保证电磁兼容的前提下减少平铺面积；翼型引出式的封装形...

SoC芯片GPU驱动的高效调度与同步机制设计

摘要：GPU驱动在SoC芯片中承担着连接硬件与软件生态的关键作用，对图形性能、功耗及系统可靠性具有重要影响。本文设计的GPU驱动实现了一种高效的任务调度器，能够充分利用多媒体SoC硬件资源，并实现了GPU和显示单元的事件、数据同步，防止图形渲染时画面撕裂感。通过构建Palladium硬件仿真平台对驱动进行验证，结果表明本文设计的GPU驱动能够有效提升图形渲染性能，减少画面撕裂，并确保系统运行的稳定性和可...

玻璃基先进封装关键电镀工艺及其电镀质量控制综述

摘要：随着人工智能（AI）与高性能计算（HPC）技术的快速发展，算力芯片对更高互连带宽、更高集成密度以及更大封装规模提出了迫切需求。传统基于硅中介层的CoWoS封装技术已逐渐接近其物理尺寸与制造成本极限，亟需面向大规模芯片集成的可靠先进封装解决方案。玻璃基板由于具有与硅接近的热膨胀系数、优异的尺寸稳定性及表面平整度，同时易于获得大尺寸方形基板，在兼容半导体工艺尺度的前提下，展现出在百毫米级AI/HPC芯...

一种新型的高速双泵结构存储器设计

摘要：近年来，高性能计算(HPC)需求激增，在先进的中央处理器(CPU)与图形处理器（GPU）中并行处理的能力至关重要，因而对高速、高密度、多端口类型的存储器需求持续增长。8T双端口静态随机存取存储器（SRAM）通常因为能同时进行读写操作而被使用，然而，随着工艺尺寸的缩小，其面积开销增加、端口交叉干扰等问题日益凸显。为解决这一问题，本文提出了一种基于6T基本单元的单端口SRAM，通过一种创新的时钟半拍结...

离子辐照下本征GaN晶格热导率退化的分子动力学研究

摘要：氮化镓（GaN）作为高功率电子器件的重要宽禁带半导体材料，其晶格热输运性能直接关系到器件散热能力、可靠性与长期服役稳定性。在离子辐照环境下，辐照诱导缺陷将改变材料的微观结构，进而导致晶格热导率下降。本文采用分子动力学方法模拟GaN的辐照损伤过程，并基于非平衡分子动力学方法计算其晶格热导率。通过计算晶格热导率变化并结合声子态密度分析，探讨辐照缺陷对热输运的影响。结果表明，辐照产生的点缺陷增强声子散射...

电子封装用超薄玻璃基板切割方法研究进展

摘要：作为新一代先进封装材料，玻璃基板在高频电学性能、热膨胀系数匹配和高平整度等方面优势显著，但其脆性本质使其在切割过程中容易产生微裂纹，进而影响封装可靠性和生产良率。玻璃微裂纹的产生与扩展机制，本质上揭示了玻璃材料的脆性断裂行为。当前，玻璃切割方法主要分为机械切割和激光切割两大类。通过梳理这两类工艺的发展脉络并对比其优劣，可总结出相应的优化策略：在机械切割中，通过优化刀轮参数、改善冷却条件以及采用分层...

0.8～18 GHz超宽带MMIC低噪声放大器设计

摘要：基于GaAs pHEMT工艺实现了一款工作频率覆盖0.8～18 GHz的超宽带低噪声放大器。该放大器采用结合有源偏置电路的共源共栅结构，通过有源偏置电路提高栅极偏置电压稳定性；同时在共栅管芯栅极增加接地电容，提高放大器高频输出阻抗，实现带宽拓宽、高频增益提高。常温测试结果表明，在+5 V单电源供电下，0.8～18 GHz频带范围内小信号增益大于15.5 dB，带内增益平坦度在±0.75 dB以内，...

14 bit 80 MSample/s高线性度流水线模数转换器设计

摘要：基于0.18 μm CMOS工艺设计了一种14 bit 80 MSample/s的高线性度流水线模数转换器（Pipelined ADC）。该电路采用带有消除回踢噪声的电容翻转式采样保持电路（SHA）作为ADC前端采样网络，通过消除回踢噪声保证采样到的信号有更高的精度，从而提高采样的线性度，采样开关选用栅压自举开关，增加了电荷泵电路用于解决寄生电容导致的开关管栅源电压下降，并通过增加占空比稳定电路（...

一种具有栅极集成TVS管的高dI/dt IGTT阴极电压振荡隔离驱动电路

摘要：提出一种用于栅极集成瞬态电压抑制（TVS）二极管的绝缘栅触发晶闸管（IGTT）的栅极驱动电路。该驱动电路为隔离超高dI/dt电流脉冲下的器件阴极电压振荡而设计，能显著降低驱动芯片输出端的电压振荡，从而保证脉冲功率系统的可靠性。在正向过流过程中，器件阴极侧杂散电感上的高电压振荡被隔离，仅器件封装内杂散电感上的低电压振荡被传递至驱动芯片输出端。在反向过流过程中，由于无电流流经器件，封装内杂散电感上无电...

砖-泥结构环氧树脂/氮化硼导热复合材料

摘要：<正>针对电子封装领域中热界面材料对高导热与电绝缘的双重需求，哈尔滨理工大学吴子剑副教授团队提出了一种创新的空间限域策略，巧妙借鉴了“砖-泥”结构设计：首先利用反应诱导相分离法制备环氧树脂微球（EMs），并通过高能球磨将氮化硼（BN）纳米片精准包覆于微球表面，构筑出以微球为芯、BN为壳的“硬质砖块”单元；随后，引入液态金属（LM）与未固化环氧树脂（EP）组成的“导热浆料”填充砖缝，通过...

基于铜互连微结构调控的混合键合技术研究进展

摘要：随着集成电路与先进封装技术的快速发展，混合键合技术因其在实现高密度互连、低信号延迟和低功耗方面的显著优势，已成为超越摩尔定律的关键路径之一。然而，为实现高质量、低热预算的铜-铜键合，仍需克服低温下界面空洞、氧化与扩散不足等挑战。系统综述近年来在混合键合中铜互连中表面处理与微观结构优化的研究进展，并展望其在实现低温、可靠混合键合中的发展趋势，为未来高密度互连技术的研发与应用提供理论参考与技术支撑

表面贴装塑封芯片Die-EMC界面分层失效机理及制程优化研究

摘要：塑料封装是半导体集成电路的主流封装形式，非气密结构使其易发生分层失效。针对TSSOP-8型表面贴装塑封芯片出现的高温无输出、Pin2开路失效问题，采用X射线、C-SAM、切片及EDX能谱分析，明确该类器件晶粒（Die）-塑封料（EMC）界面分层引起界面应力集中导致焊球机械拉脱，最后引脚开路的链式失效机理。将分层从“潜在可靠性风险”量化为“功能失效的直接诱因”，建立分层面积与电性能失效的关联判据，揭...

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