电子与封装

所属栏目：电子信息期刊热度：时间：

《电子与封装》 关注(): 期刊周期：月刊; 期刊级别：国家级; 国内统一刊号：32-1709/TN; 国际标准刊号：1681-1070; 主办单位：中电科技集团第五十八研究所; 主管单位：中国电子科技集团公司; 上一本期杂志：《电力系统通信》通信工程师论文发表; 下一本期杂志：《电子信息对抗技术》计算机科技论文发表

　　【杂志简介】

　　《电子与封装》杂志是目前国内唯一一本全面报道封装与测试技术、半导体器件和IC设计与制造技术、产品与应用以及前沿技术、市场信息等的技术性刊物,是中国电子学会生产技术学分会(电子封装专业)会刊、中国半导体行业协会封装分会会刊。

　　【收录情况】

　　国家新闻出版总署收录

　　ASPT来源刊

　　中国期刊网来源刊

　　【栏目设置】

　　主要栏目：政策与策略、专家论坛、综述、封装与组装、电路设计与测试、器件与制造、支撑技术、产品、应用与市场。

　　杂志优秀目录参考：

　　有关QFN72和CQFN72的热阻计算贾松良，蔡坚，王谦，丁荣峥，JIA Songliang，CAI Jian，WANG Qian，DING Rongzheng

　　氮化铝-铝复合封装基板的制备李明鹤，彭雷，王文峰，LI Minghe，PENG Lei，WANG Wenfeng

　　CBGA植球工艺成熟度提升方法的研究黄颖卓，练滨浩，林鹏荣，田玲娟，HUANG Yingzhuo，LIAN Binhao，LIN Pengrong，TIAN Lingjuan

　　基于JC-5600 ATE的单/双电源运算放大器测试方法赵桦，章慧彬，ZHAO Hua，ZHANG Huibin

　　一种适于FPGA芯片的SRAM单元及外围电路设计徐新宇，徐玉婷，林斗勋，XU Xinyu，XU Yuting，LIN Douxun

　　一种新型基准电流源电路设计黄召军，朱琪，施斌友，陈钟鹏，万书芹，张涛，HUANG Zhaojun，ZHU Qi，SHI Binyou，CHEN Zhongpeng，WAN Shuqin，ZHANG Tao

　　一种低抖动电荷泵锁相环频率合成器杨霄垒，施斌友，黄召军，季惠才，YANG Xiaolei，SHI Binyou，HUANG Zhaojun，JI Huicai

　　基于虚拟化技术的FPGA开发平台设计张海平，万清，ZHANG Haiping，WAN Qin

　　铝线键合的等离子清洗工艺研究钟小刚，ZHONG Xiaogang

　　CMOS工艺中抗闩锁技术的研究朱琪，华梦琪，ZHU Qi，HUA Mengqi

　　外延参数稳定性控制方法王海红，高翔，WANG Haihong，GAO Xiang

　　电路级热载流子效应仿真研究高国平，曹燕杰，周晓彬，陈菊，GAO Guoping，CAO Yanjie，ZHOU Xiaobin，CHEN Ju

　　高密度SIP设计可靠性研究王良江，杨芳，陈子逢，WANG Liangjiang，YANG Fang，CHEN Zifeng

　　管理科学投稿：不锈钢金相检验过程中的电解制样的应用分析

　　摘要：在实际的金相检验工作中，通常会采取电解法，将电流通入电解质中，通过发生反应对金属的内部结构有更好的认识，与机械制样方法相比，该方法首先可以避免抛光时产生的杂质，其次速度快，消耗时间少，而且能够节约材料，工作效率大大提高，能取得更好的制样效果，应用越来越广泛。本文对其在金相检验中的应用进行了简要分析。

　　关键词：管理科学,不锈钢金相检验,电解制样,应用分析

　　引言

　　金相指的是金属内部结构的物理或化学状态，反映金相的具体形态叫做金相组织，主要包括马氏体、铁素体、奥氏体等。在制备金相试样时，主要采取的方法有手工法、机械法以及电解法等。人工法现在已很少用，机械法因为需要进行抛光，往往会在磨光面上出现一些杂质，而且需要多次抛光，浪费大量时间。电解法是当前较为常见的一种制样方法，在有色金属及耐热不锈钢等制样中较为适用，在较短的时间内就能完成制样工作，减轻了劳动量，提高了工作效率，值得推广应用。

　　电子与封装最新期刊目录

凹腔-凸肋复合结构微通道换热性能优化及声波调控机制研究————作者：高星宇;赵张驰;魏俊杰;朱旻琦;于宗光;孙晓冬;江飞;区炳显;王艳磊;魏宁;

摘要：微通道散热器是高功率密度器件热管理的有效解决方案，本研究基于凹腔结构与凸肋特征耦合排布的优化策略，设计了三种二维微通道构型。研究在维持可接受压降损失的前提下，通过增强流动扰动实现综合换热效能的提升，并与传统二维光滑直通道开展对比分析。采用数值模拟方法，系统研究了不同微通道的流场特性、传热机制及热力学综合性能。研究结果表明：错列式半圆肋腔微通道（MC-SCSR）展现出最优换热效能，其综合性能评价因子...

氮化镓基传感器研究进展————作者：刘诗旻;陈佳康;王霄;郭明;王利强;王鹏超;宣艳;缪璟润;朱霞;白利华;尤杰;陈治伟;刘璋成;李杨;敖金平;

摘要：在科技飞速发展的当下，传感技术作为现代信息获取的关键，不断向高灵敏度、微型化和多功能化的方向迈进。氮化镓材料具高电子迁移率、宽能带隙、良好的化学稳定性等，在感知力学信号、识别化学离子、探测生物分子和检测气体等方面表现卓越。为实现高灵敏度、高选择性和快速响应的检测提供了新的解决方案。总结了氮化镓基传感器在力学、气体、化学、生物领域的最新研究进展，阐述其结构设计与制备工艺，分析了其在不同应用场景中的优...

真空加热炉温度均匀性提升研究————作者：徐星宇;李早阳;史睿菁;王成君;王君岚;罗金平;金雨琦;朱帆;张辉;

摘要：针对电子器件热处理常用的晶圆键合台真空加热炉，建立了三维热量传递数值仿真模型，研究了炉体内部的热量传递与温度分布规律，评估了加热炉的温度均匀性并提出了能够显著提升温度均匀性的保温环结构与高导热材料设计方案。研究结果表明，造成加热炉加热面温度分布不均的原因是加热丝的非中心对称布置和加热面边缘的漏热现象，在加热面边缘布置保温环或加热盘材料使用碳化硅陶瓷时，面温度非均匀性由3.2%分别提升至2.5%和1...

基于晶圆级键合技术的传感器封装研究进展————作者：贝成昊;喻甜;梁峻阁;

摘要：传感器作为信息感知的核心组件，对封装高集成度与环境适应性提出了更高要求。晶圆级键合技术是晶圆级封装的一项关键技术，可以实现气密性高可靠封装，已广泛应用于传感器制造领域。本文总结了多种适用于传感器封装的晶圆级键合技术，包括直接键合、阳极键合、玻璃熔块键合、金属键合和混合键合，分析了技术原理、工艺特点、优势及其在实际应用中的适用性，并探讨了应用场景。针对当前低温键合、异质集成、高密度互连及高可靠性封装...

一种集成栅电阻的高可靠性碳化硅功率器件研究————作者：臧雪;徐思晗;孙相超;刘志强;邓小川;

摘要：针对汽车主驱牵引逆变器的高功率密度应用需求，设计并制造了一种集成栅电阻的平面型1 200 V SiC MOSFET器件。该器件导通电阻为14 mΩ，击穿电压达到1 750 V，通过优化多晶硅电阻结构设计，实现芯片上集成5 Ω栅电阻；在母线电压为800 V时，SiC MOSFET器件短路时间为2.7 μs，短路耐量达到1.8 J。此外，器件通过了168 h高温栅偏、高温反偏等可靠性评估测试，表明该集...

电子元器件真空灌封工艺技术研究————作者：姜万红;吴文单;

摘要：阐述真空灌封工艺原理，灌封胶料选用和计量配胶系统的选择，形成一种可行的电子元器件真空灌封工艺流程。主要通过对真空灌封工艺技术的研究，以解决电子元器件在灌封过程中容易产生气泡或空洞等问题，实现电性能稳定性和可靠性提升

一种具有载流子动态调制的双栅IGBT————作者：刘晴宇;杨禹霄;陈万军;

摘要：提出了一种具有载流子动态调制，可以显著降低关断损耗的双栅绝缘栅双极晶体管（DG-IGBT），并基于Sentaurus TCAD针对栅极控制不同的元胞比例1∶4和1∶2的DG-IGBT进行了电学特性仿真。DG-IGBT通过动态调控载流子分布，在关断时降低漂移区内发射极侧的载流子浓度，促进耗尽区的扩展，加快集电极电压的上升速度，从而减小关断损耗。通过器件仿真与实验测试，系统研究了载流子动态调制对IGB...

先进封装中铜柱微凸点互连技术研究进展————作者：张冉远;翁铭;黄文俊;张昱;杨冠南;黄光汉;崔成强;

摘要：超高密度互连、三维异构集成是当前微电子技术发展的趋势，铜柱微凸点作为先进封装互连的核心技术，提供了高性能、多样化的应用方案。讨论了焊料铜柱微凸点互连的原理、特性及挑战，详细阐述了瞬态液相互连技术及固态扩散互连技术的研究进展，概述了纳米材料修饰铜柱微凸点互连的不同方案，分析了各类材料的互连特性及性能。最后总结展望了铜柱微凸点互连技术未来的发展方向

混合键合中铜焊盘的微纳结构设计与工艺优化研究进展————作者：杨刚力;常柳;于道江;李亚男;朱宏佳;丁子扬;李力一;

摘要：随着晶体管微缩逐渐放缓，先进封装和三维集成技术成为集成电路系统性能持续提升的重要路径。混合键合是一种具有高密度三维集成能力的键合工艺，在人工智能芯片制造等应用中扮演日益重要的角色。铜焊盘是混合键合负责信号传输与供电的接口，其物理化学特性决定了工艺的良率和可靠性。目前，国际领先半导体企业在混合键合铜焊盘工艺领域已取得显著进展，不仅建立了高密度金属化-等离子体活化-低温键合的系统化工艺流程，且通过技术...

高活性杨梅状多孔微米银颗粒及低温烧结互连————作者：董镈珑 ;李明雨;

摘要：<正>低温烧结银技术已经广泛应用于大功率模块封装互连领域，然而烧结银的杨氏模量较高，在封装及服役过程中焊点产生的热应力较高且难以得到有效释放，增加了器件失效的风险。哈尔滨工业大学（深圳）李明雨教授团队通过取向生长的方法合成了具有高比表面积（2.538 9 m2/g）的杨梅状多孔微米银颗粒，该杨梅状颗粒内部具有丰富的纳米孔及孪晶结构，表现出极高的烧结活性，可以在150℃下实现银颗粒的烧结...

“面向先进封装应用的铜互连键合技术”专题前言————作者：刘志权;

摘要：<正>铜（Cu）具有优异的电导率（～5.96×107S/m）、较高的热导率（～401 W·m-1·K-1）、良好的抗电迁移能力（5×106A/cm2）以及较高的性价比，是电子信息产业中至关重要的互连材料。铜互连可以实现元件与元件或芯片、芯片与芯片或封装基板之间的稳定、高效、低延迟连接,在电子封装中起到举足轻重的作用，其形式包括芯片大马士革布线、重布线层（RDL）、凸点下金属层（UBM）...

基于FPGA的CAN＿FD控制器的设计与验证————作者：罗旸;何志豪;

摘要：CAN＿FD总线协议作为新一代汽车总线网络的核心通信技术，在提升传输速率和扩展数据场长度方面展现出显著优势。然而，现有CAN＿FD控制器普遍采用封闭式IP核实现，协议栈不可见，严重制约了网络系统的自主可控性。针对这一问题，本研究提出了一种基于FPGA实现的CAN＿FD控制器设计方案。该设计为兼容CAN标准，新增多项式循环冗余校验设计CRC17和CRC21校验算法，为数据传输的准确性添加了双重保险。...

集成电路SiP封装器件热应力仿真方法研究————作者：吴松;王超;秦智晗;陈桃桃;

摘要：近年来微系统SiP封装技术从微器件的设想到落地，逐步实现了工艺技术上的改进，直至今日渗透到信息、航天、船舶、医学等多个领域，其发展趋势已经势不可挡。但是对于微系统SiP封装器件，热应力导致的热失配是最重要的失效原因之一。想要分析器件的热适配问题，实验成本太高，基于有限元的数值仿真技术不仅可以满足准确度要求，并且节省时间、资源等成本，但是国内外针对微系统SiP封装器件的热应力数值仿真方法并没有进行系...

玻璃通孔技术的射频集成应用研究进展————作者：喻甜;陈新;林景裕;钟毅;梁峻阁;顾晓峰;于大全;

摘要：随着射频系统向高频化、集成化发展，玻璃通孔（TGV）技术凭借玻璃基板的低介电损耗和高热导率，成为突破传统基板限制的核心方案。本文系统综述TGV技术的制造工艺、射频器件集成创新及其在5G/6G通信与毫米波系统中的应用进展。在射频器件领域，TGV通过三维互连显著提升集总电感电容等无源器件的性能密度，并支撑滤波器设计实现低插损和小型化。天线应用中，TGV多层堆叠技术推动封装天线（AiP）向毫米波频段拓展...

系统级封装模组高可靠封焊技术研究————作者：成嘉恩;姬峰;张鹏哲;兰元飞;何钦江;兰梦伟;王明伟;

摘要：随着射频组件工作频段不断提高、装配空间不断压缩，传统基于二维多芯片组件工艺的射频组件已无法满足产品高性能、小型化、轻量化的需求。系统级封装工艺将三维芯片叠层结构封装至具有高布线密度的金属陶瓷管壳结构中，通过焊锡球实现垂直方向的低损耗射频互连，能够极大提高产品集成度与性能。本文从封焊过程中的工装设计、焊料设计以及焊接参数设计等多个维度开展研究，探究最优工艺路线，最终实现了密封漏率≤3×10^...

SiC MOSFET的单粒子漏电退化研究————作者：徐倩;马瑶;黄文德;杨诺雅;王键;龚敏;李芸;黄铭敏;杨治美;

摘要：研究了重离子辐照下SiC MOSFET器件单粒子漏电退化规律。通过重离子在线辐照实验，分析了SiC MOSFET单粒子漏电的特性，并探讨了潜在损伤对其栅可靠性的影响。使用激光束电阻异常侦测（OBIRCH）、聚焦离子束（FIB）和透射电镜（TEM）等检测手段，对单粒子潜在损伤器件的内部结构变化进行了表征。结合宏观电学特性与微观结构变化，揭示了SiC MOSFET器件单粒子漏电退化的机制。研究结果为提...

Sb微粒对SAC305锡膏焊接接头性能的影响————作者：林钦耀;汪松英;曾世堂;

摘要：针对SAC305锡膏焊接接头在苛刻的高温环境中可靠性不足问题，本研究通过机械混合方式向SAC305锡膏添加Sb粉微粒制备复合锡膏SAC305-xSb（ x = 0%，2%，6%，10%，20%），研究Sb粉微粒添加含量对SAC305锡膏的润湿性、熔化特性、焊点耐温性、焊接接头的空洞率以及微观组织和力学性能的影响。结果表明：复合锡膏的润湿性和焊接空洞率随着Sb粉含量增加而下降、熔化特性和焊点耐温性随...

窄间距多芯片自动共晶焊接工艺研究————作者：贾海斌;赵彬彬;高婷;

摘要：共晶焊接是电子封装领域一种重要的芯片键合工艺，典型共晶焊接工艺包括真空共晶焊接和摩擦共晶焊接两种。与真空共晶焊接工艺相比，摩擦共晶焊接工艺具有操作简单、灵活性高等优势，并且已经实现自动化。随着产品集成度提升，多芯片共晶设计得到普遍应用，与传统单芯片共晶相比，多芯片共晶对工艺要求更高。本文针对某窄间距多芯片共晶封装结构，基于自动摩擦共晶焊接工艺，从吸嘴设计、焊片尺寸控制、焊接参数设置等方面开展研究，...

先进封装驱动下的片上互连技术发展态势研究————作者：王翰华;崔忠杰;

摘要：随着登纳德缩放定律的失效以及“摩尔定律”的减缓，芯片性能的提升越来越依赖于多核架构。片上互连技术已经成为决定处理器性能的关键因素。片上网络技术和先进封装技术为处理器核心数量的规模化增长提供了必要的前提条件。然而，受先进封装技术的驱动，片上互连的拓扑结构正经历从二维向三维的转变，这一变化导致互连结构复杂度提升，互连场景也日趋多样化。传统的基于电信号的有线互连技术已经显示出其局限性，而光互连和无线互连...

临时键合工艺中晶圆翘曲研究————作者：李硕;柳博;叶振文;方上声;陈伟;黄明起;

摘要：在先进封装领域，包括晶圆减薄、圆片级封装、三维封装、晶圆背面加工以及多芯片封装体的晶圆重构等关键工艺中，临时键合技术发挥着至关重要的作用。针对该技术在异质热压键合引发的翘曲进行了深入分析，并提出了解决方案，包括衬底和临时键合胶的优选、旋涂工艺的优化以及键合参数的调整，以满足先进封装对低翘曲临时键合工艺的需求

　　相关电子信息期刊推荐

　　核心期刊推荐

查看更多电子信息期刊