半导体技术最新期刊目录
面向芯片表面缺陷分割的轻量级多尺度网络结构DSDLF-UNet————作者：朱永民;顾寄南;单韵竹;姜宝康;夏子林;高艳;向泓宇;
摘要：针对芯片表面缺陷图像的语义分割任务，现有模型存在特征提取能力不足、参数量（Params）过大等问题。提出一种面向芯片表面缺陷分割的轻量级多尺度网络结构—DSDLF-UNet。编码器部分设计了双分支深度可分离空洞卷积（DSDConv）模块，该模块融合深度可分离卷积（DSC）与空洞卷积（DC）的优势，以增强局部细节特征表达和全局感受野的建模能力。主干部分提出轻量级局部-全局空洞空间金字塔池化（LG-A...
基于TDIM的高精度功率SMD结壳热阻测量技术————作者：吴玉强;郑花;马凤丽;侯杰;许为新;郭美洋;
摘要：为解决功率表面贴装器件（SMD）散热基板与电学引出端共面导致短路及热电偶法测温误差问题，首次提出一种基于瞬态双界面法（TDIM）的高精度结壳热阻(RθJC)测量技术。通过设计含铜板凸台结构与绝缘定位板的专用夹具，有效消除电气短路；结合TDIM替代热电偶法，消除了热量"芯吸"效应与测温位置误差。以TO-277封装肖特基二极管为实验对象，测得RθJC为0.3...
基于Pd修饰SnO2的三乙胺气体传感器————作者：王振宇;丁海珍;王渝鑫;郭子政;谭烁君;赵静;
摘要：采用溶剂热法和煅烧合成了金属有机框架（MOF）衍生Pd修饰的SnO2复合材料，以此为基础制作了纯SnO2和一系列Pd/SnO2气体传感器。使用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜和X射线光电子能谱仪对样品进行表征，结果显示Pd的修饰使复合材料中氧空位含量有所增加，而复合材料的晶相结构及形貌不会发生显著变化。气敏测试结果表明，Pd/Sn...
基于氦质谱检漏技术的SiC衬底微管检测设备————作者：周立平;刘慧强;王琪;李明;张继光;
摘要：为解决SiC衬底微管缺陷检测精度低、效率差的问题，研制了基于氦质谱检漏技术的SiC衬底微管检测设备。该设备以PFEIFFER公司的ASM 340型检漏仪作为检测核心、西门子S7-1200系列可编程逻辑控制器（PLC）作为控制核心、节卡机器人股份有限公司的JAKA Zu@7型机器人作为自动搬运系统，实现SiC衬底微管缺陷的全自动检测。使用ANSYS Workbench仿真平台对衬底密封结构进行受力分...
基于单弯引线互连的CQFP射频传输性能————作者：杨振涛;余希猛;于斐;任昊迪;刘林杰;
摘要：为满足新一代高频率、高速率及高散热射频(RF)微波器件的封装需求，提出了一种采用单弯引线互连结构的陶瓷四边扁平封装(CQFP)。单弯引线互连结构的引线端头直接与引线焊盘焊接，相较于传统的翼型引线互连结构，其可将引线焊盘长度由1.00 mm缩短至0.50 mm,有效改善了焊盘的阻抗匹配效果。通过仿真分析了信号线中心距、焊盘尺寸、垂直通孔直径和焊料量对射频传输性能的影响，确定最优参数分别为：信号线中心...
富磷半绝缘磷化铟晶体生长的行波磁场调控————作者：邵会民;史睿菁;李早阳;孙聂枫;姜剑;毛旭瑞;宋瑞良;
摘要：针对高压垂直梯度凝固(HP-VGF)法生长InP晶体，建立了行波磁场作用下的晶体生长流动传热数值模型，并结合晶体生长实验研究了磁场对富磷半绝缘InP晶体中缺陷生成与掺杂分布的调控作用。研究结果表明，行波磁场可以在InP熔体中产生足够大的洛伦兹力，使得熔体流动增强且温度分布发生变化；磁场调控使孪晶形核概率降低了15%,促进富磷熔体中气泡的逃逸，获得少气孔甚至无气孔的InP晶体，并能够减少晶体中心位错...
矩形微同轴工艺研究与器件制备————作者：马强;王锐;吴伟;马思阅;
摘要：在需要大带宽和低损耗的微波传输系统中，微电子机械系统(MEMS)工艺参数对矩形微同轴结构的射频(RF)性能影响较大。仿真分析了该微同轴内部导体表面粗糙度、内导体宽度、侧壁倾斜度与传输损耗、特性阻抗等射频参数的关系。结果表明，表面粗糙度增大导致传输损耗单调增大，内导体宽度减小和侧壁倾斜度增大均导致特性阻抗变大。通过工艺实验验证了仿真结果并优化了相关参数。制作了矩形微同轴功分器、多零点带通滤波器样品并...
研磨和抛光参数对（001）面β-Ga2O3单晶衬底表面质量的影响————作者：高飞;王英民;程红娟;张嵩;董增印;辛倩;
摘要：衬底的表面质量对卤化物气相外延（HVPE）法生长的同质外延薄膜的质量至关重要。研究了（001）面β-Ga2O3单晶衬底研磨和抛光工艺中研磨盘材质、研磨压力、抛光垫种类等参数对材料去除速率（vR）、表面粗糙度（Ra）和表面质量的影响。实验结果表明，采用树脂铜盘、树脂锡盘和SUBA800抛光垫配合3μm粒径的多晶金...
基于FPGA的功率器件封装缺陷实时检测————作者：谭会生;吴文志;张杰;
摘要：针对基于机器视觉的功率器件封装缺陷检测技术实时性差、计算资源消耗较高的问题，基于现场可编程门阵列（FPGA）设计了一种功率器件封装缺陷实时检测器。首先，提出一种基于深度可分离卷积（DSConv）的轻量型Mini-DSCNet卷积网络，使用深度卷积和逐点卷积代替标准卷积，仿真结果表明，该模型的浮点运算量（FLOPs）和参数量（Params）分别约为MobileNetV1的4.375%和0.021%，...
基于Bi-LSTM网络的封装基板翘曲预测模型————作者：王昊舟;王珺;
摘要：针对封装基板的翘曲预测问题，提出一种基于循环神经网络（RNN）与双向长短期记忆（Bi-LSTM）网络相结合的机器学习方法，构建封装基板翘曲预测模型。该模型可预测非对称基板翘曲分布，并有效提高预测效率与准确性。为获取模型训练所需数据集，开发了随机游走自动布线算法生成不同特征的基板布线结构，并利用铜迹线强化有限元分析（FEA）方法获取翘曲分布数据。研究结果表明，Bi-LSTM网络模型在80个训练周期内...
TOPCon太阳电池复合钝化层参数对抗紫外能力的影响————作者：张继禄;李家栋;舒华富;刘江;吴燕;李灵芝;鲁章波;
摘要：针对隧穿氧化物钝化接触（TOPCon）太阳电池在紫外（UV）辐照下的性能衰减问题，提出了电池钝化层改进工艺。分析了不同AlOx层厚度（3～6 nm）和SiNx层折射率（2.0～2.3）下TOPCon太阳电池的抗紫外诱导衰减（UVID）能力，并揭示了其在紫外辐照下的电性能衰减机制，即Si—H键断裂直接导致开路电压衰减。适度增厚AlOx...
基于VO2（B）纳米带的超快响应柔性呼吸传感器————作者：龙开琳;刘风坤;黄子林;郭喜涛;
摘要：柔性呼吸监测技术在慢性阻塞性肺疾病和阻塞性睡眠呼吸暂停等疾病的早期诊断中展现出重要的临床应用潜力。提出了一种基于B相二氧化钒纳米带(VO2（B） NB)的高灵敏度、超快响应的柔性呼吸传感器。通过水热法合成的VO2（B） NB能在室温下检测相对湿度（RH）在26%～93%范围内的变化。通过将VO2（B） NB与顶层金叉指电极及底层柔性...
基于YOLOv10n的BGA锡球缺陷检测算法————作者：胡彬;朱文彬;王鸣昕;朱晓春;
摘要：球栅阵列（BGA）锡球缺陷的高效检测是保障芯片质量的核心环节，而缺陷样本的稀缺性为基于深度学习方法的有效训练带来了挑战。设计了一种基于前景-背景加权融合的数据增强方法，有效缓解了训练样本的不足。并提出了一种基于YOLOv10n的BGA锡球缺陷检测算法EMP-YOLOv10n。首先，构建跨尺度高效特征融合网络（EffiFuseNet），在减少参数量（Params）的同时，增强对缺陷细节的捕捉能力；其...
基于负载调整的谷底锁定准谐振反激式变换器芯片————作者：谢加雨;程鹏铭;牟维凤;
摘要：在传统准谐振反激式变换器中，谷底导通能降低开关损耗。但由于相邻谷底对应的输出功率不连续，导致谷底跳频，造成可闻噪声及功耗增大。采用华虹90 nm BCD工艺设计了一种基于负载调整的谷底锁定准谐振反激式变换器芯片，采用动态跟随电路提高谷底检测精度，通过动态检测负载来调整谷底导通并实现谷底锁定功能。仿真及测试结果表明，在输入电压为220～311 V、输出电压为15 V的恒压模式下，谷底导通偏移量减小了...
一种波导内阻抗匹配的0.4THz宽带倍频器————作者：胡松祥;宋旭波;顾国栋;刘庆彬;冯志红;
摘要：为满足近场通信和成像等应用领域对0.4 THz宽带倍频器的需求，基于GaAs肖特基势垒二极管(SBD)设计了一款工作在0.4 THz的宽带平衡式二倍频器。该设计采用波导内输出阻抗匹配结构，解决了传统悬置带线设计中阻抗失配导致的带宽受限问题。二倍频器采用反向偏置工作模式，通过优化散射参数的相位一致性，提高了谐波合成效率。设计了0.4 THz宽带的E面探针过渡和直流偏置的集成复合结构，采用紧凑型谐振器...
一种高精度隔离运算放大器————作者：陈玉;郑钰;孔祥伟;
摘要：隔离运算放大器是一种测量放大电路，采用振荡器、脉冲变压器、运算放大器、调制解调电路及有源低通滤波器设计了一款磁隔离运算放大器。输入端选用高性能运算放大器SGM8249,通过配置外部电阻使输入电压为-500～500 mV时，输出可调电压为-10～10 V。此外，还设计了输出电压为±15 V、输出电流为±15 mA的隔离直流电源。该放大器共模电压均方根值为3 500 V,共模抑制比大于120 dB,非...
激光焦平面探测器组件工作寿命评估方法————作者：梁晨宇;周小燕;孔繁林;路小龙;邹红强;李龙;柯尊贵;
摘要：激光焦平面探测器组件作为激光三维成像系统的核心组成部分，需要具备高可靠性和长使用寿命。通过故障模式、影响及危害性分析(FMECA)系统识别了激光焦平面探测器组件的寿命薄弱环节，深入剖析了影响其寿命的主要因素，并提出以薄弱环节替代整体产品进行寿命评估的方法。针对激光焦平面探测器组件存在长寿命周期与试验样本量有限的特点，提出了一种k/n可靠性建模方法。基于正常应力下的小样本寿命试验，利用像元寿命数据实...
lnP快速注入合成、提纯与大尺寸高品质多晶制备————作者：李贺斌;王书杰;孙聂枫;姜剑;邵会民;康永;谷伟侠;
摘要：高纯InP是制备高品质单晶的基础，通过分析InP注入合成过程及动力学，阐明了InP快速注入合成与提纯机理。注入合成与提纯的主要机制为：注入合成速率快，其他耗材对合成熔体的污染少；高压气泡形成与迁移过程起到吸收易挥发杂质元素的作用；注入合成后提拉生长可以对多晶锭进一步提纯。基于晶体生长原理，分析了富铟生长和富磷生长缺陷的形成机制。通过控制熔体的配比度，获得了抑制上述缺陷的条件。通过InP快速注入合成...
电-热-力耦合下扇出型晶圆级封装RDL导电层热-力可靠性分析————作者：武瑞康;臧柯;范超;王蒙军;吴建飞;
摘要：为研究导电层对重分布层（RDL）可靠性的影响，基于电-热-力多物理场耦合建立扇出型晶圆级封装（FOWLP）互连结构多尺度三维模型。采用有限元分析法研究了导电层材料、厚度及过渡角度对RDL温度场和应力场分布的影响。研究结果显示，在RDL热-力分布中，导电层起主导作用。与材料和厚度相比，导电层结构的过渡角度对RDL可靠性的影响相对较小。过渡角度在130°～160°范围内时，温度与应力极值波动小于1%;...
基于YOLOv8n-FESS的PCB缺陷检测算法————作者：赵红华;肖金球;
摘要：针对当前印刷电路板(PCB)缺陷检测方法复杂度高、计算量大、容易产生误检漏检等问题，提出了一种YOLOv8n-FESS轻量化检测算法。该算法对骨干(Backbone)网络C2f模块中的瓶颈(Bottleneck)结构进行改进，引入快速网络(Fasternet)中的部分卷积(PConv),以增强其特征提取能力，并融入高效多尺度注意力(EMA)机制，进一步提升Backbone的特征表征能力；在颈部(N...
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