电子元件与材料最新期刊目录
L频段异构集成射频收发前端设计与实现————作者：张睿;
摘要：针对2 GHz以下射频系统轻小型化、多功能化的应用需求,提出一种立体堆叠架构的L频段三维异构集成射频收发前端微系统设计方案。通过系统需求分析,多层异构集成方案规划,电路设计及关键传输结构仿真验证,完成微系统整体架构设计。基于硅基微电子机械系统工艺与高精度微组装技术,实现GaN、GaAs、CMOS、陶瓷等不同材质芯片与器件的高密度异构集成。该微系统高密度集成两路接收通道与一路发射通道,实测结果表明:...
Zn取代对CCTO基介电陶瓷性能的优化作用及其机理研究————作者：闫永可;张建花;郭泽峰;张国禹;JAWAD Ali;
摘要：CaCu3Ti4O12（CCTO）介电陶瓷因具有显著的巨介电常数，在陶瓷电容器领域展现出巨大的应用潜力。然而，由于CCTO的介电损耗（tanδ）相对较高，使其在应用和发展方面受到极大限制。为了优化其性能，针对其tanδ较高的弱点，采用溶胶-凝胶法制备了Ca1-xZnxCu3 低真空下壁垒型阳极氧化铝膜生长过程中电子电流的产生————作者：丰骏;钱鹏;李鹏泽;余行康;刘霖; 摘要：为探讨壁垒型与多孔型阳极氧化铝形成过程的本质联系，选择无腐蚀性、常用于铝电解电容器的工作电解液作为研究对象。首次对比了在低真空和常压条件下铝阳极氧化过程中的闪火曲线，结果表明，在低真空下三种电解液的闪火电压都降低了50 V以上。分析认为这是由于低真空下氧气更容易析出，致使壁垒型阳极氧化铝膜(BAAF)形成效率降低。阳极氧化过程中离子电流占主导时形成BAAF,当BAAF厚度接近击穿厚度时离子电流全部... 砂磨工艺对镍电极多层瓷介电容器性能及可靠性的影响————作者：张鸿军;易凤举;何云飞; 摘要：通过调整瓷浆料砂磨次数，制备了三组致密性不同的镍电极多层瓷介电容器(BME-MLCC)。研究了砂磨次数引起的瓷体致密性差异对BME-MLCC电性能和可靠性的影响。借助扫描电子显微镜(SEM)、比表面积测试仪及碳硫分析仪等手段，分析了瓷体致密性、晶粒尺寸、气孔分布等微观结构差异对BME-MLCC电性能和可靠性的影响。结果表明，砂磨次数引起的瓷体致密性过度稀疏或过度紧密都将降低BME-MLCC的电性能... 用于构建神经元的非易失性忆阻器的置回特性研究————作者：佟俊德;潘忻强;帅垚;罗文博;吴传贵; 摘要：基于可作为突触的非易失性忆阻器构建神经元，有望将构建突触和神经元统一到一种器件上，但基于非易失性忆阻器构建神经元的关键是需要完成发放后的置回，而目前缺乏针对忆阻置回方法的研究。针对具有良好忆阻特性的单晶LiNbO3薄膜忆阻器，开展了置回特性研究。研究了等幅电压脉冲序列作用下的置回特性，发现其难以满足置回要求。在此基础上，研究了幅值渐变的电压脉冲序列的置回作用，重点研究了最大脉... 一种面向微步控制的比较器失调校准电路————作者：刘耀阳;孙江;邹海洋;舒哲瞳;郭洋; 摘要：在步进电机驱动芯片的应用中,为解决步进电机高细分输出电流控制时,比较器参考电压差小、输入失调电压影响比较器翻转、输出电流控制精度低等问题,提出了一种面向微步控制的失调校准电路。电路为差分输入,当制造工艺引入随机失调时,电路启动自动检测并校准输入失调电压,实现了一种低输入失调的比较器电路。通过改变修调电流和电阻可调整校准失调电压的范围与精度。电路使用静态失调校准技术,与传统比较器失调校准电路相比,结... SmBO3@ITO的制备及激光吸收性能研究————作者：李文新;鹿辛践;冯潇强;张同庆;张林博; 摘要：随着探测技术的不断发展，单一频段的隐身手段已经难以满足现代战场对隐身技术的实际需求。采用共沉淀法制备了掺杂半导体ITO包覆的SmBO3复合粉体，旨在开发具有激光和雷达兼容隐身功能的新型材料。通过XRD、SEM、元素分布Mapping和XPS等表征手段，确认了SmBO3@ITO核壳结构的成功构建。激光性能测试表明，包覆粉体的反射率最低为42.9%。进一步的... 基于SDG MOS表面电势理论的PNP BJT过基极电流改进模型研究————作者：刘帅;曹菲;王祖军;邢嘉彬;秦建强; 摘要：电离总剂量（Total Ionizing Dose， TID）效应诱使PNP双极型晶体管（Bipolar Junction Transistors， BJTs）产生界面态电荷和氧化层俘获电荷，导致基极电流异常增大。鉴于传统解析模型的局限性，本文基于对称双栅MOSFET（Symmetric Double Gate MOSFET，SDG MOS）表面电势理论，通过引入缺陷复合机制，提出了一种改进的PN... 碳酸钠对铜电极附着力的影响————作者：陈康;朱晓云;王春丰;张文哲; 摘要：钛酸锶（SrTiO3）压敏电阻器铜电极与钛酸锶基体间的结合力会降低严重影响器件的应用寿命，掌握提高铜电极附着力性能的相关机理至关重要。通过在铜浆中添加碳酸钠（Na2CO3）,以提高铜电极的附着力，并探究其微观机理。采用丝网印刷在SrTiO3基体上印制铜浆后烧结形成铜电极，研究了铜浆中玻璃与碳酸钠的反应过程以及电... Mg-Sn共掺杂β-Ga2O3光电性质的第一性原理研究————作者：陈林;李海侠;陈春宇;陈尚举; 摘要：运用基于密度泛函理论的第一性原理方法，针对本征β-Ga2O3以及不同浓度与掺杂位置条件下的Mg-Sn共掺杂β-Ga2O3,在完成几何结构优化之后，对各体系的光电性质展开了计算。结果显示，经过结构优化的掺杂体系展现出优异的热力学稳定性。掺杂引入的杂质能级显著改变了电子结构，导致带隙缩小且导电性增强。此外，掺杂体系... 基于PCB铜线路的保险丝熔断模型及应用研究————作者：杨振国;周位强;程炜超;朱腾; 摘要：随着工业自动化的迅猛发展，市场对低成本且高可靠性设备的需求日益增加。保险丝作为设备中不可或缺的重要元器件，通过在PCB(印刷电路板)上直接设计铜线路来实现其功能，不仅能够有效降低生产和材料成本，还能显著提升设备的整体可靠性。为了确保这种PCB保险丝设计的准确性和可靠性，提出了一种综合考虑PCB线宽、铜箔厚度和材料等多维因素的PCB保险丝模型。通过对比模型计算结果与实际测量数据，发现两者的偏差小于5... Nb5+掺杂对Ni-Mn-O基NTC热敏材料特性影响的研究————作者：程飞鹏;辜丽欢;向艳; 摘要：以传统固相反应法制备了Ni0.75-xMn2.25NbxO4（x=0,0.15,0.25,0.35）NTC热敏电阻陶瓷。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）及电学性能测试，深入探究了Nb5+掺杂对Ni0.75-xMn2.25Nb 动态工况下车用双面散热SiC模块热力特性研究————作者：赵礼辉;刘静;郭辉;张东东; 摘要：为研究用户使用条件下的热力特性，提出一种基于动态工况下车用双面散热封装(Double-Sided Cooling, DSC)SiC模块的热力特性研究方法。建立了永磁同步电机数学模型与电机控制器负荷特性模型，以典型用户工况作为输入提取了负荷特性；基于DSC SiC模块损耗模型计算分析了功率损耗特性；以功率损耗作为热力耦合仿真的热载荷，评估了稳态与动态工况下DSC SiC模块的温度与应力，并分析了散热... 基于GaN器件的高效抗辐射DC/DC变换器设计————作者：高东辉;张伶鳦;陈家海;黄煜炜; 摘要：针对当前混合集成抗辐射DC/DC变换器存在输出功率小、转换效率低等问题，在优化DC/DC变换器功率拓扑的基础上，采用先进的抗辐射GaN开关管，设计了一款70～120 V输入、28 V/150 W输出的高效混合集成抗辐射DC/DC变换器原理样机。首先对电路方案进行了详细研究，主要包括半桥拓扑结构工作原理分析、控制电路设计、抗辐射GaN隔离驱动电路设计等；其次对混合集成工艺方案进行了详细设计和分析；最... 用于LLC谐振变换器的LTCF叠层变压器设计研究————作者：金怿伟;邢孟江;杨圆圆;李小珍; 摘要：现有的LTCF叠层变压器设计方法主要针对反激电源结构，且缺乏系统的设计流程。尝试将LTCF工艺引入LLC谐振变换器的变压器设计中，采用微磁叠层铁氧体基片作为磁导材料，探讨了一种新的LTCF变压器设计方法。该方法基于三明治结构的变压器绕组，将LLC谐振变换器中串联和并联的电感与变压器在非理想条件下的漏感以及励磁电感相结合，有效改善初次级线圈的耦合系数，并减少漏磁，实现器件数量的有效精简。同时，分析了... 具备人体环境稳定性的双频圆极化织物天线————作者：王蒙军;马亚婷; 摘要：针对可穿戴天线在人体复杂电磁环境下的性能退化问题，提出一种基于人工磁导体(AMC)结构的织物天线。通过在辐射贴片上延伸枝节，实现1.575 GHz频段圆极化辐射和4.9 GHz频段线极化辐射。斜坡形地面和地板上的凹槽使天线在4.9 GHz频段表现出优异的圆偏振特性。进一步设计3×3 AMC单元阵列集成于天线正后方，每个单元由方形贴片和带T形槽的方环形贴片组成。仿真和实测结果表明，AMC天线的阻抗带... 一种超高速的8位2.6 GS/s SAR ADC设计————作者：任建;许智超;何炳辉;张昕怡; 摘要：串行器/解串器(SerDes)及现代数据传输对速度的要求逐渐提高。设计了一种应用于高速数据采集的低压模拟前端模/数转换器(ADC)。伪循环展开架构采用多比较器设计，消除了转换周期中的复位动作，无源传输技术通过精确控制两级ADC的电容阵列权重，实现了余量电压的高效传输，从而提升了采样速率。电路基于CMOS 28 nm工艺实现。后仿结果表明，在电源电压0.9 V,吞吐率2.6 GS/s,输入信号幅度0... 用于高PSRR低压差线性稳压源的带隙基准源设计————作者：马晨光;李严;殷树娟; 摘要：电源电压抑制比(PSRR)是低压差线性稳压源(LDO)的重要性能指标，较高的PSRR可以有效抑制纹波干扰，提高系统的稳定性。分析了带隙基准电压源的PSRR对LDO PSRR的影响，基于0.18μm CMOS工艺设计了一种具有高PSRR的带隙基准电压源，以此提升LDO的PSRR。采用的PSRR提升措施包括带电压负反馈的预调压电路、电容倍增电路以及低通滤波电路。仿真结果显示，基准源在100 Hz, 1... 高压叠层铝电解电容器耐高温高湿性能研究————作者：陈绪鑫;曾庆雨;刘学孔;陈育松;陈琛;袁家印; 摘要：由PEDOT∶PSS分散体制成的高压叠层铝电解电容器，在85℃/85%RH高温高湿环境中加电工作一定时间后，电容器出现严重开裂和被腐蚀的失效特征。分析可知，该失效与分散体中的交联剂有关。为了制备厚度适中且边角包覆良好的聚合物阴极层，需将交联剂与分散体按比例循环涂覆于铝箔阳极表面。通过设计和配制交联剂主要成分试验溶液并模拟其高温高湿下工作的试验，确定了对甲苯磺酸是造成高压叠层铝电解电容器高温高湿失效... 润湿特性对超级电容器储能性能影响————作者：杨创华; 摘要：为解决超级电容器储能性能的优化难题，本研究深入探讨了电极材料的润湿特性对储能性能的影响。采用等离子体增强化学气相沉积技术，在Pt/Si基底上制备了石墨烯电极材料，并将其组装成超级电容器。通过拉曼光谱仪、伏安特性检测仪等设备，对在不同电解液渗流压力和不同沉积时间条件下制备的石墨烯电极材料及对应电容器性能进行系统测试。测试结果显示，随着电解液渗流压力的提高，石墨烯电极材料的润湿性增强，电容器的电流密度... 电子元件与材料来自网友的投稿评论：
